电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BR24H16F-5ACE2 | 0.7300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-sop | 下载 | (1 (无限) | 2,500 | 1 MHz | 非易失性 | 16kbit | EEPROM | 2k x 8 | i²c | 3.5ms | |||||||||
![]() | CY7C0241-15AXI | 19.7800 | ![]() | 302 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C0241 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 16 | 易挥发的 | 72kbit | 15 ns | SRAM | 4K x 18 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | SFEM064GB2ED1TB-A-CE-111-StD | 27.1500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 瑞士 | EM-30 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 153-TFBGA | Flash -nand(tlc) | 2.7V〜3.6V | 153-BGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 1 | 200 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | EMMC | - | ||||||||
![]() | S25FL164K0XMFV011 | 3.3470 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl1-k | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | S25FL164 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 3A991B1A | 8542.32.0050 | 150 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3ms | 未行业行业经验证 | |||
![]() | CY7C09349AV-12AXC | - | ![]() | 70 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C09349 | sram-双端口,同步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 13 | 50 MHz | 易挥发的 | 72kbit | 12 ns | SRAM | 4K x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||
![]() | M3004316045NX0PTAR | 10.5203 | ![]() | 2614 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | - | rohs3符合条件 | 800-M3004316045NX0PTARTR | 1 | 非易失性 | 4Mbit | 45 ns | 内存 | 256K x 16 | 平行线 | 45ns | ||||||||
![]() | W25N04KVZEIU TR | 5.5500 | ![]() | 9229 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | W25N04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 256-W25N04KVZEIUTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 250µs | |||
![]() | 70V05L12J | - | ![]() | 4346 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 上次购买 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 68-LCC(j-lead) | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 68-PLCC (24.21x24.21) | - | 800-70V05L12J | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 12 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 12ns | |||||||||
![]() | MT62F1G32D2DS-023 AIT:c | 29.0250 | ![]() | 8414 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | - | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AIT:c | 1 | 4.266 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | 平行线 | - | |||||||||
![]() | S29VS256RABBHI010 | - | ![]() | 2664 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | vs-r | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-VFBGA | S29VS256 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 44-FBGA(7.5x5) | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 2832-S29VS256RABBHI010 | 1 | 108 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 80 ns | 闪光 | 16m x 16 | 平行线 | 60ns | 未行业行业经验证 | |||
![]() | S29PL064J55BFI123 | - | ![]() | 3948 | 0.00000000 | Infineon技术 | PL-J | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | S29PL064 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA(8.15x6.15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 非易失性 | 64mbit | 55 ns | 闪光 | 4m x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | AT45DB011D-MH-Y | - | ![]() | 8367 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | AT45DB011 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 8-udfn(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | AT45DB011DMHY | Ear99 | 8542.32.0051 | 490 | 66 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 闪光 | 264字节x 512页 | spi | 4ms | |||
![]() | CAT25010 | - | ![]() | 9772 | 0.00000000 | 催化剂半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CAT25010 | EEPROM | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 非易失性 | 1kbit | EEPROM | 128 x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | 71256L25YI | - | ![]() | 4050 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | 71256L | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-soj | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 25 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 25ns | ||||
![]() | 520366231286 | - | ![]() | 3046 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CY7C185-25SC | - | ![]() | 8211 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C185 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-soj | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 25 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 25ns | ||||
![]() | MT62F2G64D8EK-023 wt:c tr | 90.4650 | ![]() | 4584 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 441-TFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA(14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WT:CTR | 2,000 | 4.266 GHz | 易挥发的 | 128Gbit | 德拉姆 | 2G x 64 | 平行线 | - | |||||||||
![]() | 7133la15pfi | - | ![]() | 8204 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 上次购买 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | - | 800-7133LA15PFI | 1 | 易挥发的 | 32kbit | 15 ns | SRAM | 2k x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||
![]() | JS28F320J3F75A | - | ![]() | 8112 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Strataflash™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | JS28F320J3 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 非易失性 | 32Mbit | 75 ns | 闪光 | 4m x 8,2m x 16 | 平行线 | 75ns | ||||
AT24C64B-10TU-2.7 | 0.8800 | ![]() | 3134 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | AT24C64 | EEPROM | 2.7V〜5.5V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | AT24C64B10TU27 | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 非易失性 | 64kbit | 900 ns | EEPROM | 8k x 8 | i²c | 5ms | |||
71024S12TYGI8 | 2.9225 | ![]() | 1432 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | 71024 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 12ns | |||||
![]() | IS61NLP25672-200B1LI-Tr | - | ![]() | 2711 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 209-BGA | IS61NLP25672 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 209-LFBGA(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.1 ns | SRAM | 256K x 72 | 平行线 | - | |||
![]() | M3004316045NX0PBCR | 10.5203 | ![]() | 3983 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 484-BGA | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 484-cabga (23x23) | - | rohs3符合条件 | 800-M3004316045NX0PBCRTR | 1 | 非易失性 | 4Mbit | 45 ns | 内存 | 256K x 16 | 平行线 | 45ns | ||||||||
![]() | 7025S35JG | - | ![]() | 6692 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 84-LCC(j-lead) | 7025S35 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31) | - | 800-7025S35JG | 过时的 | 1 | 易挥发的 | 128kbit | 35 ns | SRAM | 8k x 16 | 平行线 | 35ns | |||||||
MT48LC8M16A2F4-75:G Tr | - | ![]() | 2016 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-VFBGA | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-VFBGA(8x8) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | AT24C128BW-SH-T | - | ![]() | 1826年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AT24C128 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 1 MHz | 非易失性 | 128kbit | 550 ns | EEPROM | 16k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | M36L0R7050T4ZSPE | - | ![]() | 3900 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | M36L0R7050 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,560 | ||||||||||||||||||
![]() | 70V28L15PFGI8 | - | ![]() | 8733 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 70v28 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | - | 800-70V28L15PFGI8TR | 过时的 | 750 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64k x 16 | lvttl | 15ns | |||||||
![]() | IDT70T633S10DD | - | ![]() | 5263 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 144-LQFP暴露垫 | IDT70T633 | sram-双端口,异步 | 2.4v〜2.6V | 144-TQFP(20x20) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 70T633S10DD | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 易挥发的 | 9Mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | CY7C006A-20AXCT | - | ![]() | 6808 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | CY7C006 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 64-TQFP (14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 128kbit | 20 ns | SRAM | 16k x 8 | 平行线 | 20NS |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库