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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
CY7C261-45QMB	51.3200	RFQ	301	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）			CY7C261	EPROM -UV	4.5V〜5.5V		下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A001A2C	8542.32.0071	1		非易失性	64kbit	45 ns	EPROM	8k x 8	平行线	-
70261L55PF	-	RFQ	6741	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	70261L55	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	45		易挥发的	256kbit	55 ns	SRAM	16k x 16	平行线	55ns
DS28E04S-224-BB+t	-	RFQ	6324	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	DS28E04	EEPROM	-	16-Soic	-	rohs3符合条件		到达不受影响	175-DS28E04S-224-BB+TTR			2,500		非易失性	4Kbit	2 µs	EEPROM	256 x 16	1-Wire®	-
70T659S12BFI	256.1448	RFQ	4814	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	208-LFBGA	70T659	sram-双端口，异步	2.4v〜2.6V	208-cabga（15x15）	下载	Rohs不合规	4 （72小时）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	7		易挥发的	4.5mbit	12 ns	SRAM	128K x 36	平行线	12ns
AS4C64M16MD1-6BIN	-	RFQ	4674	联盟记忆，Inc。	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	AS4C64	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-1127	Ear99	8542.32.0032	300	166 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43TR85120AL-107MBL-TR	-	RFQ	6772	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR85120AL-107MBL-TR	Ear99	8542.32.0036	1,500	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
EM008LXQADG13IS1R	19.0500	RFQ	5008	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	8-vdfn暴露垫		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	8-DFN（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM008LXQADG13IS1RTR	Ear99	8542.32.0071	2,000	200 MHz	非易失性	8mbit		内存	1m x 8	spi -octal I/o	-
S26KL256SDABHN020	8.2000	RFQ	338	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的								-				2156-S26KL256SDABHN020			37
SST26WF016BA-104I/CS	-	RFQ	3617	微芯片技术	SST26SQI®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-ufbga，CSPBGA	SST26WF016	闪光	1.65V〜1.95V	8-CSP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.32.0071	1	104 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	1.5ms
GS8342T36BGD-300I	45.6607	RFQ	4940	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜100°C（TJ）	表面安装	165-LBGA	GS8342T	sram-四边形端口，同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FPBGA（15x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS8342T36BGD-300I	3A991B2B	8542.32.0041	15	300 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
IS43R32800B-6BL-TR	-	RFQ	3877	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-LFBGA	IS43R32800	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	144-Minibga（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
93LC56BX/SN	0.3450	RFQ	1402	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93LC56	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	2 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	128 x 16	微线	6ms
MT41K64M16TW-107 IT：j tr	3.6664	RFQ	2253	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K64M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	-
MC-3CD721-C	110.0000	RFQ	2553	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-MC-3CD721-C	Ear99	8473.30.5100	1
S29PL064J70BFI120	-	RFQ	6416	Infineon技术	PL-J	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	S29PL064	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-FBGA（8.15x6.15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2832-S29PL064J70BFI120	3A991B1A	8542.32.0071	338		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	4m x 16	平行线	70NS
IDT71V65703S80PFI8	-	RFQ	5770	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IDT71V65703	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	71V65703S80PFI8	3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	9Mbit	8 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS62WV12816BLL-55TI	-	RFQ	2481	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS62WV12816	sram-异步	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	128K x 16	平行线	55ns
GD25LE80SIGR	0.4077	RFQ	1722年	gigadevice 半导体（香）	GD25LE	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-sop	-				1970-GD25LE80ESIGRTR			2,000	133 MHz	非易失性	8mbit	6 ns	闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，2.4ms
S80KS5123GABHM020	28.3800	RFQ	5255	Infineon技术	HyperRAM™	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-vbga	S80KS5123	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜2V	24-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0028	338	200 MHz	易挥发的	512Mbit	35 ns	PSRAM	64m x 8	spi -octal I/o	35ns
S26KL256SDABHI020A	7.8800	RFQ	350	赛普拉斯半导体公司	汽车，AEC-Q100，HyperFlash™KL	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-vbga	S26KL256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-fbga（6x8）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B1A	8542.32.0071	1	100 MHz	非易失性	256Mbit	96 ns	闪光	32m x 8	平行线	-
GD25WD20EK6IGR	0.3368	RFQ	6405	gigadevice 半导体（香）	GD25WD	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xfdfn暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜3.6V	8-uson（1.5x1.5）	下载				1970-GD25WD20EK6IGRTR			3,000	104 MHz	非易失性	2Mbit	6 ns	闪光	256K x 8	spi-双i/o	100µs，6ms
IS46QR81024A-083TBLA2	21.5457	RFQ	5636	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46QR81024A-083TBLA2			136	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
NDS73PBE-16ET	3.6404	RFQ	4806	Insignis Technology Corporation	*	托盘	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		1982-NDS73PBE-16ET			190
70P245L90BYGI8	-	RFQ	3538	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-TFBGA	70P245L	sram-双端口，异步	1.7V〜1.9V	100-cabga（6x6）	下载		3（168））			Ear99	8542.32.0041	3,000		易挥发的	64kbit	90 ns	SRAM	4K x 16	平行线	90NS
CAT93C46RVI-GT3	0.1900	RFQ	2	催化剂半导体公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT93C46	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0051	3,000	4 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8，64 x 16	微线	-
7025S55PFI8	-	RFQ	3365	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	7025S55	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0041	750		易挥发的	128kbit	55 ns	SRAM	8k x 16	平行线	55ns
AT25320B-SSHL-B	0.5400	RFQ	192	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT25320	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	20 MHz	非易失性	32kbit		EEPROM	4K x 8	spi	5ms
M25PE40-VMW6TG TR	-	RFQ	7387	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	M25PE40	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SO W	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500	75 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	15ms，3ms
M95080-DWDW4TP/k	0.9400	RFQ	5	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜145°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	M95080	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	20 MHz	非易失性	8kbit		EEPROM	1k x 8	spi	4ms
MTFC64GBCAQTC-AIT TR	22.2750	RFQ	8836	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MTFC64GBCAQTC-AITTR			2,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²