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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
S26361-F3843-L514-C	55.0000	RFQ	5328	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-S26361-F3843-L514-C	Ear99	8473.30.5100	1
MT29F128G08CFABAWP：b	-	RFQ	9973	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
49Y1407-C	35.0000	RFQ	8951	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-49Y1407-C	Ear99	8473.30.5100	1
IS29GL128-70FLEB-TR	4.5047	RFQ	3464	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA		闪存-SLC）	3v〜3.6V	64-LFBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS29GL128-70FLEB-TR			2,000		非易失性	128mbit	70 ns	闪光	16m x 8	CFI	70ns，200µs
MX29GL512GHXFI-10Q	7.3590	RFQ	8342	大元	MX29GL	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA，CSPBGA		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	64-LFBGA，CSP （11x13）	-		3（168））		1092-MX29GL512GHXFI-10Q			144		非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	CFI	100ns
MT40A4G4NRE-083E：b tr	-	RFQ	7097	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A4G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（8x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.2 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	4G x 4	平行线	-
S25FL128SAGBHI310	3.5294	RFQ	9530	Infineon技术	fl-s	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	S25FL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-BGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	676	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	-
W25N512GVEIR	2.1715	RFQ	2821	Winbond电子产品	Spiflash®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	W25N512	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25N512GVEIR	3A991B1A	8542.32.0071	480	166 MHz	非易失性	512Mbit	6 ns	闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
043641wlad-7	47.6400	RFQ	69	IBM	-	大部分	积极的		表面安装	119-BBGA			3.3V	119-BGA（（17x7）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1			4Mbit		SRAM	256K x 18	HSTL
S25FL129P0XMFI000	-	RFQ	6900	Nexperia USA Inc.	-	大部分	过时的								-				2156-S25FL129P0XMFI000			1
70T653MS12BCI	438.4800	RFQ	7332	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	256-LBGA	70T653	sram-双端口，异步	2.4v〜2.6V	256-cabga（17x17）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	6		易挥发的	18mbit	12 ns	SRAM	512k x 36	平行线	12ns
MT29F4T08EULCEM4-QJ：c tr	121.0800	RFQ	8818	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F4T08EULCEM4-QJ：CTR			2,000
93c46-i/j	1.1800	RFQ	5441	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）			93C46	EEPROM	4.5V〜5.5V		下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	64 x 16	微线	2ms
S26361-F3909-E615-C	93.7500	RFQ	6520	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-S26361-F3909-E615-C	Ear99	8473.30.5100	1
CY7C1568V18-400BZXC	-	RFQ	4359	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1568	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件	5（48）（48））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	400 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
MT40A1G16KH-062E自动：e tr	24.0300	RFQ	8754	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（9x13）	下载				557-MT40A1G16KH-062EAUT：ETR			3,000	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 16	荚	15ns
CY62148EV30LL-45ZSXAT	-	RFQ	4413	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	CY62148	sram-异步	2.2v〜3.6V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	512k x 8	平行线	45ns
MT62F512M128D8TE-031 XT：b tr	68.0400	RFQ	3667	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT62F512M128D8TE-031XT：BTR			2,000
W25M02GWTBIG	-	RFQ	4370	Winbond电子产品	Spiflash®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	W25M02	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25M02GWTBIG	3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	非易失性	2Gbit	8 ns	闪光	256m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
S25FL132K0XMFIQ11	-	RFQ	6430	Nexperia USA Inc.	-	大部分	过时的								-				2156-S25FL132K0XMFIQ11			1
71v416ys12phg	-	RFQ	8832	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	71v416y	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	26		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
CY7C1356A-133AI	14.0800	RFQ	664	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1356	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	9Mbit	4.2 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
24AA64SC-I/W16K	-	RFQ	6799	微芯片技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	死	24AA64	EEPROM	1.7V〜5.5V	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	5,000	400 kHz	非易失性	64kbit	900 ns	EEPROM	8k x 8	i²c	5ms
7006L35J8	-	RFQ	6868	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）	7006L35	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.21x24.21）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	250		易挥发的	128kbit	35 ns	SRAM	16k x 8	平行线	35ns
AS4C64M8D2-25BIN	5.9900	RFQ	21	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	AS4C64	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-1129	Ear99	8542.32.0028	264	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MTFC128GBCAVTC-AAT ES	60.4800	RFQ	1573年	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MTFC128GBCAVTC-AATE			1
CY7C1360A1-150AJC	7.0600	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1360	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x20）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
W631GU8NB-15 TR	2.9626	RFQ	1507	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	W631GU8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V，1.425V〜1.575V	78-VFBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GU8NB-15TR	Ear99	8542.32.0032	2,000	667 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
CY14B104N-BA20XC	-	RFQ	6851	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	CY14B104	NVSRAM（SRAM）	2.7V〜3.6V	48-fbga（6x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	299		非易失性	4Mbit	20 ns	NVSRAM	256K x 16	平行线	20NS
IS42S32400B-6B	-	RFQ	4503	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²