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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS43DR16128C-25DBL-TR	6.2016	RFQ	5623	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43DR16128C-25DBL-TR			2,500	400 MHz	易挥发的	2Gbit	400 ns	德拉姆	128m x 16	SSTL_18	15ns
MT60B1G16HC-48B：a tr	16.5750	RFQ	2988	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	102-VFBGA		SDRAM -DDR5	-	102-VFBGA（9x14）	-				557-MT60B1G16HC-48B：ATR			2,000	2.4 GHz	易挥发的	16Gbit	16 ns	德拉姆	1G x 16	荚	-
S29GL01GS11TFB010YZK000	-	RFQ	8322	Infineon技术	汽车，AEC-Q100，GL-S	大部分	上次购买	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	56-tsop	-							1		非易失性	1Gbit	110 ns	闪光	128m x 8	CFI	60ns
mtfc64gasaons-aat	41.4750	RFQ	1319	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	153-TFBGA		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	153-TFBGA（11.5x13）	-				557-mtfc64gasaons-aat			1	52 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	UFS2.1	-
24FC01-E/SN36KVAO	-	RFQ	2005	微芯片技术	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24FC01	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-SOIC	下载			到达不受影响	150-24FC01-E/SN36KVAO	Ear99	8542.32.0051	100	1 MHz	非易失性	1kbit	450 ns	EEPROM	128 x 8	i²c	5ms
FM93C66LVMT8	-	RFQ	8439	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	93C66	EEPROM	2.7V〜5.5V	8-tssop	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	250 kHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 16	微线	15ms
MT29F1T208EGHBBG1-3R：b tr	-	RFQ	2933	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	272-VFBGA	MT29F1T208	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	272-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	333 MHz	非易失性	1.125Tbit		闪光	144g x 8	平行线	-
W25Q40EWSNBG	-	RFQ	5141	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	W25Q40	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-SOIC	-		3（168））	到达不受影响	256-W25Q40EWSNBG	过时的		1	104 MHz	非易失性	4Mbit	6 ns	闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O，QPI	30µs，800µs
MT41K256M8DA-125：k	5.3700	RFQ	29	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K256M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1	800 MHz	易挥发的	2Gbit	13.75 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	-
FM25C040ULEN	0.4400	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	FM25C040	EEPROM	2.7V〜5.5V	8点	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	512 x 8	spi	15ms
M59DR032EA10ZB6	-	RFQ	1663年	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	M59DR032	闪光灯 -也不	1.65V〜2.2V	48-TFBGA（7x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,638		非易失性	32Mbit	100 ns	闪光	2m x 16	平行线	100ns
S70FL01GSDSMFV010	15.2600	RFQ	1966年	Infineon技术	fl-s	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S70FL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,400	80 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O。	-
MT47H128M8SH-25E IT：m tr	3.7664	RFQ	2814	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H128M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT47H128M8SH-25EIT：MTR	Ear99	8542.32.0032	2,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
MT62F1536M64D8EK-023 AIT：b tr	86.2050	RFQ	1195	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	-	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F1536M64D8EK-023AIT：BTR			1,500	4.266 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	1.5GX 64	平行线	-
CY7C1355C-100BGCT	-	RFQ	7211	Infineon技术	NOBL™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA	CY7C1355	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	500	100 MHz	易挥发的	9Mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
SM662GBE最佳	106.4700	RFQ	1299	硅运动，Inc。	Ferri-Emmc®	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	100-LBGA	SM662	Flash -nand（tlc）	-	100-BGA （14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1984-SM662GBE	3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	EMMC	-
S71VS256RD0AHKC00	-	RFQ	8912	Infineon技术	vs-r	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	S71VS256	闪光灯，psram	1.7V〜1.95V	56-VFRBGA（7.7x6.2）	-		3（168））	到达不受影响		过时的		1	108 MHz	非易失性，挥发性	256mbit（flash），128mbit（RAM）		闪光，ram	-	平行线	-
AT28BV256-20SU	12.9300	RFQ	5436	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	AT28BV256	EEPROM	2.7V〜3.6V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	AT28BV25620SU	Ear99	8542.32.0051	27		非易失性	256kbit	200 ns	EEPROM	32K x 8	平行线	10ms
CAT93C46RYI-G	-	RFQ	9266	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	CAT93C46	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	4 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	128 x 8，64 x 16	微线	-
IDT71V3556S133BQG	-	RFQ	9711	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IDT71V3556	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	165-CABGA（13x15）	下载		3（168））	到达不受影响	71V3556S133BQG	3A991B2A	8542.32.0041	136	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
AS4C256M16D3LC-12BCNTR	11.3300	RFQ	2	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	AS4C256	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（7.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,500	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
A2257216-C	125.0000	RFQ	9770	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A2257216-C	Ear99	8473.30.5100	1
70V3399S133BCI8	197.0600	RFQ	5351	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	256-LBGA	70v3399	sram-双端口，同步	3.15V〜3.45V	256-cabga（17x17）	下载	Rohs不合规	4 （72小时）	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	133 MHz	易挥发的	2Mbit	4.2 ns	SRAM	128K x 18	平行线	-
A1837303-C	106.2500	RFQ	9915	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A1837303-C	Ear99	8473.30.5100	1
RMLV0408EGSA-4S2 ＃AA1	12.4500	RFQ	126	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））	RMLV0408	SRAM	2.7V〜3.6V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	234		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	512k x 8	平行线	45ns
W77Q32JWSFIS	1.4697	RFQ	9104	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W77Q32	闪光	1.7V〜1.95V	16-Soic	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				176	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	-	Spi -Quad I/O，QPI	-
DS2432P-W0A+1T	-	RFQ	9531	ADI/MAXIM集成	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	6-SMD，J-Lead	DS2432	EEPROM	2.8V〜5.25V	6-TSOC	-	rohs3符合条件			175-DS2432P-W0A+1TTR	过时的		4,000		非易失性	1kbit	2 µs	EEPROM	1k x 1	1-Wire®	10ms
IS61WV6416EEBLL-10BLI	1.6819	RFQ	6894	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV6416	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	480		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
3TQ35AT-C	28.0000	RFQ	4765	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-3TQ35AT-C	Ear99	8473.30.5100	1
71V35761S183PFGI8	9.1182	RFQ	3819	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	71v35761	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	183 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.3 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²