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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
NV25256MUW3VTBG	2.4600	RFQ	115	Onmi	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	NV25256	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-udfn（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	10 MHz	非易失性	256kbit	40 ns	EEPROM	32K x 8	spi	5ms
CAT25C08V-26735T	0.1400	RFQ	122	Onmi	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT25C08	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-CAT25C08V-26735T-488	Ear99	8542.32.0071	1	10 MHz	非易失性	8kbit	40 ns	EEPROM	1k x 8	spi	5ms
CAT24C64WGI	0.2900	RFQ	1	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT24C64	EEPROM	1.7V〜5.5V	8-SOIC	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	非易失性	64kbit	400 ns	EEPROM	8k x 8	i²c	5ms
IS43LR16320C-5BLI-TR	6.1327	RFQ	5612	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR16320C-5BLI-TR			2,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	32m x 16	lvcmos	15ns
CY7C25632KV18-450BZC	-	RFQ	7724	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C25632	sram-同步，QDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	272	450 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
IS46TR16128DL-107MBLA1-TR	5.1404	RFQ	8120	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16128DL-107MBLA1-TR			1,500	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
S29GL01GP11TFCR20	4.3900	RFQ	114	赛普拉斯半导体公司	gl-p	大部分	过时的	0°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL01	闪光灯 -也不	3v〜3.6V	56-tsop	-	Rohs不合规	不适用	供应商不确定	2832-S29GL01GP11TFCR20	3A991B1A	8542.32.0050	114		非易失性	1Gbit	110 ns	闪光	64m x 16	CFI	110NS	未行业行业经验证
7025L12J8	-	RFQ	3623	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-LCC（j-lead）		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	84-PLCC （29.31x29.31）	-				800-7025L12J8TR			1		易挥发的	128kbit	12 ns	SRAM	8k x 16	平行线	12ns
W25N512GWBIT	-	RFQ	7410	Winbond电子产品	Spiflash®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	W25N512	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25N512GWBIT	3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	非易失性	512Mbit	7 ns	闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
mtfc128gasaons-at	67.0200	RFQ	5169	微米技术公司	汽车，AEC-Q104	盒子	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	153-TFBGA		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	153-TFBGA（11.5x13）	-				557-MTFC128GASAONS-AIT			1	52 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	UFS2.1	-
MT62F2G64D8EK-023 AUT：c	145.4250	RFQ	8853	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT62F2G64D8EK-023AUT：c			1
IS49RL18320-125FBL	-	RFQ	8407	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	168-LBGA		rldram 3	1.28V〜1.42V	168-FBGA（（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49RL18320-125FBL	过时的		1	800 MHz	易挥发的	576Mbit	8 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
604502-B21-C	62.5000	RFQ	5875	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-604502-B21-C	Ear99	8473.30.5100	1
M28W320FCT70ZB6E	-	RFQ	1031	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	47-TFBGA	M28W320	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	47-TFBGA（6.39x6.37）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,380		非易失性	32Mbit	70 ns	闪光	2m x 16	平行线	70NS
R1Q3A7236ABA-33IB0	22.9600	RFQ	509	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
IS46TR16640C-107MBLA2-TR	3.8590	RFQ	4841	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16640C-107MBLA2-TR			1,500	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
S25FL128SDSMFBG13	4.1125	RFQ	5385	Infineon技术	fl-s	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	S25FL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,450	80 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	-
7034L12PF	-	RFQ	8671	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	上次购买	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	100-TQFP（14x14）	-				800-7034L12PF			1		易挥发的	72kbit	12 ns	SRAM	4K x 18	平行线	12ns
AT24C11Y1-10YU-1.8	-	RFQ	2639	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-UFDFN暴露垫	AT24C11	EEPROM	1.8V〜5.5V	8（2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	120	1 MHz	非易失性	1kbit	550 ns	EEPROM	128 x 8	i²c	5ms
IS42S16320B-6BL-TR	-	RFQ	1223	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-WBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,000	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS49NLC18160A-25EWBL	29.0237	RFQ	5461	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC18160	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLC18160A-25EWBL			104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	15 ns	德拉姆	16m x 18	HSTL	-
S34ML02G200GHI000	-	RFQ	9075	Skyhigh Memory Limited	-	托盘	在sic中停产				S34ML02				-	Rohs符合条件	3（168））		2120-S34ML02G200GHI000	3A991B1A	8542.32.0071	260									未行业行业经验证
SM671-PEA-ADSS	-	RFQ	3011	硅运动，Inc。	Ferri-Ufs™	托盘	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	153-TFBGA	SM671	Flash -nand（slc），闪光灯-NAND（tlc）	-	153-BGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））		1984-SM671PEA-ADSS	过时的		1		非易失性	40Gbit		闪光	5g x 8	UFS2.1	-
MR25H256AMDFR	8.5386	RFQ	9234	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H256	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN-EP，小国旗（5x6）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR25H256AMDFRTR	Ear99	8542.32.0071	4,000	40 MHz	非易失性	256kbit	9 ns	内存	32K x 8	spi	-
CY7C0851AV-167AXC	-	RFQ	6452	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	176-LQFP	CY7C0851	sram-双端口，同步	3.135V〜3.465V	176-TQFP（24x24）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	40	167 MHz	易挥发的	2Mbit		SRAM	64k x 36	平行线	-
6116LA45SOGI	-	RFQ	7517	IDT，Integrated Device Technology Inc	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	6116LA	sram-异步	4.5V〜5.5V	24-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	16kbit	45 ns	SRAM	2k x 8	平行线	45ns
W632GU8NB-15	4.6611	RFQ	3263	Winbond电子产品	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	W632GU8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-VFBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	242	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
1787 Tr	59.8650	RFQ	8903	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-1787Tr			2,000
AS4C512M16D3LC-10BCN	21.8600	RFQ	190	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1450-AS4C512M16D3LC-10BCN			190	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
7130SA20J8	-	RFQ	9546	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	7130SA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	400		易挥发的	8kbit	20 ns	SRAM	1k x 8	平行线	20NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²