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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
SNPVT8FPC/4G-C ProLabs SNPVT8FPC/4G-C 19.7500
RFQ
ECAD 3994 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-SNPVT8FPC/4G-C Ear99 8473.30.5100 1
EDF8132A3PB-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF8132A3PB-GD-FD -
RFQ
ECAD 9321 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 - EDF8132 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v 216-WFBGA(12x12) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,680 800 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 256m x 32 平行线 -
S25FL064LABMFA000 Nexperia USA Inc. S25FL064LABMFA000 -
RFQ
ECAD 5119 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 大部分 积极的 - 2156-S25FL064LABMFA000 1
IDT71V3556S100BQI Renesas Electronics America Inc IDT71V3556S100BQI -
RFQ
ECAD 9271 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IDT71V3556 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 165-CABGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 71V3556S100BQI 3A991B2A 8542.32.0041 136 100 MHz 易挥发的 4.5mbit 5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
IDT71V256SA20YI Renesas Electronics America Inc IDT71V256SA20YI -
RFQ
ECAD 2082 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) IDT71V256 sram-异步 3v〜3.6V 28-soj 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 71V256SA20YI Ear99 8542.32.0041 27 易挥发的 256kbit 20 ns SRAM 32K x 8 平行线 20NS
70V7519S133BCI8 Renesas Electronics America Inc 70V7519S133BCI8 236.6390
RFQ
ECAD 1668年 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 256-LBGA 70v7519 sram-双端口,同步 3.15V〜3.45V 256-cabga(17x17) 下载 Rohs不合规 4 (72小时) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 133 MHz 易挥发的 9Mbit 4.2 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
IS45S16320F-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7BLA2 15.8813
RFQ
ECAD 1049 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS45S16320 Sdram 3v〜3.6V 54-TW-BGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 240 143 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 -
CG6059ATT Cypress Semiconductor Corp CG6059ATT -
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ECAD 3615 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 1
DS28E02Q-W01+2T ADI/Maxim Integrated DS28E02Q-W01+2T -
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ECAD 9838 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -20°C〜85°C(TA) 表面安装 6-WDFN暴露垫 DS28E02 EEPROM 1.75V〜3.65V 6-TDFN (3x3) - rohs3符合条件 175-DS28E02Q-W01+2TTR 过时的 1,000 非易失性 1kbit 2 µs EEPROM 256 x 4 1-Wire® 25ms
MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCBBH1-10:b tr -
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ECAD 1687年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
48L256-I/SN Microchip Technology 48L256-i/sn -
RFQ
ECAD 2449 0.00000000 微芯片技术 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 48L256 Eeprom,Sram 2.7V〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 150-48L256-i/sn Ear99 8542.32.0051 100 66 MHz 非易失性 256kbit 埃拉姆 32K x 8 spi -
M29W400FT55N3E Micron Technology Inc. M29W400FT55N3E -
RFQ
ECAD 1283 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29W400 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 96 非易失性 4Mbit 55 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 55ns
PC28F128P33TF60A Alliance Memory, Inc. PC28F128P33TF60A 5.4000
RFQ
ECAD 8317 0.00000000 联盟记忆,Inc。 Strataflash™ 托盘 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 64-TBGA 闪存 - 或MLC) 2.3v〜3.6V 64- Easybga(10x13) - 3(168)) 1450-PC28F128P33TF60A 300 52 MHz 非易失性 128mbit 60 ns 闪光 8m x 16 CFI -
MTFC32GAPALGT-AIT Micron Technology Inc. mtfc32gapalgt-ait -
RFQ
ECAD 3412 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 上次购买 -40°C〜85°C(TA) mtfc32g 闪存-NAND - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFC32GAPALGT-AIT 8542.32.0071 1,520 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
MX25LW51245GXDI00 Macronix MX25LW51245GXDI00 7.4700
RFQ
ECAD 7426 0.00000000 大元 Octabus™ 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA,CSPBGA 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 24-cspbga(6x8) - 3(168)) 1092-MX25LW51245GXDI00 480 133 MHz 非易失性 512Mbit 5.2 ns 闪光 64m x 8,512m x 1 Spi-八分之一,Dtr 750µs
IS45S32200L-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200L-7BLA2 6.3035
RFQ
ECAD 3933 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS45S32200 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
CY7C1021B-15ZXIT Infineon Technologies CY7C1021B-15ZXIT -
RFQ
ECAD 8747 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) CY7C1021 sram-异步 4.5V〜5.5V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 500 易挥发的 1Mbit 15 ns SRAM 64k x 16 平行线 15ns
7016S12J8 Renesas Electronics America Inc 7016S12J8 -
RFQ
ECAD 9691 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 68-LCC(j-lead) 7016S12 sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 68-PLCC (24.21x24.21) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 250 易挥发的 144kbit 12 ns SRAM 16k x 9 平行线 12ns
CY62137FV30LL-45ZSXIT Cypress Semiconductor Corp CY62137FV30LL-45ZSXIT 5.6500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 MOBL® 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) CY62137 sram-异步 2.2v〜3.6V 44-TSOP II 下载 54 易挥发的 2Mbit 45 ns SRAM 128K x 16 平行线 45ns 未行业行业经验证
R1RW0404DGE-2PR#B0 Renesas Electronics America Inc R1RW0404DGE-2PR #B0 -
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ECAD 9763 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 - 不适用 3(168)) 供应商不确定 1
MT25TU256HBA8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TU256HBA8ESF-0SIT TR -
RFQ
ECAD 1938年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT53E128M32D2FW-046 AUT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 AUT:A TR 8.7450
RFQ
ECAD 8649 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - 557-MT53E128M32D2FW-046AUT:ATR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 4Gbit 3.5 ns 德拉姆 128m x 32 平行线 18NS
X28HC256JIZ-15 Renesas Electronics America Inc X28HC256JIZ-15 39.4287
RFQ
ECAD 1360 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-lcc(j-lead) X28HC256 EEPROM 4.5V〜5.5V 32-PLCC (11.43x13.97) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 30 非易失性 256kbit 150 ns EEPROM 32K x 8 平行线 5ms
GS81302T18GE-350I GSI Technology Inc. GS81302T18GE-350I 220.9200
RFQ
ECAD 4549 0.00000000 GSI Technology Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜100°C(TJ) 表面安装 165-LBGA GS81302T18 sram-四边形端口,同步,DDR II 1.7V〜1.9V 165-FPBGA(15x17) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2364-GS81302T18GE-350I 3A991B2B 8542.32.0041 10 350 MHz 易挥发的 144Mbit SRAM 8m x 18 平行线 -
7140SA45FB Renesas Electronics America Inc 7140SA45FB -
RFQ
ECAD 4284 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 - 到达不受影响 800-7140SA45FB 过时的 1
MT53D1G32D4NQ-062 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1G32D4NQ-062 WT ES:d -
RFQ
ECAD 5694 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -30°C〜85°C(TC) MT53D1G32 sdram- lpddr4 1.1V - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,360 1.6 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 - -
FM25VN05-G Ramtron FM25VN05-G 7.8000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 拉姆特隆 * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8542.32.0071 1
S70KL1282DPBHA020 Infineon Technologies S70KL1282DPBHA020 8.2250
RFQ
ECAD 1750 0.00000000 Infineon技术 HyperRAM™KL 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-vbga PSRAM (伪 SRAM) 2.7V〜3.6V 24-fbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B2A 8542.32.0041 3,380 166 MHz 易挥发的 128mbit 36 NS PSRAM 16m x 8 超肥 36ns
AS4C128M32MD2A-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M32MD2A-25BINTR 10.5000
RFQ
ECAD 4104 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-VFBGA AS4C128 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v 134-FBGA (10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 400 MHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 平行线 15ns
SM662GXD BFST Silicon Motion, Inc. SM662GXD BFST 44.9200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 硅运动,Inc。 Ferri-Emmc® 托盘 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 100-LBGA SM662 Flash -nand(slc),闪光灯-NAND(tlc) - 100-BGA (14x18) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 980 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 EMMC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库