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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | SNPVT8FPC/4G-C | 19.7500 | ![]() | 3994 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-SNPVT8FPC/4G-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | EDF8132A3PB-GD-FD | - | ![]() | 9321 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | - | EDF8132 | sdram- lpddr3 | 1.14v〜1.95v | 216-WFBGA(12x12) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,680 | 800 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 256m x 32 | 平行线 | - | |||||
![]() | S25FL064LABMFA000 | - | ![]() | 5119 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S25FL064LABMFA000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IDT71V3556S100BQI | - | ![]() | 9271 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IDT71V3556 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V3556S100BQI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 100 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||
IDT71V256SA20YI | - | ![]() | 2082 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | IDT71V256 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 28-soj | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 71V256SA20YI | Ear99 | 8542.32.0041 | 27 | 易挥发的 | 256kbit | 20 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 20NS | ||||
70V7519S133BCI8 | 236.6390 | ![]() | 1668年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 256-LBGA | 70v7519 | sram-双端口,同步 | 3.15V〜3.45V | 256-cabga(17x17) | 下载 | Rohs不合规 | 4 (72小时) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | IS45S16320F-7BLA2 | 15.8813 | ![]() | 1049 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS45S16320 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TW-BGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 143 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | CG6059ATT | - | ![]() | 3615 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | DS28E02Q-W01+2T | - | ![]() | 9838 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -20°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | DS28E02 | EEPROM | 1.75V〜3.65V | 6-TDFN (3x3) | - | rohs3符合条件 | 175-DS28E02Q-W01+2TTR | 过时的 | 1,000 | 非易失性 | 1kbit | 2 µs | EEPROM | 256 x 4 | 1-Wire® | 25ms | ||||||
![]() | MT29F64G08CBCBBH1-10:b tr | - | ![]() | 1687年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-vbga | MT29F64G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | 48L256-i/sn | - | ![]() | 2449 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 48L256 | Eeprom,Sram | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 150-48L256-i/sn | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 66 MHz | 非易失性 | 256kbit | 埃拉姆 | 32K x 8 | spi | - | ||||
![]() | M29W400FT55N3E | - | ![]() | 1283 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | M29W400 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 4Mbit | 55 ns | 闪光 | 512k x 8,256k x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | PC28F128P33TF60A | 5.4000 | ![]() | 8317 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | Strataflash™ | 托盘 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 64-TBGA | 闪存 - 或MLC) | 2.3v〜3.6V | 64- Easybga(10x13) | - | 3(168)) | 1450-PC28F128P33TF60A | 300 | 52 MHz | 非易失性 | 128mbit | 60 ns | 闪光 | 8m x 16 | CFI | - | |||||||
![]() | mtfc32gapalgt-ait | - | ![]() | 3412 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -40°C〜85°C(TA) | mtfc32g | 闪存-NAND | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MTFC32GAPALGT-AIT | 8542.32.0071 | 1,520 | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | MMC | - | ||||||||
MX25LW51245GXDI00 | 7.4700 | ![]() | 7426 | 0.00000000 | 大元 | Octabus™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA,CSPBGA | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 24-cspbga(6x8) | - | 3(168)) | 1092-MX25LW51245GXDI00 | 480 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 5.2 ns | 闪光 | 64m x 8,512m x 1 | Spi-八分之一,Dtr | 750µs | ||||||||
![]() | IS45S32200L-7BLA2 | 6.3035 | ![]() | 3933 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS45S32200 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 2m x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | CY7C1021B-15ZXIT | - | ![]() | 8747 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1021 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | 7016S12J8 | - | ![]() | 9691 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 68-LCC(j-lead) | 7016S12 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 250 | 易挥发的 | 144kbit | 12 ns | SRAM | 16k x 9 | 平行线 | 12ns | ||||
![]() | CY62137FV30LL-45ZSXIT | 5.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY62137 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 54 | 易挥发的 | 2Mbit | 45 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | R1RW0404DGE-2PR #B0 | - | ![]() | 9763 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT25TU256HBA8ESF-0SIT TR | - | ![]() | 1938年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | ||||||||||||||||||
MT53E128M32D2FW-046 AUT:A TR | 8.7450 | ![]() | 8649 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06V〜1.17V | 200-tfbga(10x14.5) | - | 557-MT53E128M32D2FW-046AUT:ATR | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | 平行线 | 18NS | |||||||||
X28HC256JIZ-15 | 39.4287 | ![]() | 1360 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | X28HC256 | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 30 | 非易失性 | 256kbit | 150 ns | EEPROM | 32K x 8 | 平行线 | 5ms | |||||
GS81302T18GE-350I | 220.9200 | ![]() | 4549 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜100°C(TJ) | 表面安装 | 165-LBGA | GS81302T18 | sram-四边形端口,同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FPBGA(15x17) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2364-GS81302T18GE-350I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 350 MHz | 易挥发的 | 144Mbit | SRAM | 8m x 18 | 平行线 | - | ||||
![]() | 7140SA45FB | - | ![]() | 4284 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | - | 到达不受影响 | 800-7140SA45FB | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT53D1G32D4NQ-062 WT ES:d | - | ![]() | 5694 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | MT53D1G32 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | - | - | |||||||||
![]() | FM25VN05-G | 7.8000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 拉姆特隆 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S70KL1282DPBHA020 | 8.2250 | ![]() | 1750 | 0.00000000 | Infineon技术 | HyperRAM™KL | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | PSRAM (伪 SRAM) | 2.7V〜3.6V | 24-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 3,380 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 36 NS | PSRAM | 16m x 8 | 超肥 | 36ns | |||||
![]() | AS4C128M32MD2A-25BINTR | 10.5000 | ![]() | 4104 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-VFBGA | AS4C128 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.95v | 134-FBGA (10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 128m x 32 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | SM662GXD BFST | 44.9200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 硅运动,Inc。 | Ferri-Emmc® | 托盘 | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 100-LBGA | SM662 | Flash -nand(slc),闪光灯-NAND(tlc) | - | 100-BGA (14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 非易失性 | 1Tbit | 闪光 | 128g x 8 | EMMC | - |
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