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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
UPD44325362BF5-E40-FQ1	57.0300	RFQ	60	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-FBGA	UPD44325362	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	4NS
MT29F512G08EBHBFJ4-T：b tr	-	RFQ	5259	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F512G08	Flash -nand（tlc）	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-		3（168））	到达不受影响	557-MT29F512G08EBHBFJ4-T：BTR	过时的	8542.32.0071	2,000		非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
CY7C1361S-133AXCT	-	RFQ	6380	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1361	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	750	133 MHz	易挥发的	9Mbit	6.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT29F4G16ABADAWP：d	-	RFQ	5083	微米技术公司	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F4G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	4Gbit		闪光	256m x 16	平行线	-
STK22C48-NF25I	-	RFQ	7125	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	STK22C48	NVSRAM（SRAM）	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	27		非易失性	16kbit	25 ns	NVSRAM	2k x 8	平行线	25ns
CY7C199CNL-15VXC	-	RFQ	5803	Infineon技术	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	CY7C199	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-soj	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,350		易挥发的	256kbit	15 ns	SRAM	32K x 8	平行线	15ns
H5AN4G8NBJR-XNC	-	RFQ	7156	Netlist Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-	Rohs符合条件	3（168））	到达受影响	2655-H5AN4G8NBJR-XNCTR	Ear99	8542.32.0036	1	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	-
MT62F1G32D2DS-023 AUT：b tr	36.7350	RFQ	8387	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D2DS-023AUT：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
S29GL01GT12TFN010	-	RFQ	6161	赛普拉斯半导体公司	GL-T	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载							1		非易失性	1Gbit	120 ns	闪光	128m x 8	平行线	60ns	未行业行业经验证
CAT93C86V-TE13	0.2500	RFQ	2	Onmi	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT93C86	EEPROM	2.5V〜5.5V	8-SOIC	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-CAT93C86V-TE13-488	Ear99	8542.32.0071	1	3 MHz	非易失性	16kbit	100 ns	EEPROM	1k x 16，2k x 8	微线	-
mtfc64gapalgt-aat	-	RFQ	2879	微米技术公司	-	大部分	上次购买	-40°C〜105°C（TA）			MTFC64	闪存-NAND	-		-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-mtfc64gapalgt-aat		8542.32.0071	1,520		非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	MMC	-
IDT71T016SA15PHG8	-	RFQ	5355	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IDT71T016	sram-异步	2.375V〜2.625V	44-TSOP II	下载		3（168））	到达不受影响	71T016SA15PHG8	3A991B2B	8542.32.0041	1,500		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
CY7C1308SV25C-167BZXC	-	RFQ	2405	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1308	Sram-同步，Ddr	2.4v〜2.6V	165-FBGA（13x15）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-CY7C1308SV25C-167BZXC	3A991B2A	8542.32.0041	136	167 MHz	易挥发的	9Mbit		SRAM	256K x 36	平行线	-
W25M02GVSFJT	-	RFQ	5407	Winbond电子产品	Spiflash®	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	W25M02	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W25M02GVSFJT	过时的		44	104 MHz	非易失性	2Gbit	7 ns	闪光	256m x 8	Spi -Quad I/O。	700µs
UPD44325362BF5-E40-FQ1-A	57.0300	RFQ	515	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-FBGA	UPD44325362	Sram-同步，QDR II	1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	1	250 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	4NS
AS4C256M16D3LC-12BCN	11.2300	RFQ	5	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	AS4C256	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（7.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS4C256M16D3LC-12BCN	Ear99	8542.32.0036	209	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
AM27S47A/BUA	147.9100	RFQ	56	高级微型设备	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TC）	表面安装	32-CLCC	AM27S47A	-	4.5V〜5.5V	32-CLCC	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A001A2C	8542.32.0071	1		非易失性	16kbit	45 ns	舞会	2k x 8	平行线	-
S27KL0642GABHM020	6.0375	RFQ	2526	Infineon技术	HyperRAM™KL	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-vbga		PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	24-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B2	8542.32.0041	3,380	200 MHz	易挥发的	64mbit	35 ns	PSRAM	8m x 8	超肥	35ns
5962-9089904MUA	112.4600	RFQ	1	英特尔	M28F010	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TC）	表面安装	32-CFLATPACK		闪光	4.5V〜5.5V	32-CFLATPACK	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A001A2C	8542.32.0071	1		非易失性	1Mbit	120 ns	闪光	128K x 8	平行线	-
CY62136VNLL-70ZXI	1.4700	RFQ	249	赛普拉斯半导体公司	MOBL®	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY62136	sram-异步	2.7V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	2Mbit	70 ns	SRAM	128K x 16	平行线	70NS
NS24LS256C4JYTRG	-	RFQ	2591	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	4-XFBGA，WLCSP				4-WLCSP（1x1）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-NS24LS256C4JYTRGTR	过时的		5,000
FM93C56AM8	-	RFQ	8706	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93c56a	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1	1 MHz	非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8，128 x 16	微线	10ms
93AA66BT-I/MNY	0.4050	RFQ	1691年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	93AA66	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tdfn （2x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,300	2 MHz	非易失性	4Kbit		EEPROM	256 x 16	微线	6ms
71V65803S150BGI	28.5570	RFQ	4135	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	71v65803	sram-同步，SDR（ZBT）	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	150 MHz	易挥发的	9Mbit	3.8 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
A2537142-C	106.2500	RFQ	6435	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-A2537142-C	Ear99	8473.30.5100	1
IS46TR16128AL-15HBLA2	-	RFQ	7844	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
AT28HC256-70JU	15.1000	RFQ	6	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	32-lcc（j-lead）	AT28HC256	EEPROM	4.5V〜5.5V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	AT28HC25670JU	Ear99	8542.32.0051	32		非易失性	256kbit	70 ns	EEPROM	32K x 8	平行线	10ms
M29W400FB5AN6E	-	RFQ	6642	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W400	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0071	96		非易失性	4Mbit	55 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	55ns
C-MEM-16GB-DDR4-2400-C	166.2500	RFQ	4051	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-MEM-16GB-DDR4-2400-C	Ear99	8473.30.5100	1
S29GL01GS11FHB020	17.5350	RFQ	8324	Infineon技术	GL-S	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL01	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	900		非易失性	1Gbit	110 ns	闪光	64m x 16	平行线	60ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²