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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
GD5F1GM7UEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GM7UEWIGY 2.0685
RFQ
ECAD 9754 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 8-wson(5x6) 下载 1970-GD5F1GM7UEWIGY 5,700 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O,Dtr 600µs
STK17TA8-RF45 Cypress Semiconductor Corp STK17TA8-RF45 19.5000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-bessop(0.295英寸,7.50mm宽度) STK17TA8 NVSRAM(SRAM) 2.7V〜3.6V 48-SSOP 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.32.0041 16 非易失性 1Mbit 45 ns NVSRAM 128K x 8 平行线 45ns 未行业行业经验证
AS4C8M16S-6TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16S-6TCNTR -
RFQ
ECAD 8756 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) AS4C8M16 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 易挥发的 128mbit 5 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 2NS
MT29F2T08EMLEEJ4-QC:E TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-QC:e tr 52.9800
RFQ
ECAD 6135 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QC:ETR 2,000
GD25LQ128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128 EWIGR 2.3000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25LQ128 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-wson(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs,2.4ms
CAT25C64V onsemi CAT25C64V -
RFQ
ECAD 2841 0.00000000 Onmi * 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) CAT25C64 EEPROM 2.5V〜6V 8-SOIC - Rohs不合规 供应商不确定 2156-CAT25C64V-488 Ear99 8542.32.0071 1 5 MHz 非易失性 64kbit 100 ns EEPROM 8k x 8 spi 5ms
GD5F2GQ5UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYIGY 3.9235
RFQ
ECAD 6089 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD5F2GQ5UEYIGY 4,800 104 MHz 非易失性 2Gbit 9 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
CAT25160VP2IGT3C onsemi CAT25160VP2IGT3C -
RFQ
ECAD 9576 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WFDFN暴露垫 CAT25160 EEPROM 1.8V〜5.5V 8-tdfn (2x3) - (1 (无限) 到达不受影响 488-CAT25160VP2IGT3CTR 过时的 3,000 10 MHz 非易失性 16kbit EEPROM 2k x 8 spi 5ms
CG8896AA Infineon Technologies CG8896AA -
RFQ
ECAD 9500 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 在sic中停产 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1
IS25WP01G-RILA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP01G-RILA3 13.3836
RFQ
ECAD 7343 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-LBGA 闪存-SLC) 1.7V〜1.95V 24-LFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25WP01G-RILA3 480 104 MHz 非易失性 1Gbit 10 ns 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
MB85RS256TYPNF-GS-AWE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS256TYPNF-GS-AWE2 3.1288
RFQ
ECAD 9201 0.00000000 Kaga Fei America,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MB85RS256 fram (铁电 ram) 1.8v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 865-MB85RS256TYPNF-GS-AWE2TR Ear99 8542.32.0071 85 33 MHz 非易失性 256kbit 13 ns 框架 32K x 8 spi -
70914S25PFGI Renesas Electronics America Inc 70914S25PFGI -
RFQ
ECAD 8943 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 80-LQFP 70914 sram-双端口,同步 4.5V〜5.5V 80-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 易挥发的 36kbit 25 ns SRAM 4K x 9 平行线 -
S25FL064P0XMFI003 Infineon Technologies S25FL064P0XMFI003 -
RFQ
ECAD 8831 0.00000000 Infineon技术 fl-p 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) S25FL064 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 104 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 5µs,3ms
CY7C187-25VCT Cypress Semiconductor Corp CY7C187-25VCT 1.7100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 24-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) CY7C187 sram-异步 4.5V〜5.5V 24-SOJ 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 Ear99 8542.32.0041 1,000 易挥发的 64kbit 25 ns SRAM 64k x 1 平行线 25ns
CY7C1041DV33-10BVXI Cypress Semiconductor Corp CY7C1041DV33-10BVXI 11.9400
RFQ
ECAD 22 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-VFBGA CY7C1041 sram-异步 3v〜3.6V 48-VFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 2832-CY7C1041DV33-10BVXI 45 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS 未行业行业经验证
C-1333D3DRLPR/16G-TAA ProLabs C-1333D3DRLPR/16G-TAA 100.0000
RFQ
ECAD 3957 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-C-1333D3DRLPR/16G-TAA Ear99 8473.30.5100 1
24CS512T-E/OT66KVAO Microchip Technology 24CS512T-E/OT66KVAO -
RFQ
ECAD 3000 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 SC-74A,SOT-753 24CS512 EEPROM 1.7V〜5.5V SOT-23-5 下载 到达不受影响 150-24CS512T-E/OT66KVAOTR Ear99 8542.32.0051 3,000 3.4 MHz 非易失性 512kbit 400 ns EEPROM 64k x 8 i²c 5ms
IS49NLS18160A-25WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160A-25WBL 27.7833
RFQ
ECAD 1384 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS49NLS18160A-25WBL 104 400 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 16m x 18 HSTL -
CY7C0852AV-133AXI Infineon Technologies CY7C0852AV-133AXI -
RFQ
ECAD 9630 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 176-LQFP CY7C0852 sram-双端口,同步 3.135V〜3.465V 176-TQFP(24x24) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 40 133 MHz 易挥发的 4.5mbit SRAM 128K x 36 平行线 -
CY7C1049G18-15ZSXI Cypress Semiconductor Corp CY7C1049G18-15ZSXI -
RFQ
ECAD 2684 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) CY7C1049 sram-异步 1.65V〜2.2V 44-TSOP II 下载 1 易挥发的 4Mbit 15 ns SRAM 512k x 8 平行线 15ns 未行业行业经验证
S29GL064S80DHIV10 Nexperia USA Inc. S29GL064S80DHIV10 2.8900
RFQ
ECAD 260 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 大部分 积极的 - 2156-S29GL064S80DHIV10 104
71V3556SA133BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3556SA133BG 10.1900
RFQ
ECAD 527 0.00000000 IDT,Integrated Device Technology Inc - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 119-BGA 71v3556 sram-同步,SDR(ZBT) 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 4.2 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
CG10081AFT Infineon Technologies CG10081AFT 3.5785
RFQ
ECAD 1232 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 1,000
70V9279S9PRFI Renesas Electronics America Inc 70v9279s9prfi -
RFQ
ECAD 7338 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 128-LQFP 70v9279 sram-双端口,同步 3v〜3.6V 128-TQFP(14x20) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 6 易挥发的 512kbit 9 ns SRAM 32k x 16 平行线 -
IS64LF12836EC-7.5B3LA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF12836EC-7.5B3LA3 11.4523
RFQ
ECAD 6890 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS64LF12836 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 MHz 易挥发的 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
AT45DB321E-MWHF-T Adesto Technologies AT45DB321E-MWHF-T 4.4500
RFQ
ECAD 3248 0.00000000 Adesto Technologies - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 8-vdfn暴露垫 AT45DB321 闪光 2.3v〜3.6V 8-vdfn(6x8) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 85 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 528 x 8192页 spi 8µs,4ms
CY7C1440AV33-250AXCT Cypress Semiconductor Corp CY7C1440AV33-250AXCT 52.9300
RFQ
ECAD 220 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 * 大部分 积极的 下载 供应商不确定 到达不受影响 2156-CY7C1440AV33-250AXCT-428 1
S99AL032DU Infineon Technologies S99AL032DU -
RFQ
ECAD 8310 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
CAT28C16AWI-12T onsemi CAT28C16AWI-12T -
RFQ
ECAD 8236 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) CAT28C16 EEPROM 4.5V〜5.5V 24-Soic 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 1,000 非易失性 16kbit 120 ns EEPROM 2k x 8 平行线 5ms
MT47H64M8B6-25:D TR Micron Technology Inc. MT47H64M8B6-25:D Tr -
RFQ
ECAD 8921 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0024 1,000 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库