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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | GD5F1GM7UEWIGY | 2.0685 | ![]() | 9754 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD5F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson(5x6) | 下载 | 1970-GD5F1GM7UEWIGY | 5,700 | 133 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 7 ns | 闪光 | 256m x 4 | Spi -Quad I/O,Dtr | 600µs | ||||||||
![]() | STK17TA8-RF45 | 19.5000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-bessop(0.295英寸,7.50mm宽度) | STK17TA8 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-SSOP | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 16 | 非易失性 | 1Mbit | 45 ns | NVSRAM | 128K x 8 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | AS4C8M16S-6TCNTR | - | ![]() | 8756 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | AS4C8M16 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | 2NS | |||
![]() | MT29F2T08EMLEEJ4-QC:e tr | 52.9800 | ![]() | 6135 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QC:ETR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | GD25LQ128 EWIGR | 2.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD25LQ128 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-wson(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 128mbit | 7 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 60µs,2.4ms | |||
CAT25C64V | - | ![]() | 2841 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CAT25C64 | EEPROM | 2.5V〜6V | 8-SOIC | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-CAT25C64V-488 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 5 MHz | 非易失性 | 64kbit | 100 ns | EEPROM | 8k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | GD5F2GQ5UEYIGY | 3.9235 | ![]() | 6089 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD5F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | 1970-GD5F2GQ5UEYIGY | 4,800 | 104 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 9 ns | 闪光 | 256m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 600µs | ||||||||
CAT25160VP2IGT3C | - | ![]() | 9576 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | CAT25160 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 488-CAT25160VP2IGT3CTR | 过时的 | 3,000 | 10 MHz | 非易失性 | 16kbit | EEPROM | 2k x 8 | spi | 5ms | ||||||
![]() | CG8896AA | - | ![]() | 9500 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 在sic中停产 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | IS25WP01G-RILA3 | 13.3836 | ![]() | 7343 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-LBGA | 闪存-SLC) | 1.7V〜1.95V | 24-LFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WP01G-RILA3 | 480 | 104 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 10 ns | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms | ||||||
![]() | MB85RS256TYPNF-GS-AWE2 | 3.1288 | ![]() | 9201 | 0.00000000 | Kaga Fei America,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MB85RS256 | fram (铁电 ram) | 1.8v〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 865-MB85RS256TYPNF-GS-AWE2TR | Ear99 | 8542.32.0071 | 85 | 33 MHz | 非易失性 | 256kbit | 13 ns | 框架 | 32K x 8 | spi | - | |||
![]() | 70914S25PFGI | - | ![]() | 8943 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 80-LQFP | 70914 | sram-双端口,同步 | 4.5V〜5.5V | 80-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 易挥发的 | 36kbit | 25 ns | SRAM | 4K x 9 | 平行线 | - | ||||
![]() | S25FL064P0XMFI003 | - | ![]() | 8831 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-p | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FL064 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 104 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 5µs,3ms | ||||
![]() | CY7C187-25VCT | 1.7100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 24-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C187 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 24-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 64kbit | 25 ns | SRAM | 64k x 1 | 平行线 | 25ns | ||||
![]() | CY7C1041DV33-10BVXI | 11.9400 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY7C1041 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-CY7C1041DV33-10BVXI | 45 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | C-1333D3DRLPR/16G-TAA | 100.0000 | ![]() | 3957 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-C-1333D3DRLPR/16G-TAA | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
24CS512T-E/OT66KVAO | - | ![]() | 3000 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | 24CS512 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | SOT-23-5 | 下载 | 到达不受影响 | 150-24CS512T-E/OT66KVAOTR | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 3.4 MHz | 非易失性 | 512kbit | 400 ns | EEPROM | 64k x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | IS49NLS18160A-25WBL | 27.7833 | ![]() | 1384 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-twbga(11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49NLS18160A-25WBL | 104 | 400 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 16m x 18 | HSTL | - | |||||
![]() | CY7C0852AV-133AXI | - | ![]() | 9630 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 176-LQFP | CY7C0852 | sram-双端口,同步 | 3.135V〜3.465V | 176-TQFP(24x24) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 40 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | CY7C1049G18-15ZSXI | - | ![]() | 2684 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1049 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 44-TSOP II | 下载 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | S29GL064S80DHIV10 | 2.8900 | ![]() | 260 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S29GL064S80DHIV10 | 104 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 71V3556SA133BG | 10.1900 | ![]() | 527 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v3556 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||||||
![]() | CG10081AFT | 3.5785 | ![]() | 1232 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 70v9279s9prfi | - | ![]() | 7338 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 128-LQFP | 70v9279 | sram-双端口,同步 | 3v〜3.6V | 128-TQFP(14x20) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | 易挥发的 | 512kbit | 9 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | IS64LF12836EC-7.5B3LA3 | 11.4523 | ![]() | 6890 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS64LF12836 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 7.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | AT45DB321E-MWHF-T | 4.4500 | ![]() | 3248 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | AT45DB321 | 闪光 | 2.3v〜3.6V | 8-vdfn(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 85 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 528 x 8192页 | spi | 8µs,4ms | ||||
![]() | CY7C1440AV33-250AXCT | 52.9300 | ![]() | 220 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-CY7C1440AV33-250AXCT-428 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | S99AL032DU | - | ![]() | 8310 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | CAT28C16AWI-12T | - | ![]() | 8236 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | CAT28C16 | EEPROM | 4.5V〜5.5V | 24-Soic | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1,000 | 非易失性 | 16kbit | 120 ns | EEPROM | 2k x 8 | 平行线 | 5ms | |||||
![]() | MT47H64M8B6-25:D Tr | - | ![]() | 8921 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 60-FBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns |
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