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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS25LP016D-JULE-TR | 0.7583 | ![]() | 3691 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | IS25LP016 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-uson(2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 7 ns | 闪光 | 2m x 8 | SPI,QPI | 800µs | |||
![]() | S29GL512T11DHV020 | 10.1850 | ![]() | 2214 | 0.00000000 | Infineon技术 | GL-T | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(9x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 520 | 非易失性 | 512Mbit | 110 ns | 闪光 | 64m x 8 | 平行线 | 60ns | ||||
![]() | ME619GXFLEG3S | 104.2300 | ![]() | 8605 | 0.00000000 | 硅运动,Inc。 | - | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 1984-ME619GXFLEG3S | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | NDL86PFE-9MIT | - | ![]() | 5306 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | - | - | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | - | - | 1982-NDL86PFE-9MIT | 过时的 | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | - | ||||||||
![]() | S-24CS02ADP-G | - | ![]() | 5481 | 0.00000000 | Ablic Inc. | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | S-24CS02 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8点 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | 非易失性 | 2kbit | 900 ns | EEPROM | 256 x 8 | i²c | 10ms | ||||
![]() | M24C08-DRMN3TP/k | 0.5000 | ![]() | 5035 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | M24C08 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 非易失性 | 8kbit | 450 ns | EEPROM | 1k x 8 | i²c | 4ms | |||
![]() | EDFB232A1MA-GD-FD | - | ![]() | 8640 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TA) | - | - | EDFB232 | sdram- lpddr3 | 1.14v〜1.95v | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,680 | 800 MHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | 平行线 | - | |||||
![]() | BR24T256FV-WE2 | 0.9900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-lssop (0.173“,4.40mm宽度) | BR24T256 | EEPROM | 1.6V〜5.5V | 8SSOP-B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 非易失性 | 256kbit | EEPROM | 32K x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | CY7C1148KV18-450BZXC | - | ![]() | 5232 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1148 | sram-同步,DDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||||
![]() | S25FL132K0XNFI040 | - | ![]() | 4384 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl1-k | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | S25FL132 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3ms | ||||
![]() | S34MS01G200TFI900 | - | ![]() | 9522 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | 托盘 | 在sic中停产 | S34MS01 | - | Rohs符合条件 | 3(168)) | 2120-S34MS01G200TFI900 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||
![]() | 70V25S25PFG8 | - | ![]() | 8399 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | - | 到达不受影响 | 800-70V25S25PFG8 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 7005L20JG | - | ![]() | 9207 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 68-LCC(j-lead) | 7005L20 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | - | 800-7005L20JG | 过时的 | 18 | 易挥发的 | 64kbit | 20 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 20NS | |||||||
MT48LC16M16A2FG-75 IT:D Tr | - | ![]() | 9090 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-VFBGA(8x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | N25W032A11EF640E | - | ![]() | 4138 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | N25W032 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | (8-vdfpn(6x5)(MLP8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 8m x 4 | spi | - | |||||
![]() | mtfc32gludm-wt | - | ![]() | 5751 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 大部分 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | - | mtfc32g | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | C-32C12864-PC400 | 17.5000 | ![]() | 9426 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-C-32C12864-PC400 | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W25X40CLDAIG TR | - | ![]() | 3113 | 0.00000000 | Winbond电子产品 | Spiflash® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | W25x40 | 闪光 | 2.3v〜3.6V | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 512k x 8 | spi | 800µs | ||||
![]() | S25FL256LDPNFV010 | - | ![]() | 2297 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S25FL256LDPNFV010 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IDT71V67603S133PF | - | ![]() | 8177 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IDT71V67603 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 71V67603S133PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 4.2 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | MT29F4G16ABBDAHC-IT:D Tr | - | ![]() | 7337 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F4G16 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(10.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 256m x 16 | 平行线 | - | |||||
![]() | MT29F256G08AUCDBJ6-6IT:d | - | ![]() | 7154 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 132-LBGA | MT29F256G08 | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 132-LBGA (12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 167 MHz | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | CAT24C128LGI | 0.3400 | ![]() | 1702 | 0.00000000 | 催化剂半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | CAT24C128 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-pdip | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 1 MHz | 非易失性 | 128kbit | 400 ns | EEPROM | 16k x 8 | i²c | 5ms | |||
70T3599S166BC | 224.9656 | ![]() | 2156 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 256-LBGA | 70T3599 | sram-双端口,同步 | 2.4v〜2.6V | 256-cabga(17x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 166 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.6 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | IS25WP256D-RMLE-TY | 4.2121 | ![]() | 7731 | 0.00000000 | Vishay Vitramon | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25WP256D-RMLE-TY | 176 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs | ||||||
![]() | S29GL128S10DHB023 | 7.5600 | ![]() | 3091 | 0.00000000 | Infineon技术 | GL-S | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(9x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,200 | 非易失性 | 128mbit | 100 ns | 闪光 | 8m x 16 | 平行线 | 60ns | ||||
![]() | CY7C261-45QMB | 51.3200 | ![]() | 301 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C(TA) | CY7C261 | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 64kbit | 45 ns | EPROM | 8k x 8 | 平行线 | - | |||||||
![]() | 70261L55PF | - | ![]() | 6741 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | 70261L55 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 易挥发的 | 256kbit | 55 ns | SRAM | 16k x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | DS28E04S-224-BB+t | - | ![]() | 6324 | 0.00000000 | ADI/MAXIM集成 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | DS28E04 | EEPROM | - | 16-Soic | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 175-DS28E04S-224-BB+TTR | 2,500 | 非易失性 | 4Kbit | 2 µs | EEPROM | 256 x 16 | 1-Wire® | - | ||||||
70T659S12BFI | 256.1448 | ![]() | 4814 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 208-LFBGA | 70T659 | sram-双端口,异步 | 2.4v〜2.6V | 208-cabga(15x15) | 下载 | Rohs不合规 | 4 (72小时) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 易挥发的 | 4.5mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | 12ns |
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