SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
IS25LP016D-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JULE-TR 0.7583
RFQ
ECAD 3691 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 IS25LP016 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 5,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 SPI,QPI 800µs
S29GL512T11DHV020 Infineon Technologies S29GL512T11DHV020 10.1850
RFQ
ECAD 2214 0.00000000 Infineon技术 GL-T 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 64-LBGA S29GL512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-FBGA(9x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 520 非易失性 512Mbit 110 ns 闪光 64m x 8 平行线 60ns
ME619GXFLEG3S Silicon Motion, Inc. ME619GXFLEG3S 104.2300
RFQ
ECAD 8605 0.00000000 硅运动,Inc。 - 大部分 积极的 - rohs3符合条件 1984-ME619GXFLEG3S 1
NDL86PFE-9MIT Insignis Technology Corporation NDL86PFE-9MIT -
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ECAD 5306 0.00000000 Insignis Technology Corporation - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) - - SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V - - 1982-NDL86PFE-9MIT 过时的 2,000 933 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 512m x 16 平行线 -
S-24CS02ADP-G ABLIC Inc. S-24CS02ADP-G -
RFQ
ECAD 5481 0.00000000 Ablic Inc. - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) S-24CS02 EEPROM 1.8V〜5.5V 8点 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 50 400 kHz 非易失性 2kbit 900 ns EEPROM 256 x 8 i²c 10ms
M24C08-DRMN3TP/K STMicroelectronics M24C08-DRMN3TP/k 0.5000
RFQ
ECAD 5035 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M24C08 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 非易失性 8kbit 450 ns EEPROM 1k x 8 i²c 4ms
EDFB232A1MA-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFB232A1MA-GD-FD -
RFQ
ECAD 8640 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TA) - - EDFB232 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,680 800 MHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 平行线 -
BR24T256FV-WE2 Rohm Semiconductor BR24T256FV-WE2 0.9900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-lssop (0.173“,4.40mm宽度) BR24T256 EEPROM 1.6V〜5.5V 8SSOP-B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 非易失性 256kbit EEPROM 32K x 8 i²c 5ms
CY7C1148KV18-450BZXC Infineon Technologies CY7C1148KV18-450BZXC -
RFQ
ECAD 5232 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA CY7C1148 sram-同步,DDR II+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 136 450 MHz 易挥发的 18mbit SRAM 1m x 18 平行线 -
S25FL132K0XNFI040 Infineon Technologies S25FL132K0XNFI040 -
RFQ
ECAD 4384 0.00000000 Infineon技术 fl1-k 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) S25FL132 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 490 108 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 3ms
S34MS01G200TFI900 SkyHigh Memory Limited S34MS01G200TFI900 -
RFQ
ECAD 9522 0.00000000 Skyhigh Memory Limited - 托盘 在sic中停产 S34MS01 - Rohs符合条件 3(168)) 2120-S34MS01G200TFI900 3A991B1A 8542.32.0071 96 未行业行业经验证
70V25S25PFG8 Renesas Electronics America Inc 70V25S25PFG8 -
RFQ
ECAD 8399 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 - 到达不受影响 800-70V25S25PFG8 Ear99 8542.32.0041 1
7005L20JG Renesas Electronics America Inc 7005L20JG -
RFQ
ECAD 9207 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 68-LCC(j-lead) 7005L20 sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 68-PLCC (24.21x24.21) - 800-7005L20JG 过时的 18 易挥发的 64kbit 20 ns SRAM 8k x 8 平行线 20NS
MT48LC16M16A2FG-75 IT:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2FG-75 IT:D Tr -
RFQ
ECAD 9090 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-VFBGA MT48LC16M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-VFBGA(8x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
N25W032A11EF640E Micron Technology Inc. N25W032A11EF640E -
RFQ
ECAD 4138 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 N25W032 闪光灯 -也不 1.7V〜2V (8-vdfpn(6x5)(MLP8) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 490 108 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 8m x 4 spi -
MTFC32GLUDM-WT Micron Technology Inc. mtfc32gludm-wt -
RFQ
ECAD 5751 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 大部分 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 - mtfc32g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
C-32C12864-PC400 ProLabs C-32C12864-PC400 17.5000
RFQ
ECAD 9426 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-C-32C12864-PC400 Ear99 8473.30.5100 1
W25X40CLDAIG TR Winbond Electronics W25X40CLDAIG TR -
RFQ
ECAD 3113 0.00000000 Winbond电子产品 Spiflash® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) W25x40 闪光 2.3v〜3.6V 8-pdip 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi 800µs
S25FL256LDPNFV010 Nexperia USA Inc. S25FL256LDPNFV010 -
RFQ
ECAD 2297 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 大部分 积极的 - 2156-S25FL256LDPNFV010 1
IDT71V67603S133PF Renesas Electronics America Inc IDT71V67603S133PF -
RFQ
ECAD 8177 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP IDT71V67603 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 71V67603S133PF 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 MHz 易挥发的 9Mbit 4.2 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
MT29F4G16ABBDAHC-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBDAHC-IT:D Tr -
RFQ
ECAD 7337 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(10.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 4Gbit 闪光 256m x 16 平行线 -
MT29F256G08AUCDBJ6-6IT:D Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCDBJ6-6IT:d -
RFQ
ECAD 7154 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 132-LBGA MT29F256G08 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 132-LBGA (12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 167 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
CAT24C128LGI Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C128LGI 0.3400
RFQ
ECAD 1702 0.00000000 催化剂半导体公司 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) CAT24C128 EEPROM 1.8V〜5.5V 8-pdip 下载 不适用 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1 1 MHz 非易失性 128kbit 400 ns EEPROM 16k x 8 i²c 5ms
70T3599S166BC Renesas Electronics America Inc 70T3599S166BC 224.9656
RFQ
ECAD 2156 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 256-LBGA 70T3599 sram-双端口,同步 2.4v〜2.6V 256-cabga(17x17) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 6 166 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.6 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
IS25WP256D-RMLE-TY Vishay Vitramon IS25WP256D-RMLE-TY 4.2121
RFQ
ECAD 7731 0.00000000 Vishay Vitramon - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25WP256D-RMLE-TY 176 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 40µs,800µs
S29GL128S10DHB023 Infineon Technologies S29GL128S10DHB023 7.5600
RFQ
ECAD 3091 0.00000000 Infineon技术 GL-S 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 64-LBGA S29GL128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-FBGA(9x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,200 非易失性 128mbit 100 ns 闪光 8m x 16 平行线 60ns
CY7C261-45QMB Cypress Semiconductor Corp CY7C261-45QMB 51.3200
RFQ
ECAD 301 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 积极的 -55°C〜125°C(TA) CY7C261 EPROM -UV 4.5V〜5.5V 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达受影响 3A001A2C 8542.32.0071 1 非易失性 64kbit 45 ns EPROM 8k x 8 平行线 -
70261L55PF Renesas Electronics America Inc 70261L55PF -
RFQ
ECAD 6741 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP 70261L55 sram-双端口,异步 4.5V〜5.5V 100-TQFP(14x14) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 45 易挥发的 256kbit 55 ns SRAM 16k x 16 平行线 55ns
DS28E04S-224-BB+T ADI/Maxim Integrated DS28E04S-224-BB+t -
RFQ
ECAD 6324 0.00000000 ADI/MAXIM集成 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) DS28E04 EEPROM - 16-Soic - rohs3符合条件 到达不受影响 175-DS28E04S-224-BB+TTR 2,500 非易失性 4Kbit 2 µs EEPROM 256 x 16 1-Wire® -
70T659S12BFI Renesas Electronics America Inc 70T659S12BFI 256.1448
RFQ
ECAD 4814 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 208-LFBGA 70T659 sram-双端口,异步 2.4v〜2.6V 208-cabga(15x15) 下载 Rohs不合规 4 (72小时) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 7 易挥发的 4.5mbit 12 ns SRAM 128K x 36 平行线 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库