电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT7164S35YGI | - | ![]() | 6182 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | IDT7164 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-soj | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 7164S35YGI | Ear99 | 8542.32.0041 | 27 | 易挥发的 | 64kbit | 35 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 35ns | ||||
![]() | IS63LV1024-10KI | - | ![]() | 4080 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS63LV1024 | sram-异步 | 3.15V〜3.45V | 32-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 21 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | S29PL064J60BFI070 | 7.9800 | ![]() | 6134 | 0.00000000 | Infineon技术 | PL-J | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | S29PL064 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-VFBGA(8.15x6.15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 非易失性 | 64mbit | 60 ns | 闪光 | 4m x 16 | 平行线 | 60ns | |||
![]() | 71V35761S183BGG8 | - | ![]() | 7619 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v35761 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 183 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.3 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | CG8662AA | - | ![]() | 2042 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MX25L12833FMI-10G | 2.5900 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 大元 | MXSMIO™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MX25L12833 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1092-1229 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 40µs,1.2ms | ||
![]() | CG8312AA | - | ![]() | 7512 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 90 | |||||||||||||||||
71V124SA15PHG8 | - | ![]() | 9505 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) | 71v124 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | GD55LX01GEFIRR | 18.7900 | ![]() | 5406 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 16 SOP | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1,000 | 200 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi-八分之一,Dtr | - | ||||||
![]() | 712382-071-C | 50.0000 | ![]() | 4136 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-712382-071-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | CAT25080LI-GC | - | ![]() | 1963年 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | CAT25080 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-pdip | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 488-CAT25080LI-GC | 过时的 | 50 | 非易失性 | 8kbit | EEPROM | 1k x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | N25Q128A11EF740F TR | - | ![]() | 6864 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | N25Q128A11 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | (8-vdfpn(6x5)(MLP8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 32m x 4 | spi | 8ms,5ms | |||
![]() | CY7C1021CV33-8VXC | - | ![]() | 6616 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | CY7C1021 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 850 | 易挥发的 | 1Mbit | 8 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 8ns | |||
![]() | SST26VF080A-80E/SN | 1.5600 | ![]() | 225 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SST26SQI® | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SST26VF080 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 150-SST26VF080A-80E/SN | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 100 | 80 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 1.5ms | ||
![]() | C-2400D4DR4RN/16G-TAA | 453.2500 | ![]() | 3322 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-C-2400D4DR4RN/16G-TAA | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S25FL164K0XBHIS20 | 0.8300 | ![]() | 1016 | 0.00000000 | 跨度 | fl1-k | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL164 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | 下载 | 不适用 | 3A991B1A | 0000.00.0000 | 338 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3ms | |||||
![]() | P13211-001-C | 835.0000 | ![]() | 8335 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-P13211-001-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | CY7C1399BL-12ZXCT | - | ![]() | 4746 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | CY7C1399 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 28-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 256kbit | 12 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 12ns | |||
![]() | M95M01-DFMN6TP | 1.8500 | ![]() | 5272 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | M95M01 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 16 MHz | 非易失性 | 1Mbit | EEPROM | 128K x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | CY7C1474V25-200BGC | 184.8000 | ![]() | 8408 | 0.00000000 | Infineon技术 | NOBL™ | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 209-BGA | CY7C1474 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 209-fbga(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 200 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 3 ns | SRAM | 1m x 72 | 平行线 | - | ||
![]() | MT53E2G64D8TN-046 AAT:a | 122.8500 | ![]() | 7137 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 556-LFBGA | sdram- lpddr4x | 1.06V〜1.17V | 556-LFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E2G64D8TN-046AAT:a | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 128Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 2G x 64 | 平行线 | 18NS | |||||||
S25FL256LAGBHN023 | 5.5125 | ![]() | 3593 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-l | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | ||||
![]() | CY14MB256J2-SXI | - | ![]() | 1335 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CY14MB256 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 97 | 3.4 MHz | 非易失性 | 256kbit | NVSRAM | 32K x 8 | i²c | - | |||
![]() | S25HS01GTDPMHV013 | 16.8700 | ![]() | 7793 | 0.00000000 | Infineon技术 | Semper™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 1.7V〜2V | 16-Soic | 下载 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 133 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | |||||||
![]() | S25FL164K0XNFA013 | - | ![]() | 8266 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S25FL164K0XNFA013 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | IS61LPD51236A-250B3LI-TR | 20.1000 | ![]() | 8075 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61LPD51236 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-PBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 250 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 2.6 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | SM662PXF BESS | 175.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 硅运动,Inc。 | Ferri-Emmc® | 托盘 | 积极的 | - | 表面安装 | 100-LBGA | Flash -nand(tlc) | - | 100-BGA (14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1984-SM662PXFBESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 非易失性 | - | 闪光 | EMMC | - | |||||
![]() | 70V05L20J8 | - | ![]() | 4955 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 68-LCC(j-lead) | 70V05L | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 68-PLCC (24.21x24.21) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 250 | 易挥发的 | 64kbit | 20 ns | SRAM | 8k x 8 | 平行线 | 20NS | |||
![]() | CAT24C64WI | - | ![]() | 1806年 | 0.00000000 | 催化剂半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-CAT24C64WI-736 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | C-160D3SL/2G | 17.5000 | ![]() | 9902 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-C-160D3SL/2G | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库