SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IDT7164S35YGI Renesas Electronics America Inc IDT7164S35YGI -
RFQ
ECAD 6182 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) IDT7164 sram-异步 4.5V〜5.5V 28-soj 下载 (1 (无限) 到达不受影响 7164S35YGI Ear99 8542.32.0041 27 易挥发的 64kbit 35 ns SRAM 8k x 8 平行线 35ns
IS63LV1024-10KI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-10KI -
RFQ
ECAD 4080 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) IS63LV1024 sram-异步 3.15V〜3.45V 32-soj 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 21 易挥发的 1Mbit 10 ns SRAM 128K x 8 平行线 10NS
S29PL064J60BFI070 Infineon Technologies S29PL064J60BFI070 7.9800
RFQ
ECAD 6134 0.00000000 Infineon技术 PL-J 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-VFBGA S29PL064 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-VFBGA(8.15x6.15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 338 非易失性 64mbit 60 ns 闪光 4m x 16 平行线 60ns
71V35761S183BGG8 Renesas Electronics America Inc 71V35761S183BGG8 -
RFQ
ECAD 7619 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 119-BGA 71v35761 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 183 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.3 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
CG8662AA Infineon Technologies CG8662AA -
RFQ
ECAD 2042 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 - 供应商不确定 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
MX25L12833FMI-10G Macronix MX25L12833FMI-10G 2.5900
RFQ
ECAD 23 0.00000000 大元 MXSMIO™ 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MX25L12833 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1092-1229 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 40µs,1.2ms
CG8312AA Infineon Technologies CG8312AA -
RFQ
ECAD 7512 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 90
71V124SA15PHG8 Renesas Electronics America Inc 71V124SA15PHG8 -
RFQ
ECAD 9505 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) 71v124 sram-异步 3v〜3.6V 32-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1,500 易挥发的 1Mbit 15 ns SRAM 128K x 8 平行线 15ns
GD55LX01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX01GEFIRR 18.7900
RFQ
ECAD 5406 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 16 SOP - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1,000 200 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi-八分之一,Dtr -
712382-071-C ProLabs 712382-071-C 50.0000
RFQ
ECAD 4136 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-712382-071-C Ear99 8473.30.5100 1
CAT25080LI-GC onsemi CAT25080LI-GC -
RFQ
ECAD 1963年 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) CAT25080 EEPROM 1.8V〜5.5V 8-pdip - (1 (无限) 到达不受影响 488-CAT25080LI-GC 过时的 50 非易失性 8kbit EEPROM 1k x 8 spi 5ms
N25Q128A11EF740F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11EF740F TR -
RFQ
ECAD 6864 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 N25Q128A11 闪光灯 -也不 1.7V〜2V (8-vdfpn(6x5)(MLP8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 32m x 4 spi 8ms,5ms
CY7C1021CV33-8VXC Infineon Technologies CY7C1021CV33-8VXC -
RFQ
ECAD 6616 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) CY7C1021 sram-异步 3v〜3.6V 44-SOJ 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 850 易挥发的 1Mbit 8 ns SRAM 64k x 16 平行线 8ns
SST26VF080A-80E/SN Microchip Technology SST26VF080A-80E/SN 1.5600
RFQ
ECAD 225 0.00000000 微芯片技术 SST26SQI® 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) SST26VF080 闪光 2.7V〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 150-SST26VF080A-80E/SN 3A991B1A 8542.32.0071 100 80 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 1.5ms
C-2400D4DR4RN/16G-TAA ProLabs C-2400D4DR4RN/16G-TAA 453.2500
RFQ
ECAD 3322 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-C-2400D4DR4RN/16G-TAA Ear99 8473.30.5100 1
S25FL164K0XBHIS20 Spansion S25FL164K0XBHIS20 0.8300
RFQ
ECAD 1016 0.00000000 跨度 fl1-k 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA S25FL164 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-bga(8x6) 下载 不适用 3A991B1A 0000.00.0000 338 108 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 3ms
P13211-001-C ProLabs P13211-001-C 835.0000
RFQ
ECAD 8335 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-P13211-001-C Ear99 8473.30.5100 1
CY7C1399BL-12ZXCT Infineon Technologies CY7C1399BL-12ZXCT -
RFQ
ECAD 4746 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) CY7C1399 sram-异步 3v〜3.6V 28-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 1,500 易挥发的 256kbit 12 ns SRAM 32K x 8 平行线 12ns
M95M01-DFMN6TP STMicroelectronics M95M01-DFMN6TP 1.8500
RFQ
ECAD 5272 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M95M01 EEPROM 1.7V〜5.5V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0051 2,500 16 MHz 非易失性 1Mbit EEPROM 128K x 8 spi 5ms
CY7C1474V25-200BGC Infineon Technologies CY7C1474V25-200BGC 184.8000
RFQ
ECAD 8408 0.00000000 Infineon技术 NOBL™ 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 209-BGA CY7C1474 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 209-fbga(14x22) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 84 200 MHz 易挥发的 72Mbit 3 ns SRAM 1m x 72 平行线 -
MT53E2G64D8TN-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 AAT:a 122.8500
RFQ
ECAD 7137 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 556-LFBGA sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 556-LFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E2G64D8TN-046AAT:a 1 2.133 GHz 易挥发的 128Gbit 3.5 ns 德拉姆 2G x 64 平行线 18NS
S25FL256LAGBHN023 Infineon Technologies S25FL256LAGBHN023 5.5125
RFQ
ECAD 3593 0.00000000 Infineon技术 fl-l 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-TBGA S25FL256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-bga(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
CY14MB256J2-SXI Infineon Technologies CY14MB256J2-SXI -
RFQ
ECAD 1335 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) CY14MB256 NVSRAM(SRAM) 2.7V〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 97 3.4 MHz 非易失性 256kbit NVSRAM 32K x 8 i²c -
S25HS01GTDPMHV013 Infineon Technologies S25HS01GTDPMHV013 16.8700
RFQ
ECAD 7793 0.00000000 Infineon技术 Semper™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 1.7V〜2V 16-Soic 下载 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
S25FL164K0XNFA013 Nexperia USA Inc. S25FL164K0XNFA013 -
RFQ
ECAD 8266 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 大部分 积极的 - 2156-S25FL164K0XNFA013 1
IS61LPD51236A-250B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-250B3LI-TR 20.1000
RFQ
ECAD 8075 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61LPD51236 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-PBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
SM662PXF BESS Silicon Motion, Inc. SM662PXF BESS 175.2700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 硅运动,Inc。 Ferri-Emmc® 托盘 积极的 - 表面安装 100-LBGA Flash -nand(tlc) - 100-BGA (14x18) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1984-SM662PXFBESS 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 非易失性 - 闪光 EMMC -
70V05L20J8 Renesas Electronics America Inc 70V05L20J8 -
RFQ
ECAD 4955 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 68-LCC(j-lead) 70V05L sram-双端口,异步 3v〜3.6V 68-PLCC (24.21x24.21) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 250 易挥发的 64kbit 20 ns SRAM 8k x 8 平行线 20NS
CAT24C64WI Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C64WI -
RFQ
ECAD 1806年 0.00000000 催化剂半导体公司 * 大部分 积极的 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-CAT24C64WI-736 1
C-160D3SL/2G ProLabs C-160D3SL/2G 17.5000
RFQ
ECAD 9902 0.00000000 * 零售包 积极的 - Rohs符合条件 4932-C-160D3SL/2G Ear99 8473.30.5100 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库