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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | CAT93C66XI | - | ![]() | 2701 | 0.00000000 | 催化剂半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | CAT93C66 | EEPROM | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0051 | 94 | 2 MHz | 非易失性 | 4Kbit | EEPROM | 512 x 8,256 x 16 | 微线 | - | ||||||
![]() | S29GL256P10FFI012 | 6.6000 | ![]() | 2886 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | gl-p | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S29GL256P10FFI012-Tr | 49 | 非易失性 | 256Mbit | 100 ns | 闪光 | 32m x 8 | 平行线 | 100ns | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | MT40A2G4Z11BWC1 | 9.0100 | ![]() | 5397 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 557-MT40A2G4Z11BWC1 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1049DV33-10VXI | 13.3400 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | CY7C1049 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 36-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 38 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 10NS | ||||||
![]() | N0H88AA-C | 195.0000 | ![]() | 9000 | 0.00000000 | 刺 | * | 零售包 | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 4932-N0H88AA-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS61NVF25672-6.5B1I | - | ![]() | 3918 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 209-BGA | IS61NVF25672 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 209-LFBGA(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 133 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 6.5 ns | SRAM | 256K x 72 | 平行线 | - | |||
![]() | CG10081AFT | 3.5785 | ![]() | 1232 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CG8896AA | - | ![]() | 9500 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 在sic中停产 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1049G18-15ZSXI | - | ![]() | 2684 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1049 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 44-TSOP II | 下载 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | ||||||||
![]() | S29GL064S80DHIV10 | 2.8900 | ![]() | 260 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | - | 2156-S29GL064S80DHIV10 | 104 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C187-25VCT | 1.7100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 24-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C187 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 24-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 64kbit | 25 ns | SRAM | 64k x 1 | 平行线 | 25ns | ||||
![]() | GD5F2GQ5UEYIGY | 3.9235 | ![]() | 6089 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD5F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | 1970-GD5F2GQ5UEYIGY | 4,800 | 104 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 9 ns | 闪光 | 256m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 600µs | ||||||||
![]() | 70v9279s9prfi | - | ![]() | 7338 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 128-LQFP | 70v9279 | sram-双端口,同步 | 3v〜3.6V | 128-TQFP(14x20) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | 易挥发的 | 512kbit | 9 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | 71V3556SA133BG | 10.1900 | ![]() | 527 | 0.00000000 | IDT,Integrated Device Technology Inc | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | 71v3556 | sram-同步,SDR(ZBT) | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 4.2 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | ||||||
![]() | S25FS512SDSMFB013 | 10.5875 | ![]() | 3411 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q100,FS-S | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | S25FS512 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 80 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | ||||
CAT25C64V | - | ![]() | 2841 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CAT25C64 | EEPROM | 2.5V〜6V | 8-SOIC | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-CAT25C64V-488 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 5 MHz | 非易失性 | 64kbit | 100 ns | EEPROM | 8k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | IS64LF12836EC-7.5B3LA3 | 11.4523 | ![]() | 6890 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS64LF12836 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 7.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | CY7C1041DV33-10BVXI | 11.9400 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY7C1041 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-CY7C1041DV33-10BVXI | 45 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS | 未行业行业经验证 | ||||||
![]() | 71016S20YG | - | ![]() | 1528年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | 71016 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 16 | 易挥发的 | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 20NS | ||||
AS7C32098A-20TCN | 5.0129 | ![]() | 7248 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | AS7C32098 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 2Mbit | 20 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 20NS | |||||
![]() | IS25LP064-JMLE | - | ![]() | 6462 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IS25LP064 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1340 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 800µs | |||
![]() | CY7C024-15JXCT | - | ![]() | 5350 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 84-LCC(j-lead) | CY7C024 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 250 | 易挥发的 | 64kbit | 15 ns | SRAM | 4K x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | CY62157G30-45ZSXI | 21.2900 | ![]() | 120 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY62157 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 8mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | CG8773AF | - | ![]() | 1786年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 485 | |||||||||||||||||||
![]() | CY62136FV30LL-45BVXIT | 4.0425 | ![]() | 4057 | 0.00000000 | Infineon技术 | MOBL® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62136 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 2Mbit | 45 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 45ns | ||||
CAT24C02WI-GT3A | - | ![]() | 3149 | 0.00000000 | 催化剂半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CAT24C02 | EEPROM | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 非易失性 | 2kbit | 900 ns | EEPROM | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||||||
![]() | JS28F256M29EBHB TR | - | ![]() | 3106 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | JS28F256M29 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 非易失性 | 256Mbit | 110 ns | 闪光 | 32m x 8,16m x 16 | 平行线 | 110NS | ||||
![]() | CY7C1250V18-333BZC | 76.2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1250 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 4 | 333 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||
![]() | CY7C1019CV33-10ZXI | - | ![]() | 5958 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1019 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 234 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 10NS | ||||
S25FL512SAGBHMC13 | 12.9500 | ![]() | 6107 | 0.00000000 | Infineon技术 | fl-s | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - |
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