RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
CAT24C05LI-G	-	RFQ	8473	催化剂半导体公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	CAT24C05	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-pdip	下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.32.0051	50	400 kHz	非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
S27KL0642GABHB020	6.6900	RFQ	3250	Infineon技术	HyperRAM™KL	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-vbga	S27KL0642	PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	24-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	338	200 MHz	易挥发的	64mbit	35 ns	PSRAM	8m x 8	超肥	35ns
CY7C1034DV33-10BGXI	31.6500	RFQ	1	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	CY7C1034	sram-异步	3v〜3.6V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件				3A991B2A	8542.32.0041	10		易挥发的	6mbit	10 ns	SRAM	256K x 24	平行线	10NS	未行业行业经验证
CY7C1568KV18-500BZC	263.2600	RFQ	257	赛普拉斯半导体公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	CY7C1568	sram-同步，DDR II+	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规				3A991B2A	8542.32.0041	136	500 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-	未行业行业经验证
MT29F2G01ABBGD12-AAT：g	2.7962	RFQ	6625	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT29F2G01	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F2G01ABBGD12-AAT：g		8542.32.0071	1,122	83 MHz	非易失性	2Gbit		闪光	2G x 1	spi	-	未行业行业经验证
MT40A8G4CLU-075H：e	-	RFQ	9601	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A8G4	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-				557-MT40A8G4CLU-075H：e	过时的	8542.32.0071	210	1.33 GHz	非易失性	32Gbit	27 NS	德拉姆	8g x 4	平行线	-
CY62148ESL-55ZAXAKJ	-	RFQ	6638	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	过时的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1
CY27S07PC	5.5700	RFQ	7160	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	CY27S07	sram-异步	4.5V〜5.5V	16二滴	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0041	1		易挥发的	64位	35 ns	SRAM	16 x 4	平行线	-
R1EX24512ASAS0I ＃S1	6.0100	RFQ	896	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	250
R1EX24128ASAS0A ＃S0	4.2300	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	2,500
R1QAA7236RBG-22RB0	29.2300	RFQ	29	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1
CY7C1049CV33-10ZXC	3.8000	RFQ	2	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	CY7C1049	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
CY27H010-45PC	2.5400	RFQ	147	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	32 滴（0.600英寸，15.24毫米）	CY27H010	EPROM -UV	4.5V〜5.5V	32-PDIP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0071	1		非易失性	1Mbit	45 ns	EPROM	128K x 8	平行线	-
5962-8764813QYA	24.0000	RFQ	192	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	32-CLCC，窗口	5962-8764813	EPROM -UV	4.5V〜5.5V	32-CLCC （13.97x11.43）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0061	1		非易失性	512kbit	200 ns	EPROM	64k x 8	平行线	-
NM93C46MT8X	0.5900	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	93C46	EEPROM	4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	2,500	1 MHz	非易失性	1kbit		EEPROM	64 x 16	微线	10ms
CY27C256-150JC	1.4700	RFQ	26	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	CY27C256	EPROM -OTP	4.5V〜5.5V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.32.0071	1		非易失性	256kbit	150 ns	EPROM	32K x 8	平行线	-
CY7C1018CV33-12VC	-	RFQ	8341	赛普拉斯半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	CY7C1018	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
MT54W1MH18BF-5TR	43.4700	RFQ	2	微米技术公司	QDR™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-同步	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	450 ps	SRAM	1m x 18	HSTL	-
S29GL128N90FFAR20	-	RFQ	3310	Infineon技术	GL-N	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	S29GL128	闪光灯 -也不	3v〜3.6V	64-FBGA（13x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	128mbit	90 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	90NS
MT54V1MH18EF-7.5	-	RFQ	4730	微米技术公司	QDR®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA		sram-同步	2.4v〜2.6V	165-FBGA（13x15）	下载					3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	1m x 18	HSTL	-
MT53D512M32D2DS-046 IT：d	19.0000	RFQ	1723年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53D512M32D2DS-046IT：d	Ear99	8542.32.0036	1,360	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
M10042040054x0Pway	13.8276	RFQ	6756	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	8-WDFN暴露垫	M10042040054	MRAM （磁磁性 RAM）	1.71V〜2V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	800-M10042040054x0Pway	Ear99	8542.32.0071	225	54 MHz	非易失性	4Mbit		内存	1m x 4	-	-
5962-8687512YA	179.7756	RFQ	5281	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	48-LCC	5962-8687512	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	48-LCC （14.22x14.22）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	800-5962-8687512YA		8542.32.0041	34		易挥发的	8kbit	45 ns	SRAM	1k x 8	平行线	45ns
5962-3829414MXA	-	RFQ	1352	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.600英寸，15.24毫米）	5962-3829414	sram-同步	4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	800-5962-3829414MXA	过时的		13		易挥发的	64kbit	25 ns	SRAM	8k x 8	平行线	25ns
5962-8687507UA	-	RFQ	4830	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	48-flatpack	5962-8687507	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	48-fpack	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	800-5962-8687507UA	过时的		9		易挥发的	8kbit	55 ns	SRAM	1k x 8	平行线	55ns
5962-8687504XA	-	RFQ	3673	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	48 浸（0.600英寸，15.24毫米）	5962-8687504	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	48侧铜	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	800-5962-8687504XA	过时的		8		易挥发的	8kbit	45 ns	SRAM	1k x 8	平行线	45ns
8403611JA	-	RFQ	5135	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	24-CDIP （0.600英寸，15.24毫米）	840361	sram-同步	4.5V〜5.5V	24-CDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	800-8403611JA	过时的		15		易挥发的	16kbit	55 ns	SRAM	2k x 8	平行线	55ns
5962-8976404MXA	-	RFQ	3534	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	48 浸（0.600英寸，15.24毫米）	5962-8976404	sram-双端口，同步	4.5V〜5.5V	48侧铜	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	800-5962-8976404MXA	过时的		8		易挥发的	32kbit	55 ns	SRAM	4K x 8	平行线	55ns
M30082040108X0ISAY	20.3740	RFQ	5954	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	M30082040108	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	800-M30082040108X0ISAY	Ear99	8542.32.0071	150	108 MHz	非易失性	8mbit		内存	2m x 4	-	-
CAT28LV256G25	-	RFQ	4148	催化剂半导体公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	CAT28LV256	EEPROM	3v〜3.6V	32-PLCC （13.97x11.43）	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.32.0051	1		非易失性	256kbit	250 ns	EEPROM	32K x 8	平行线	10ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²