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69470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
C-1333D3DRLPR/8G	62.5000	RFQ	2891	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-1333D3DRLPR/8G	Ear99	8473.30.5100	1
MB85RC128APNF-G-JNE1	3.4300	RFQ	11	Kaga Fei America，Inc。	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MB85RC128	fram （铁电 ram）	3v〜3.6V	8-sop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	95	1 MHz	非易失性	128kbit	900 ns	框架	16k x 8	i²c	-
IS26KS512S-DPBLA100-Tr	-	RFQ	2539	Infineon技术	-	大部分	上次购买								-							1
NDQ46PFP-7XIT	-	RFQ	9348	Insignis Technology Corporation	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	-	-		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	-	-				1982-NDQ46PFP-7XIT	过时的		2,500	1.333 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	德拉姆	256m x 16	荚	15ns
4x70G78060-C	122.5000	RFQ	5780	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-4X70G78060-C	Ear99	8473.30.5100	1
IS45S32200L-6TLA1-TR	4.2943	RFQ	7688	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS45S32200	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
71321LA20TFG	31.7634	RFQ	6689	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	64-LQFP	71321LA	sram-双端口，异步	4.5V〜5.5V	64-TQFP（10x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	40		易挥发的	16kbit	20 ns	SRAM	2k x 8	平行线	20NS
GS8182T18BGD-300I	27.9022	RFQ	4609	GSI Technology Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	GS8182T18	Sram-同步，DDR II	1.7V〜1.9V	165-FPBGA（15x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2364-GS8182T18BGD-300I	3A991B2B	8542.32.0041	18	300 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	1m x 18	平行线	-
CY7C11701KV18-450BZXC	36.3100	RFQ	265	赛普拉斯半导体公司	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-CY7C11701KV18-450BZXC-428			1
IS43TR82560C-15HBLI-TR	5.7744	RFQ	9816	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR82560	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
MT29F2T08GELBEJ4：b	-	RFQ	1328	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F2T08	Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-				557-MT29F2T08GELBEJ4：b	过时的		1,120		非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	平行线	-
GD25Q32ENEGR	0.8705	RFQ	6144	gigadevice 半导体（香）	GD25Q	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-udfn裸露的垫子		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-uson（3x4）	下载				1970-GD25Q32ENEGRTR			3,000	133 MHz	非易失性	32Mbit	7 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	140µs，4ms
S99GL01GT11DHB010	-	RFQ	4651	模拟设备公司	-	大部分	积极的								-				2156-S99GL01GT11DHB010			1
IS61WV102416FBLL-10B2LI-TR	8.5785	RFQ	7042	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV102416FBLL-10B2LI-TR			2,500		易挥发的	16mbit	10 ns	SRAM	1m x 16	平行线	10NS
M3004316045NX0IBCY	14.8800	RFQ	293	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	48-LFBGA	M3004316045	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	48-fbga（10x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	800-M3004316045NX0IBCY	Ear99	8542.32.0071	168		非易失性	4Mbit	45 ns	内存	256K x 16	平行线	45ns
IS63LV1024L-10T	-	RFQ	4521	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS63LV1024	sram-异步	3v〜3.6V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	117		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
K6F1616U6A-EF55T	6.5000	RFQ	650	三星半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装			sram-异步	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（7.5x9.5）	-				3277-K6F1616U6A-EF55TTR	Ear99	8542.32.0041	100		易挥发的	16mbit		SRAM	1m x 16	平行线	55ns	未行业行业经验证
MEM-7201-1GB = -C	25.0000	RFQ	1382	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-MEM-7201-1GB = -C	Ear99	8473.30.9100	1
C-1333D3DRLPR/16G	37.0000	RFQ	2118	刺	*	零售包	积极的								-	Rohs符合条件			4932-C-1333D3DRLPR/16G	Ear99	8473.30.5100	1
NM93C46LN	0.4100	RFQ	4	Fairchild半导体	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	93C46	EEPROM	2.7V〜5.5V	8点	下载	不适用				Ear99	8542.32.0051	40	250 kHz	非易失性	1kbit		EEPROM	64 x 16	微线	15ms
W631GG6MB12J TR	-	RFQ	1498年	Winbond电子产品	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	W631GG6	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-VFBGA（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	256-W631GG6MB12JTR	过时的		3,000	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	SSTL_15	15ns
MX25U3232FZBI02	1.0900	RFQ	2	大元	MXSMIO™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-udfn裸露的垫子	MX25U3232	闪光灯 -也不	1.65V〜2V	8-uson （4x3）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1092-MX25U3232FZBI02TR	3A991B1A	8542.32.0071	5,000	133 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	40µs，3ms
MT29F8T08GULCEM4-QA：c	156.3000	RFQ	4244	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F8T08GULCEM4-QA：c			1
GD25B512MEF2RY	6.7702	RFQ	9276	gigadevice 半导体（香）	GD25B	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	16 SOP	-				1970-GD25B512MEF2RY			1,760	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
M95320-DRDW3TP/k	1.1100	RFQ	9268	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	M95320	EEPROM	1.8V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	20 MHz	非易失性	32kbit		EEPROM	4K x 8	spi	4ms
S29GL128S10TFI010	4.8000	RFQ	2434	赛普拉斯半导体公司	GL-S	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	S29GL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件			2832-S29GL128S10TFI010			1		非易失性	128mbit	100 ns	闪光	8m x 16	平行线	60ns	经过验证
CY7C1328S-133AXI	-	RFQ	9563	Infineon技术	-	包	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1328	sram-同步，sdr	3.15v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4.5mbit	4 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
MX35UF1G14AC-Z4I	2.7680	RFQ	4725	大元	MX35UF	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	8-wson（8x6）	-		3（168））		1092-MX35UF1G14AC-Z4I			480	104 MHz	非易失性	1Gbit	8 ns	闪光	256m x 4	平行线	600µs
S99WS128P0013	15.2250	RFQ	6387	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				S99WS128				-			到达不受影响				1,500
CY7C09269V-12AC	18.2000	RFQ	158	Infineon技术	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C09269	sram-双端口，同步	3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	90	50 MHz	易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	16k x 16	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

69470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²