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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
FCP099N60E	-	RFQ	4506	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	37A（TC）	10V	99mohm @ 18.5a，10v	3.5V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±20V	3465 PF @ 380 V	-	357W（TC）
RRS040P03FRATB	0.3489	RFQ	2760	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RRS040	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	30 V	4A（ta）	4V，10V	75MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	5.2 NC @ 5 V	±20V	480 pf @ 10 V	-	2W（TA）
CSD18537NQ5A	0.9200	RFQ	21	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18537	MOSFET （金属 o化物）	8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	50A（TC）	6V，10V	13mohm @ 12a，10v	3.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1480 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），75W（tc）
DMN1004UFV-13	0.5600	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMN1004	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8（UX）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	12 v	70A（TC）	2.5V，4.5V	3.8mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	47 NC @ 8 V	±8V	2385 pf @ 6 V	-	1.9W（TA）
IXTA30N65X2	8.9736	RFQ	4909	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-	-	-	ixta30	-	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta30n65x2	Ear99	8541.29.0095	50	-		-	-	-	-		-		-	-
BUK7275-100A，118	-	RFQ	4049	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				Buk72			-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
IXTH30N25L2	19.6670	RFQ	8977	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth30	MOSFET （金属 o化物）	TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixth30n25l2	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	250 v	30A（TC）	10V	140mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	355W（TC）
DMN4020LFDEQ-13	0.1279	RFQ	1808年	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	DMN4020	MOSFET （金属 o化物）	U-DFN2020-6（e）	下载			到达不受影响	31-DMN4020LFDEQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	10,000	n通道	40 V	8.6a（ta）	4.5V，10V	21mohm @ 8a，10v	2.4V @ 250µA	25.3 NC @ 10 V	±20V	1201 PF @ 20 V	-	850MW（TA）
BUK7Y25-40B，115	-	RFQ	3044	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	35.3a（TC）	10V	25mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA	12.1 NC @ 10 V	±20V	693 PF @ 25 V	-	59.4W（TC）
FDPF10N50UT	0.8600	RFQ	1	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	351	n通道	500 v	8A（TC）	10V	1.05OHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1130 PF @ 25 V	-	42W（TC）
NTK3043NT1H	0.0700	RFQ	132	Onmi	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	4,000
RCX100N25	2.2500	RFQ	466	Rohm半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RCX100	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	250 v	10a（10a）	10V	-	-		±30V		-	40W（TC）
MCAC50P03B-TP	0.9500	RFQ	17	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MCAC50	MOSFET （金属 o化物）	DFN5060	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	P通道	30 V	50a	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.8V @ 250µA	111.7 NC @ 10 V	±25V	6464 PF @ 15 V	-	83W
ixtq28n15p	-	RFQ	6432	ixys	极性	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq28	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道		-		-	-				-	-
AOTF15S65L	3.0400	RFQ	872	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF15	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	15A（TC）	10V	290MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	17.2 NC @ 10 V	±30V	841 PF @ 100 V	-	34W（TC）
NVTYS005N04CTWG	0.7036	RFQ	8093	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56		MOSFET （金属 o化物）	8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTYS005N04CTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	18A（18A），71A（71A）（TC）	10V	5.6MOHM @ 35A，10V	3.5V @ 40µA	16 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
TP5335K1-G-VAO	-	RFQ	5577	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TP5335	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-TP5335K1-G-VAOTR	Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	350 v	85ma（tj）	4.5V，10V	30ohm @ 200mA，10v	2.4V @ 1mA		±20V	110 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
IRL2203NSTRR	-	RFQ	8315	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	116a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 60a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±16V	3290 pf @ 25 V	-	3.8W（180W），180W（tc）
BSC014N06NSSCATMA1	3.6000	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	BSC014	MOSFET （金属 o化物）	PG-WSON-8-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	60 V	261a（TC）	6V，10V	1.4mohm @ 50a，10v	3.3V @ 120µA	104 NC @ 10 V	±20V	8125 PF @ 30 V	-	3W（3W），188w（tc）
IPP052NE7N3GXKSA1	2.9400	RFQ	6	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP052	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	75 v	80A（TC）	10V	5.2MOHM @ 80A，10V	3.8V @ 91µA	68 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 37.5 V	-	150W（TC）
UPA2724UT1A-E2-AY	1.0700	RFQ	594	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	280
IPD50N04S308ATMA1	0.6684	RFQ	1845年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	50A（TC）	10V	7.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 40µA	35 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 25 V	-	68W（TC）
FQI10N20CTU	0.4100	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	200 v	9.5A（TC）	10V	360MOHM @ 4.75a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	72W（TC）
IRF840APBF-BE3	1.9400	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF840	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	-		（1 （无限）		742-IRF840APBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1018 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IRFHM8329TRPBF	-	RFQ	9501	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	PQFN（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	30 V	16a（16A），57A （TC）	4.5V，10V	6.1MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 25µA	26 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 10 V	-	2.6W（TA），33W（tc）
SFT1450-TL-H	-	RFQ	2071	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SFT145	MOSFET （金属 o化物）	TP-FA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	700	n通道	40 V	21a（21a）	10V	28mohm @ 10.5a，10v	2.6V @ 1mA	14.4 NC @ 10 V	±20V	715 PF @ 20 V	-	1W（TA），23W（tc）
TK160F10N1L，LXGQ	3.7000	RFQ	4476	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	TK160F10	MOSFET （金属 o化物）	TO-220SM（W）	-		3（168））			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	160a（ta）	6V，10V	2.4mohm @ 80a，10v	3.5V @ 1mA	122 NC @ 10 V	±20V	10100 PF @ 10 V	-	375W（TC）
BUK7Y21-40E115	-	RFQ	9431	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500
TK12A60U（Q，M）	-	RFQ	2935	东芝半导体和存储	dtmosii	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK12A60	MOSFET （金属 o化物）	TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	12a（12a）	10V	400mohm @ 6a，10v	5V @ 1mA	14 NC @ 10 V	±30V	720 PF @ 10 V	-	35W（TC）
STP8NM50N	2.3800	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP8NM50	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10965-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	5A（TC）	10V	790MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	364 pf @ 50 V	-	45W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²