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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
NTB5405NG	-	RFQ	9309	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NTB54	MOSFET （金属 o化物）	D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	116a（TC）	5V，10V	5.8mohm @ 40a，10v	3.5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 32 V	-	（3w（ta），150w（tc）
TPH3208PS	-	RFQ	9166	移动	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TPH3208	ganfet（cascoden（fet）	TO-220AB	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	20A（TC）	10V	130mohm @ 13a，8v	2.6V @ 300µA	14 NC @ 8 V	±18V	760 pf @ 400 V	-	96W（TC）
IPL65R195C7AUMA1	3.7700	RFQ	53	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL65R	MOSFET （金属 o化物）	PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	650 v	12A（TC）	10V	195MOHM @ 2.9a，10V	4V @ 290µA	23 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 400 V	-	75W（TC）
BUK7513-75B，127	-	RFQ	6355	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	75 v	75A（TC）	10V	13mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	2644 PF @ 25 V	-	157W（TC）
BUK7Y4R8-60EX	2.0700	RFQ	9477	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	buk7y4	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	60 V	100A（TC）	10V	4.8mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	73.1 NC @ 10 V	±20V	5520 PF @ 25 V	-	238W（TC）
RJK0353DPA-WS＃j0b	-	RFQ	1543年	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	WPAK（3F）（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	30 V	35A（TA）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 17.5A，10V	2.5V @ 1mA	14 NC @ 10 V	±20V	2180 pf @ 10 V	-	40W（TA）
IXTY15P15T	4.1400	RFQ	1	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty15	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	70	P通道	150 v	15A（TC）	10V	240MOHM @ 7A，10V	4.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±15V	3650 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SUM110N03-04P-E3	-	RFQ	5275	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	110A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），120W（tc）
IPB80N06S407ATMA2	1.7700	RFQ	1	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	80A（TC）	10V		4V @ 40µA	56 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	79W（TC）
BUK969R0-60E，118	-	RFQ	8852	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载				Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	75A（TC）	5V	8mohm @ 20a，10v	2.1V @ 1mA	29.8 NC @ 5 V	±10V	4350 pf @ 25 V	-	137W（TC）
SIHP16N50C-E3	5.8400	RFQ	963	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP16	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	16A（TC）	10V	380MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±30V	1900 pf @ 25 V	-	250W（TC）
AUIRFB3806	-	RFQ	6614	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道	60 V	43A（TC）	10V	15.8mohm @ 25a，10v	4V @ 50µA	30 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 50 V	-	71W（TC）
BUK6C2R1-55C，118-nx	-	RFQ	1965年	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道	55 v	228a（TC）	10V	2.3MOHM @ 90A，10V	2.8V @ 1mA	253 NC @ 10 V	±16V	16000 PF @ 25 V	-	300W（TC）
FDFC2P100	0.1700	RFQ	115	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	150MOHM @ 3A，4.5V	1.5V @ 250µA	4.7 NC @ 10 V	±12V	445 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.5W（TA）
SIPC69SN60C3X3SA1	5.8000	RFQ	3	Infineon技术	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0040	1,500
IPP054NE8NGHKSA2	-	RFQ	7756	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP054M	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	下载		3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	85 v	100A（TC）	10V	5.4MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	12100 PF @ 40 V	-	300W（TC）
ISC011N06LM5ATMA1	4.0900	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC011N	MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-17	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	60 V	37A（TA），288A （TC）	4.5V，10V	1.15MOHM @ 50a，10v	2.3V @ 116µA	170 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 30 V	-	3W（3W），188w（tc）
IXFE80N50	-	RFQ	3665	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixfe80	MOSFET （金属 o化物）	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10	n通道	500 v	72A（TC）	10V	55mohm @ 40a，10v	4.5V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	9890 pf @ 25 V	-	580W（TC）
DMN10H220LE-13	0.5900	RFQ	140	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	DMN10	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	2.3a（ta）	4.5V，10V	220MOHM @ 1.6A，10V	2.5V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	401 PF @ 25 V	-	1.8W（TA）
APTM50DAM19G	200.7200	RFQ	1400	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM50	MOSFET （金属 o化物）	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	500 v	163a（TC）	10V	22.5MOHM @ 81.5A，10V	5V @ 10mA	492 NC @ 10 V	±30V	22400 PF @ 25 V	-	1136W（TC）
PMCM440VNE084	-	RFQ	8894	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	9,000
SIHG73N60E-GE3	12.6600	RFQ	7443	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG73	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	600 v	73A（TC）	10V	39mohm @ 36a，10v	4V @ 250µA	362 NC @ 10 V	±30V	7700 PF @ 100 V	-	520W（TC）
BUK9524-55A，127	-	RFQ	7249	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	46A（TC）	4.5V，10V	21.7mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	1815 PF @ 25 V	-	105W（TC）
HUF75345S3	-	RFQ	7505	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUF75	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	400	n通道	55 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	275 NC @ 20 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	325W（TC）
TN0610N3-G-P013	1.0500	RFQ	2151	微芯片技术	-	（TB）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN0610	MOSFET （金属 o化物）	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	100 v	500mA（TJ）	3V，10V	1.5OHM @ 750mA，10V	2V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	1W（TC）
FDMS8023S	0.6200	RFQ	1	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	8-pqfn（5x6）	下载				Ear99	8542.39.0001	483	n通道	30 V	26a（26a），49a （TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 26a，10v	3V @ 1mA	57 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），59W（TC）
BUK9880-55/CU135	-	RFQ	2269	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	4,000
3N163 SOT-143 4L ROHS	5.3100	RFQ	9439	线性集成系统公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	3N163	MOSFET （金属 o化物）	SOT-143-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	40 V	50mA	20V	250ohm @ 100µA，20V	5V @ 10µA		-6.5V	3.5 pf @ 15 V	-	350MW
IXFL34N100	30.8628	RFQ	7917	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixfl34	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	1000 v	30A（TC）	10V	280mohm @ 30a，10v	5V @ 8mA	380 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	550W（TC）
FQA10N60C	1.9700	RFQ	44	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	30	n通道	600 v	10A（TC）	10V	730MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±30V	2040 pf @ 25 V	-	192W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²