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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IPB65R225C7ATMA1	-	RFQ	2290	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	11A（TC）	10V	225MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	63W（TC）
STW58N65DM2AG	11.6700	RFQ	8672	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™DM2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW58	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	48A（TC）	10V	65MOHM @ 24A，10V	5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±25V	4100 PF @ 100 V	-	360W（TC）
2SJ296STL-E	4.3800	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	69
AOD4186	0.2558	RFQ	7688	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD418	MOSFET （金属 o化物）	TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	（10a ta），35a tc（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 20a，10v	2.7V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1200 pf @ 20 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
SPU02N60S5	-	RFQ	9583	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	pg-to251-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	5.5V @ 80µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IXTP20N65X2	5.0500	RFQ	279	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp20	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	238-ixtp20n65x2	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	20A（TC）	10V	185mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	1450 pf @ 25 V	-	290W（TC）
MCU20N15-TP	-	RFQ	1040	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MCU20	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	150 v	20A（TC）	10V	65mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	600 pf @ 75 V	-	68W
SST210 SOT-143 4L ROHS	5.4800	RFQ	2	线性集成系统公司	SST210	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA		MOSFET （金属 o化物）	SOT-143-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	50mA（TA）	5V，25V	50ohm @ 1mA，10v	1.5V @ 1µA		±40V		-	300MW（TA）
IXTN8N150L	53.8500	RFQ	160	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn8	MOSFET （金属 o化物）	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道	1500 v	7.5A（TC）	20V	3.6OHM @ 4A，20V	8V @ 250µA	250 NC @ 15 V	±30V	8000 PF @ 25 V	-	545W（TC）
RRS050P03HZGTB	1.2800	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RRS050	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	30 V	5A（5A）	4V，10V	50mohm @ 5a，10v	2.5V @ 1mA	9.2 NC @ 5 V	±20V	850 pf @ 10 V	-	2W（TA）
IAUC100N08S5N031ATMA1	2.8800	RFQ	2499	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUC100	MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	80 V	100A（TC）	6V，10V	3.1MOHM @ 50a，10v	3.8V @ 95µA	76 NC @ 10 V	±20V	5525 pf @ 40 V	-	167W（TC）
IAUT300N08S5N012ATMA2	7.1000	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IAUT300	MOSFET （金属 o化物）	PG-HSOF-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	80 V	300A（TC）	6V，10V	1.2MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 275µA	231 NC @ 10 V	±20V	16250 PF @ 40 V	-	375W（TC）
IRF1324S-7ppbf	-	RFQ	1518年	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（7铅）	下载						0000.00.0000	1	n通道	24 V	240a（TC）	10V	1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	252 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 19 V	-	300W（TC）
STL24NM60N	4.4400	RFQ	6	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL24	MOSFET （金属 o化物）	PowerFlat™（8x8）HV	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	600 v	3.3a（TA），16a （TC）	10V	215MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±25V	1400 pf @ 50 V	-	（3W）（125W（ta）（TC）
IXFH400N075T2	16.0900	RFQ	6654	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH400	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	75 v	400A（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	420 NC @ 10 V	±20V	24000 pf @ 25 V	-	1000W（TC）
RJK0397DPA-02＃j53	0.5500	RFQ	6	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
Auirlr120n	-	RFQ	3129	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001521880	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	10A（TC）	4V，10V	185mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±16V	440 pf @ 25 V	-	48W（TC）
GC11N65K	0.6080	RFQ	50	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	650 v	11A（TC）	10V	360MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±30V	901 PF @ 50 V	-	78W（TC）
AON6748_101	-	RFQ	7715	Alpha＆欧米茄半导体公司	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				aon67			-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
IXFP14N55X2	5.8746	RFQ	6048	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-	-	-	IXFP14	-	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfp14n55x2	Ear99	8541.29.0095	50	-		-	-	-	-		-		-	-
ixta08n120p-trl	2.5952	RFQ	1599年	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta08	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta08n120p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	1200 v	800mA（TC）	10V	25ohm @ 400mA，10v	4.5V @ 50µA	14 NC @ 10 V	±20V	333 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFBC40APBF	2.4900	RFQ	496	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBC40APBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	1036 pf @ 25 V	-	125W（TC）
STFI11N65M2	-	RFQ	9947	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	stfi11n	MOSFET （金属 o化物）	I2PAKFP（to-281）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	7A（TC）	10V	670MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	12.5 NC @ 10 V	±25V	410 pf @ 100 V	-	25W（TC）
IRF2903ZPBF	1.6468	RFQ	9665	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF2903	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	30 V	75A（TC）	10V	2.4MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	240 NC @ 10 V	±20V	6320 PF @ 25 V	-	290W（TC）
FDS4410A	1.0000	RFQ	2286	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS44	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	10a（10a）		13.5MOHM @ 10A，10V	3V @ 250µA	16 NC @ 5 V		1205 pf @ 15 V	-	-
SK8603170L	1.0500	RFQ	5	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线		MOSFET （金属 o化物）	HSO8-F4-B	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	20A（20A），59A （TC）	4.5V，10V	4.1MOHM @ 14A，10V	3V @ 2.56mA	17 NC @ 4.5 V	±20V	2940 pf @ 10 V	-	2.8W（24W），24W tc）
RJK0351DPA-WS＃j0	0.8500	RFQ	410	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
FDA16N50-F109	1.5600	RFQ	270	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）	to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	270	n通道	500 v	16.5A（TC）	10V	380MOHM @ 8.3A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1945 pf @ 25 V	-	205W（TC）
htnfet-d	-	RFQ	3097	霍尼韦尔航空航天	HTMOS™	大部分	积极的	-55°C〜225°C（TJ）	通过洞	8-CDIP裸露的垫子	htnfet	MOSFET （金属 o化物）	8-CDIP-EP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		342-1078	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	55 v	-	5V	400MOHM @ 100mA，5V	2.4V @ 100µA	4.3 NC @ 5 V	10V	290 pf @ 28 V	-	50W（TJ）
FCPF380N60E	3.1100	RFQ	4219	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF380	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	10.2A（TC）	10V	380MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	31W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²