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单FET，MOSFET（（44971）

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NTD4805N-1G	-	RFQ	4023	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD48	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	30 V	12.7A（ta），95a（tc）	4.5V，11.5V	5mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 11.5 V	±20V	2865 PF @ 12 V	-	1.41W（ta），79W（tc）
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MGSF1N03LT3	-	RFQ	4761	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MGSF1	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	30 V	1.6a（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 1.2A，10V	2.4V @ 250µA		±20V	140 pf @ 5 V	-	420MW（TA）
IXFN100N10S3	-	RFQ	7704	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN100	MOSFET （金属 o化物）	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道	100 v	100A（TC）	10V	15mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
MMSF1310R2	0.2000	RFQ	7	Onmi	*	大部分	积极的							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
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STF10N80K5	3.4000	RFQ	916	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF10	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15113-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	9A（TC）	10V	600MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 100µA	22 NC @ 10 V	±30V	635 pf @ 100 V	-	30W（TC）
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SPB100N03S2-03 g	-	RFQ	4445	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB100N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	30 V	100A（TC）	10V	3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	7020 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTY8N65X2	2.9800	RFQ	20	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty8	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1402-ixty8n65x2	Ear99	8541.29.0095	70	n通道	650 v	8A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	150W（TC）
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HUF76413D3	0.5000	RFQ	3	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	49mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±16V	645 pf @ 25 V	-	60W（TC）
IRFH5110TRPBF	-	RFQ	9045	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH5110	MOSFET （金属 o化物）	8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	100 v	（11a）（ta），63A（tc）	10V	12.4mohm @ 37a，10v	4V @ 100µA	72 NC @ 10 V	±20V	3152 PF @ 25 V	-	3.6W（TA），114W（tc）
DMP2039UFDE-7	0.1547	RFQ	5814	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	DMP2039	MOSFET （金属 o化物）	U-DFN2020-6（e）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	25 v	6.7a（ta）	1.8V，4.5V	27mohm @ 6.4a，4.5V	1V @ 250µA	48.7 NC @ 8 V	±8V	2530 pf @ 15 V	-	800MW（TA）
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AUIRFS4115	-	RFQ	3625	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	150 v	99a（TC）	10V	12.1MOHM @ 62a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	375W（TC）
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SUM70N04-07L-E3	-	RFQ	7229	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum70	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	40 V	70A（TC）	4.5V，10V	7.4mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），100W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²