RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
US6U37TR	0.2938	RFQ	6394	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	US6U37	MOSFET （金属 o化物）	Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	240MOHM @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 1mA	2.2 NC @ 4.5 V	±12V	80 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
HUF753333	0.7600	RFQ	2	哈里斯公司	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	400	n通道	55 v	66A（TC）		16mohm @ 66a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
BVSS84LT3G	-	RFQ	8462	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BVSS84	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	P通道	50 V	130mA（ta）	5V	10ohm @ 100mA，5v	2V @ 250µA	2.2 NC @ 10 V	±20V	36 pf @ 5 V	-	225MW（TA）
STI18N65M2	2.7700	RFQ	829	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI18	MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	12A（TC）	10V	330mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±25V	770 pf @ 100 V	-	110W（TC）
AON6586	-	RFQ	3582	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AON658	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	20A（20A），35A（tc）	4.5V，10V	7.5mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1150 pf @ 15 V	-	5W（5W），41W（41W）（TC）
IRLR2705TRRPBF	-	RFQ	6224	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001558392	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	55 v	28a（TC）	4V，10V	40mohm @ 17a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±16V	880 pf @ 25 V	-	68W（TC）
Auirru024Z	0.4800	RFQ	13	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道	55 v	16A（TC）	4.5V，10V	58mohm @ 9.6a，10V	3V @ 250µA	9.9 NC @ 5 V	±16V	380 pf @ 25 V	-	35W（TC）
2SK3353-az	3.4500	RFQ	3	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3353-az	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	82A（TC）	4V，10V	9.5MOHM @ 41A，10V	2.5V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±20V	4650 pf @ 10 V	-	1.5W（ta），95W（（（（（（（（（（
AOTF66616L	2.8300	RFQ	4	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF66616	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-1824	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	38A（TA），72.5A （TC）	6V，10V	3.3mohm @ 20a，10v	3.4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2870 pf @ 30 V	-	8.3W（TA），30W（TC）
NIF9N05CLT3G-SY	0.5100	RFQ	4	Sanyo	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000
SL3007-TP	0.5000	RFQ	9078	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SL3007	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	7a	4.5V，10V	25mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 15 V	-	1.9W
HUFA75332S3ST	0.4700	RFQ	44	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800	n通道	55 v	60a（TC）	10V	19mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	145W（TC）
STP15N60M2-EP	2.0100	RFQ	334	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP15	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	11A（TC）	10V	378MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	590 pf @ 100 V	-	110W（TC）
SQS462EN-T1_GE3	1.0300	RFQ	2097	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS462	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	8A（TC）	4.5V，10V	63MOHM @ 4.3A，10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	470 pf @ 25 V	-	33W（TC）
DMTH15H017LPSWQ-13	1.7900	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	DMTH15	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI5060-8（type UX）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	150 v	8a（8a ta），50a （TC）	4.5V，10V	17.5mohm @ 20a，10v	2.6V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3369 PF @ 75 V	-	1.5W（ta），107W（TC）
R6020ENXC7G	5.3400	RFQ	956	Rohm半导体	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6020	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6020ENXC7G	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	20A（TA）	10V	196mohm @ 9.5a，10V	4V @ 1mA	60 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IRFZ24SPBF	2.4800	RFQ	741	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ24	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	17a（TC）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
IPI120N10S405AKSA1	-	RFQ	5364	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI120N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	100 v	120A（TC）	10V	5.3MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 120µA	91 NC @ 10 V	±20V	6540 pf @ 25 V	-	190w（TC）
IPC65SR048CFDAE8206X2SA2	-	RFQ	2984	Infineon技术	-	大部分	过时的				IPC65			-	rohs3符合条件		到达不受影响		过时的		1
BUK7Y102-100B，115	0.8300	RFQ	3042	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	BUK7Y102	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	100 v	15A（TC）	10V	102MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	12.2 NC @ 10 V	±20V	779 pf @ 25 V	-	60W（TC）
AOTF600A60L	0.8024	RFQ	4025	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF600	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOTF600A60L	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	8a（TJ）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	3.5V @ 250µA	11.5 NC @ 10 V	±20V	608 pf @ 100 V	-	27.5W（TC）
UPA2714GR（0）-e1-a	-	RFQ	6654	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的							下载	rohs3符合条件	供应商不确定			Ear99	8541.29.0095	3,000			7A（TJ）
SPD03N50C3ATMA1	0.7234	RFQ	8077	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD03N50	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	500 v	3.2A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	3.9V @ 135µA	15 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	38W（TC）
IGLD60R190D1AUMA3	14.3900	RFQ	100	Infineon技术	Coolgan™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-ldfn暴露垫		ganfet（n化岩）	PG-LSON-8-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	600 v	10A（TC）	-	-	1.6V @ 960µA		-10V	157 PF @ 400 V	-	62.5W（TC）
MCQ08N06-TP	-	RFQ	1441	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCQ08	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	60 V	8a（8a）	4.5V，10V	19.5mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	864 pf @ 30 V		1.4W（TA）
FDMS86200E	-	RFQ	8351	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	-	FDMS86200	-	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	2832-FDMS86200ETR	Ear99	8541.29.0095	3,000	-		9.6a（TA），35a （TC）	-	-	-		-			-
IRFS7430pbf	-	RFQ	9018	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001578352	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	195a（TC）	6V，10V	1.2MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	460 NC @ 10 V	±20V	14240 pf @ 25 V	-	375W（TC）
2N6660-E3	-	RFQ	7399	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6660	MOSFET （金属 o化物）	TO-205AD（TO-39）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100	n通道	60 V	990mA（tc）	5V，10V	3ohm @ 1a，10v	2V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	（725MW）（6.25W）TC）
IPB160N08S4-03ATMA1	-	RFQ	5530	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-7-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	80 V	160a（TC）	10V	3.2MOHM @ 100A，10V	4V @ 150µA	112 NC @ 10 V	±20V	7750 PF @ 25 V	-	208W（TC）
SIE802DF-T1-E3	1.8574	RFQ	5701	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE802	MOSFET （金属 o化物）	10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 23.6a，10v	2.7V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 15 V	-	5.2W（ta），125W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²