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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
FDA16N50-F109	1.5600	RFQ	270	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）	to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	270	n通道	500 v	16.5A（TC）	10V	380MOHM @ 8.3A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1945 pf @ 25 V	-	205W（TC）
htnfet-d	-	RFQ	3097	霍尼韦尔航空航天	HTMOS™	大部分	积极的	-55°C〜225°C（TJ）	通过洞	8-CDIP裸露的垫子	htnfet	MOSFET （金属 o化物）	8-CDIP-EP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		342-1078	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	55 v	-	5V	400MOHM @ 100mA，5V	2.4V @ 100µA	4.3 NC @ 5 V	10V	290 pf @ 28 V	-	50W（TJ）
FCPF380N60E	3.1100	RFQ	4219	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF380	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	10.2A（TC）	10V	380MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	31W（TC）
STD4NK80ZT4	1.9100	RFQ	2	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD4NK80	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	800 v	3A（TC）	10V	3.5OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 50µA	22.5 NC @ 10 V	±30V	575 PF @ 25 V	-	80W（TC）
IPD11DP10NMATMA1	1.8500	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD11D	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	100 v	3.4a（TA），22a （TC）	10V	111MOHM @ 18A，10V	4V @ 1.7mA	74 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 50 V	-	（3W）（125W（ta）（TC）
PMX400UPZ	0.4800	RFQ	8	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	0201（0603公制）		MOSFET （金属 o化物）	DFN0603-3（SOT8013）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15,000	P通道	20 v	900mA（ta）	1.8V，4.5V	500MOHM @ 1A，4.5V	900mv @ 250µA	2.4 NC @ 4.5 V	±12V	146 pf @ 10 V	-	500MW（TA），4.7W（TC）
AOT416L	-	RFQ	8231	Alpha＆欧米茄半导体公司	SDMOS™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT41	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	100 v	4.7a（42A），42a（tc）	7V，10V	37mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±25V	1450 pf @ 50 V	-	1.92W（TA），150w（tc）
MCT03N06-TP	0.1645	RFQ	7983	微商业公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	MCT03	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载				353-MCT03N06-TP	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	3a	4.5V，10V	105mohm @ 3a，10v	2V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±20V	247 pf @ 30 V	-	1.2W
FCPF380N65FL1-F154	3.2100	RFQ	990	Onmi	FRFET®，SuperFet®II	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF380	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FCPF380N65FL1-F154	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	10.2A（TC）		380MOHM @ 5.1A，10V	5V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 100 V	-	33W（TC）
2SK669K	0.1000	RFQ	4144	Onmi	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	2,843
CPC3960ZTR	0.8900	RFQ	3	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	CPC3960	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	-	0V	44ohm @ 100mA，0v	-		±15V	100 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
FDMA0104	0.3100	RFQ	11	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	FDMA01	MOSFET （金属 o化物）	6-microfet（2x2）	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000	n通道	20 v	9.4A（TA）		14.5MOHM @ 9.4a，4.5V	1V @ 250µA	17.5 NC @ 4.5 V		1680 pf @ 10 V	-	1.9W（TA）
PHM10030DLS115	0.3600	RFQ	24	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500
DI150N03PQ	0.9919	RFQ	9059	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	8-qfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-DI150N03PQTR		8541.21.0000	5,000	n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 25A，10V	2.5V @ 250µA	37 NC @ 4.5 V	±20V	5100 PF @ 15 V	-	86W（TC）
FDS6689	1.0100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	16A（TA）	4.5V，10V	5.4mohm @ 16a，10v	3V @ 1mA	78 NC @ 10 V	±20V	3290 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
ZVP3310FTA-50	0.1328	RFQ	9890	二极管合并	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ZVP3310	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载				31-ZVP3310FTA-50	Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	100 v	75ma（ta）	10V	20ohm @ 150mA，10v	3.5V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	330MW（TA）
FDZ372NZ	1.3600	RFQ	978	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP		MOSFET （金属 o化物）	4-WLCSP（1x1）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	5,000	n通道	20 v	4.7a（ta）		50MOHM @ 2A，4.5V	1V @ 250µA	9.8 NC @ 4.5 V		685 pf @ 10 V	-	1.7W（TA）
TSM60NC196CI C0G	7.8200	RFQ	4	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）	ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM60NC196CIC0G	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	600 v	20A（TC）	10V	196mohm @ 9.5a，10V	5V @ 1mA	39 NC @ 10 V	±30V	1535 PF @ 300 V	-	70W（TC）
LSIC1MO120T0160-TU	8.1853	RFQ	4102	ixys	-	管子	积极的	-	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	LSIC1MO120	SIC （硅碳化物交界晶体管）	TO-263-7	下载				238-LSIC1MO120T0160-TU	Ear99	8541.29.0095	400	n通道	1200 v	22a（TC）	-	-	-		-		-	-
IPB80P04P4L08ATMA1	-	RFQ	5447	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80P	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道	40 V	80A（TC）	4.5V，10V	7.9MOHM @ 80a，10V	2.2V @ 120µA	92 NC @ 10 V	±16V	5430 pf @ 25 V	-	75W（TC）
NP80N04NDG-S18-AY	1.8400	RFQ	400	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	TO-262	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	80A（TC）		4.8mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V		6900 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），115W（tc）
TSM1NB60CH	0.7448	RFQ	1962年	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM1	MOSFET （金属 o化物）	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM1NB60CH	Ear99	8541.29.0095	15,000	n通道	600 v	1A（TC）	10V	10ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	138 pf @ 25 V	-	39W（TC）
AOT600A60L	0.8024	RFQ	3606	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT600	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOT600A60L	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	8A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	3.5V @ 250µA	11.5 NC @ 10 V	±20V	608 pf @ 100 V	-	27.5W（TC）
DIW120SIC059-AQ	27.2700	RFQ	1627年	diotec半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		sicfet （碳化硅）	TO-247	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	4878-DIW120SIC059-AQ			30	n通道	1200 v	65A（TC）	18V	53mohm @ 33a，18v	4V @ 9.5mA	121 NC @ 15 V		2070 PF @ 1000 V	-	278W（TC）
PSMN013-100ES，127	0.6300	RFQ	3	NXP USA Inc.	*	管子	积极的				PSMN0			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000
STD50N03L	-	RFQ	8826	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD50N	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	40a（TC）	5V，10V	10.5MOHM @ 20A，10V	1V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±20V	1434 PF @ 25 V	-	60W（TC）
SIJA58DP-T1-GE3	0.4092	RFQ	3967	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJA58	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	+20V，-16V	3750 pf @ 20 V	-	27.7W（TC）
NTD60N02R-35G	-	RFQ	8753	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	NTD60	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	25 v	8.5a（ta），32a（tc）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1330 pf @ 20 V	-	1.25W（TA），58W（tc）
VP0104N3-G	1.0200	RFQ	978	微芯片技术	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	VP0104	MOSFET （金属 o化物）	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道	40 V	250mA（TJ）	5V，10V	8ohm @ 500mA，10v	3.5V @ 1mA		±20V	60 pf @ 25 V	-	1W（TC）
SCT3120ALGC11	9.1500	RFQ	2	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT3120	sicfet （碳化硅）	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q12567120	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	21a（TC）	18V	156mohm @ 6.7a，18v	5.6V @ 3.33mA	38 NC @ 18 V	+22V，-4V	460 pf @ 500 V	-	103W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²