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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（QG））（最大） @ vgs	（ciss））（最大） @ vds
AOB414_001	-	RFQ	9859	Alpha＆欧米茄半导体公司	SDMOS™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AOB41	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D2PAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	100 v	6.6a（6a）（51A）（TC）	7V，10V	25mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	2200 PF @ 50 V	-	2.5W（TA），150W（TC）
NTMFS4931NT3G	-	RFQ	5213	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4931	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000	n通道	30 V	23A（23A），246a （TC）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	9821 PF @ 15 V	-	950MW（TA）
NTE66	6.4400	RFQ	257	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件			2368-NTE66	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.3a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	77W（TC）
BSZ035N03LSGATMA1	1.6700	RFQ	5634	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ035	MOSFET （金属 o化物）	PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	20A（20A），40a tc（TC）	4.5V，10V	3.5mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	4400 pf @ 15 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
irfu6215pbf	-	RFQ	1501	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	IPAK（to-251）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	P通道	150 v	13A（TC）	10V	295MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRF610A	-	RFQ	9339	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	200 v	3.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.65a，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±30V	210 pf @ 25 V	-	38W（TC）
FDMF6823	-	RFQ	1548年	Fairchild半导体	*	大部分	积极的							下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-FDMF6823-600039			1
DMN1017UCP3-7	0.2035	RFQ	4374	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XDFN	DMN1017	MOSFET （金属 o化物）	X3-DSN1010-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	12 v	7.5A（ta）	1.8V，3.3V	17mohm @ 5A，3.3V	1V @ 250µA	16 NC @ 3.3 V	±8V	1503 PF @ 6 V	-	1.47W
irlr110trr	-	RFQ	6708	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR110	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	4.3A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 2.6a，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFM220BTF	0.2900	RFQ	70	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）	SOT-223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	200 v	1.13A（TC）	10V	800MOHM @ 570mA，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	390 pf @ 25 V	-	2.4W（TC）
IPB024N08NF2SATMA1	3.1100	RFQ	779	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB024N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	80 V	107a（TC）	6V，10V	2.4MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 85µA	133 NC @ 10 V	±20V	6200 PF @ 40 V	-	150W（TC）
E3M0120090J-Tr	8.1573	RFQ	5147	Wolfspeed，Inc。	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA		SIC （硅碳化物交界晶体管）	TO-263-7	-				1697-E3M0120090J-Tr			800	n通道	900 v	22a（TC）	15V	155mohm @ 15a，15v	3.5V @ 3mA	18 nc @ 15 V	+15V，-4V	414 PF @ 600 V		83W（TC）
RW1A025APT2CR	-	RFQ	4370	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	RW1A025	MOSFET （金属 o化物）	6-Wemt	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000	P通道	12 v	2.5a（ta）	1.5V，4.5V	62MOHM @ 2.5A，4.5V	1V @ 1mA	16 NC @ 4.5 V	-8V	2000 pf @ 6 V	-	400MW（TA）
STH275N8F7-2AG	5.9600	RFQ	3839	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH275	MOSFET （金属 o化物）	H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	80 V	180a（TC）	10V	2.1MOHM @ 90A，10V	4.5V @ 250µA	193 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 50 V	-	315W（TC）
2SK2159-T1-AZ	-	RFQ	6837	肾脏	-	大部分	过时的							-				2156-2SK2159-T1-AZ			1
FQP8N60C	1.2200	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	247	n通道		7.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.75A，10V	4V @ 250µA	36	±30V	1255	-	147W（TC）	10	25
AONS21307	0.2614	RFQ	6543	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AONS213	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AONS21307TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	17a（17a），24a （TC）	4.5V，10V	11mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±25V	1995 pf @ 15 V	-	5W（5W），38W（tc）
DMT10H9M9SSSSSS-13	0.4606	RFQ	1677年	二极管合并	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				DMT10			-			到达不受影响	31-DMT10H9M9SSSSSSSSS-13TR			2,500
FDMC4435BZ-F127-L701	0.5273	RFQ	6317	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDMC4435BZ-F127-L701TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	8.5a（ta），18a（tc）	4.5V，10V	20mohm @ 8.5a，10v	3V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±25V	2045 PF @ 15 V	-	2.3W（TA），31W（tc）
2SK2631-TL-E	-	RFQ	6259	Onmi	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	DPAK/TP-FA	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SK2631-TL-E-488			1	n通道	800 v	1A（1A）	15V	10ohm @ 500mA，15v	5.5V @ 1mA	8 nc @ 10 V	±30V	300 pf @ 20 V	-	1W（TA），30W（TC）
STD30NF04LT	-	RFQ	5248	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD30N	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	30A（TC）	5V，10V	30mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	720 PF @ 25 V	-	50W（TC）
IXFB70N60Q2	30.0952	RFQ	8285	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB70	MOSFET （金属 o化物）	加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	600 v	70A（TC）	10V	88mohm @ 35a，10v	5.5V @ 8mA	265 NC @ 10 V	±30V	12000 PF @ 25 V	-	890W（TC）
TSM60NB380CF	2.5238	RFQ	7234	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM60	MOSFET （金属 o化物）	ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB380CF	Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±30V	810 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
STB60NF06T4	2.1300	RFQ	1	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB60	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	60 V	60a（TC）	10V	16mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	1810 PF @ 25 V	-	110W（TC）
UPA2706GR-E1-AT	1.1600	RFQ	7	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）	8-sop	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA2706GR-E1-AT	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	30 V	（11a）（ta），20A （TC）	4V，10V	15mohm @ 5.5a，10v	2.5V @ 1mA	7.1 NC @ 5 V	±20V	660 pf @ 10 V	-	（3W）（15W）（15W）TC）
IRFR214TRPBF	1.4500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR214	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
HAT2218R0T-EL-E	0.7600	RFQ	15	肾脏	-	大部分	过时的							-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HAT2218R0T-EL-E	Ear99	8541.29.0075	1
IPB140N08S404ATMA1	-	RFQ	5051	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB140	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	80 V	140a（TC）	10V	4.2MOHM @ 100A，10V	4V @ 100µA	80 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	161W（TC）
ISC16DP15LMATMA1	2.7900	RFQ	3539	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-ISC16DP15LMATMA1CT	Ear99	8541.29.0095	5,000
IRF9143	4.3400	RFQ	80	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AE		MOSFET （金属 o化物）	TO-204AE	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	80	P通道	80 V	15a		-	-		-		标准	125W

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²