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单FET，MOSFET（（44971）

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IPD110N12N3GATMA1	2.5000	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD110	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	120 v	75A（TC）	10V	11mohm @ 75a，10v	3V @ 83µA（83µA）	65 NC @ 10 V	±20V	4310 PF @ 60 V	-	136W（TC）
FDS3692	1.0000	RFQ	9168	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	100 v	4.5A（ta）	6V，10V	60mohm @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	746 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRFS4115Trl7pp	2.0900	RFQ	25	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（7铅）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道	150 v	105A（TC）	10V	11.8mohm @ 63a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	5320 PF @ 50 V	-	380W（TC）
AONS18314	-	RFQ	5946	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				AONS183			-	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AONS18314TR			3,000
NVMFS5C628NT1G	3.0400	RFQ	8707	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS5C628NT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	60 V	28a（28a），150a（tc）	10V	3mohm @ 27a，10v	4V @ 135µA	34 NC @ 10 V	±20V	2630 PF @ 30 V	-	3.7W（TA），110W（TC）
IRF433	-	RFQ	8910	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-204aa		MOSFET （金属 o化物）	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	154	n通道	450 v	4a	-	-	-		-		-	75W
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PSMN4R2-80YSEX	3.3600	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	80 V	170a（ta）	10V	4.2MOHM @ 25A，10V	3.6V @ 1mA	110 NC @ 10 V	±20V	8000 PF @ 40 V	-	294W（TA）
FDU6692	1.2800	RFQ	62	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	30 V	54A（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±16V	2164 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
SI2101-TP	-	RFQ	3217	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI2101	MOSFET （金属 o化物）	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	1.4A（TJ）	1.8V，4.5V	100mohm @ 1A，4.5V	1.2V @ 250µA		±8V	640 pf @ 8 V	-	290MW
IPB100N04S2L-03ATMA2	2.0900	RFQ	17	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
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2SK4097L	1.7200	RFQ	334	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220FI（LS）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	100	n通道	500 v	8.3a（TC）		650MOHM @ 5A，10V	-	30 NC @ 10 V		750 pf @ 30 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
aod526_delta	-	RFQ	4670	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD52	MOSFET （金属 o化物）	TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1550 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
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BSP299L6327	-	RFQ	9136	Infineon技术	*	大部分	积极的							-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
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IRFSL3306PBF	2.6400	RFQ	1978年	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFSL3306	MOSFET （金属 o化物）	TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	60 V	120A（TC）	10V	4.2MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4520 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IRF6610TRPBF	-	RFQ	9902	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺		MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™SQ	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800	n通道	20 v	（15a）（TA），66A （TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1520 pf @ 10 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IXTP180N055T	-	RFQ	1440	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	IXTP180	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	180a（TC）		-	4V @ 1mA				-	-
DMP4011SK3-13	0.5541	RFQ	5032	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMP4011	MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMP4011SK3-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	40 V	（14a）（ta），74a tc（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 9.8a，10v	2.5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	2747 PF @ 20 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
PSMN017-30EL，127	-	RFQ	3587	Nexperia USA Inc.	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	PSMN017	MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	30 V	32A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 10a，10v	2.15V @ 1mA	10.7 NC @ 10 V	±20V	552 pf @ 15 V	-	47W（TC）
FCB20N60-F085	-	RFQ	8057	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，SuperFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（TO-263）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	20A（TC）		198mohm @ 20a，10v	5V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±30V	3080 pf @ 25 V	-	341W（TC）
FDS8842NZ	1.6300	RFQ	16	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS8842	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	14.9a（ta）	4.5V，10V	7MOHM @ 14.9a，10V	3V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±20V	3845 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
STI400N4F6	5.0400	RFQ	1	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI400N	MOSFET （金属 o化物）	i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	120A（TC）	10V	1.7MOHM @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	377 NC @ 10 V	±20V	20000 PF @ 25 V	-	300W（TC）
RJK6012DPP-E0 ＃T2	-	RFQ	1382	Renesas Electronics America Inc	-	管子	在sic中停产	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	10a（10a）	10V	920MOHM @ 5A，10V	-	30 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	30W（TC）
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DMTH3002LPSQ-13	0.5592	RFQ	6944	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	POWERDI5060-8（k型）	-			到达不受影响	31-DMTH3002LPSQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	240a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	77 NC @ 10 V	±16V	5000 pf @ 15 V	-	1.2W（TA），136W（tc）
RJK0395DPA-WS＃j53	0.5500	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²