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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
GSF2301	0.2600	RFQ	2	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000		P通道		20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	110MOHM @ 3A，4.5V	1V @ 250µA	12 nc @ 2.5 V	±12V	405 pf @ 10 V	-	1W（ta）
HGTG40N60C3	6.0700	RFQ	89	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		291 w	TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			480V，40a，3ohm，15V												-	600 v	75 a	300 a	1.8V @ 15V，40a	850mj（在），1MJ（1MJ）上	395 NC	47NS/185NS
MCQ4459-TP	-	RFQ	5588	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MCQ4459		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道		30 V	6.5A（TA）	10V	72MOHM @ 5A，10V	2.4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	625 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
HGT1S3N60A4DS9A	-	RFQ	6906	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HGT1S3N60	标准		70 W	d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			390V，3A，50OHM，15V											29 ns	-	600 v	17 a	40 a	2.7V @ 15V，3A	（37µJ）（在），25µJ（25µJ）中	21 NC	6NS/73NS
FGA30N65SMD	-	RFQ	7531	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA30N65	标准		300 w	to-3pn	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2832-FGA30N65SMD	Ear99	8541.29.0095	450			400V，30a，6ohm，15V											35 ns	现场停止	650 v	60 a	90 a	2.5V @ 15V，30a	（716µJ）（在），208µJ（（（（）	87 NC	14NS/102NS
IRF7862TRPBF	1.2300	RFQ	14	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7862		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		30 V	21a（21a）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 20A，10V	2.35V @ 100µA	45 NC @ 4.5 V	±20V	4090 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FGPF4565	-	RFQ	7440	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FGPF4	标准		30 W	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			400V，30a，5ohm，15V												沟渠场停止	650 v		170 a	1.88V @ 15V，30a	-	40.3 NC	11.2NS/40.8NS
LND150N3-G-P014	0.6800	RFQ	6783	微芯片技术	-	（CT）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	LND150		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道		500 v	30mA（TJ）	0V	1000OHM @ 500µA，0V	-		±20V	10 pf @ 25 V	耗尽模式	740MW（TA）
STP21N90K5	6.6600	RFQ	8586	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP21		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12864-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		900 v	18.5A（TC）	10V	299MOHM @ 9A，10V	5V @ 100µA	43 NC @ 10 V	±30V	1645 PF @ 100 V	-	250W（TC）
UPA1728G（0）-E1-AY	0.6700	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
2SK1157-E	5.0300	RFQ	339	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
AUIRFS8405	1.2500	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 100µA	161 NC @ 10 V	±20V	5193 PF @ 25 V	-	163W（TC）
SIE808DF-T1-E3	3.9800	RFQ	6782	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE808		MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	8800 pf @ 10 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
MCB118N085Y-TP	2.4200	RFQ	1	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MCB118		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		85 v	118a（TC）	6V，10V	6mohm @ 59a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	156W
auirfs8407trr	1.1800	RFQ	395	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	195a（TC）		1.8mohm @ 100a，10v	4V @ 150µA	225 NC @ 10 V	±20V	7330 PF @ 25 V	-	230W（TC）
SPD01N60C3BTMA1	-	RFQ	5481	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD01N		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		650 v	800mA（TC）	10V	6ohm @ 500mA，10v	3.9V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	100 pf @ 25 V	-	11W（TC）
TK5P53D（T6RSS-Q）	1.3400	RFQ	4199	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK5P53		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		525 v	5A（5A）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	4.4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±30V	540 pf @ 25 V	-	80W（TC）
XPH2R106NC，L1XHQ	2.1700	RFQ	9	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-SOIC （0.197英寸，5.00mm宽度）	XPH2R106		MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		60 V	110a（ta）		2.1MOHM @ 55A，10V	2.5V @ 1mA	104 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 10 V	-	960MW（TA），170W（tc）
TSM260P02CX RFG	1.1500	RFQ	10	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装				MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	6.5A（TC）	1.8V，2.5V，4.5V	26mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	19.5 NC @ 4.5 V	±10V	1670 pf @ 15 V	标准	1.56W（TC）
IPI041N12N3GAKSA1	6.3500	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI041		MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		120 v	120A（TC）	10V	4.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 270µA	211 NC @ 10 V	±20V	13800 PF @ 60 V	-	300W（TC）
NGTB30N120L2WG	8.3800	RFQ	9	Onmi	*	管子	积极的				NGTB30					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30
AO6401	-	RFQ	3676	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	AO640		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AO6401TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	5A（5A）	2.5V，10V	47MOHM @ 5A，10V	1.3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±12V	780 pf @ 15 V	-	2W（TA）
UPA2701GR-E1-AT	1.7200	RFQ	20	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-psop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	14A（TA）		7.5MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 1mA	12 nc @ 5 V		1200 pf @ 10 V	-
FQD3N50CTM	-	RFQ	7612	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FQD3		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		500 v	2.5A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.25A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	365 pf @ 25 V	-	35W（TC）
TSM2N7002KCU	0.3700	RFQ	2256	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM2N7002KCUTR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	240mA（ta）	4.5V，10V	2.5OHM @ 240mA，10V	2.5V @ 250µA	0.91 NC @ 4.5 V	±20V	30 pf @ 30 V	-	298MW（TA）
TSM025NH04LCR RLG	5.0500	RFQ	4	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM025NH04LCRLGTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	26a（26a），100a（tc）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 50a，10v	2.2V @ 250µA	63.3 NC @ 10 V	±16V	4179 PF @ 25 V	-	136W（TC）
TSM05N03CW RPG	1.3200	RFQ	25	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSM05		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	5A（5A）	4.5V，10V	60mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	7 NC @ 5 V	±20V	555 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CPH6413-TLD-E	-	RFQ	5682	Onmi	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		6-CPH	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-CPH6413-TLD-E-488			1		n通道		20 v	5A（5A）	2.5V，4V	41MOHM @ 3A，4V	1.3V @ 1mA	7.6 NC @ 4 V	±10V	570 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
BSM450D12P4G102	1.0000	RFQ	6512	Rohm半导体	-	盒子	积极的	175°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM450		（SIC）	1.45kW（TC）	模块	下载		（1 （无限）		846-BSM450D12P4G102			4	2 n通道			1200V	447a（TC）		-	4.8V @ 218.4mA	-		44000pf @ 10V	标准
STGWT80H65FB	6.3300	RFQ	88	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT80	标准		469 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，80a，10ohm，15V												沟渠场停止	650 v	120 a	240 a	2V @ 15V，80a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	414 NC	84NS/280NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²