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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BCX51-10115	1.0000	RFQ	3209	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载						0000.00.0000	1
FDH047AN08A0	1.0000	RFQ	9498	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		75 v	15A（TC）	6V，10V	4.7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	310W（TC）
BUK7Y20-30B115	1.0000	RFQ	7818	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载						0000.00.0000	1
NGB8207ABNT4G	0.6800	RFQ	30	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		逻辑		165 w	D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1		-											-	365 v	20 a	50 a	2.2V @ 3.7V，10a	-	-
FCH76N60NF	12.8900	RFQ	1	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	24	n通道		600 v	72.8A（TC）	10V	38mohm @ 38a，10v	5V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±30V	11045 PF @ 100 V	-	543W（TC）
FDD6688	1.1100	RFQ	149	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		30 V	84a（ta）	4.5V，10V	5mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3845 pf @ 15 V	-	83w（ta）
AUIRF1404S	3.3600	RFQ	25	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		40 V	75A（TC）	10V	4mohm @ 95a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7360 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
BUK7M21-40E，115	1.0000	RFQ	6146	NXP半导体	*	大部分	积极的									-						0000.00.0000	1
2SK3705	-	RFQ	7372	Sanyo	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.29.0095	1
FCPF22550N80Z	1.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	216	n通道		800 v	2.6A（TC）	10V	2.25OHM @ 1.3A，10V	4.5V @ 260µA	14 NC @ 10 V	±20V	585 pf @ 100 V	-	21.9W（TC）
PSMN1R2-30YLC，115	-	RFQ	4700	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PSMN1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
FCPF380N60-F154	1.5282	RFQ	1166	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF380		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		600 v	10.2A（TJ）		380MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1665 PF @ 25 V	-	31W（TC）
FDMS86152	2.6400	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	114	n通道		100 v	（14A）（TA），45A （TC）	6V，10V	6mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3370 pf @ 50 V	-	2.7W（ta），125W（tc）
IRFR7440TRPBF	-	RFQ	2155	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	176-LQFP			MOSFET （金属 o化物）		176-LQFP（24x24）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		40 V	90A（TC）	6V，10V	2.4MOHM @ 90A，10V	3.9V @ 100µA	134 NC @ 10 V	±20V	4610 PF @ 25 V	-	140W（TC）
psmn1r5-30yl，115	-	RFQ	3777	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PSMN1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
FDS9435A	-	RFQ	8938	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	P通道		30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	50mohm @ 5.3a，10v	3V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	528 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
SPP08N80C3	1.0000	RFQ	1057	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		800 v	8A（TC）	10V	650MOHM @ 5.1A，10V	3.9V @ 470µA	60 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104W（TC）
IRF624PBF-BE3	0.8831	RFQ	9980	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF624		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irf624pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		250 v	4.4A（TC）		1.1OHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	50W（TC）
STW68N65DM6-4AG	12.3100	RFQ	9273	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STW68		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-STW68N65DM6-4AG	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		650 v	72A（TC）		39mohm @ 36a，10v	4.75V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±25V	5900 PF @ 100 V	-	480W（TC）
NTMFS034N15MC	2.0100	RFQ	1	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMFS034		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		150 v	6.1a（TA），31a （TC）		31mohm @ 13a，10v	4.5V @ 70µA	12 nc @ 10 V	±20V	905 PF @ 75 V	-	2.5W（TA），62.5W（tc）
IXTA94N20X4	12.8000	RFQ	1	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta94		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixta94n20x4	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		200 v	94A（TC）	10V	10.6MOHM @ 47A，10V	4.5V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	5050 pf @ 25 V	-	360W（TC）
SIHP080N60E-GE3	4.3900	RFQ	958	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHP080N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		600 v	35A（TC）	10V	80Mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2557 PF @ 100 V	-	227W（TC）
NTE2984	2.7500	RFQ	212	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2368-NTE2984	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		60 V	17a（TC）	5V	140MOHM @ 8.5a，5V	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	60W
IAUS260N10S5N019TATMA1	7.6600	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	16-Powersop模块			MOSFET （金属 o化物）		PG-HDSOP-16-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800	n通道		100 v	260a（TJ）	6V，10V	1.9MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 210µA	166 NC @ 10 V	±20V	11830 PF @ 50 V	-	300W（TC）
MX2N4856UB/TR	68.9206	RFQ	4171	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-MX2N4856UB/TR			1
MV2N4857UB/TR	80.6379	RFQ	9707	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-MV2N4857UB/TR			1
Jan2n2907aub/tr	5.7456	RFQ	7790	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2907			500兆	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN2N2N2N2907AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	1														60 V	600 MA					50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
NTHL067N65S3H	9.5500	RFQ	442	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTHL067N65S3H	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		650 v	40a（TC）	10V	67mohm @ 20a，10v	4V @ 3.9mA	80 NC @ 10 V	±30V	3750 PF @ 400 V	-	266W（TC）
NTP165N65S3H	4.4800	RFQ	543	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NTP165N65S3H	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		650 v	19a（tc）	10V	165MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 1.6mA	35 NC @ 10 V	±30V	1808 PF @ 400 V	-	142W（TC）
NVTFS8D1N08HTAG	1.3000	RFQ	6564	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVTFS8D1N08HTAGTR	Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道		80 V	（14a）（61A）（61A）（TC）	6V，10V	8.3mohm @ 16a，10v	4V @ 270µA	23 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 40 V	-	3.8W（TA），75W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²