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晶体管（（100539）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 重量（ kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 测试条件 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 电压 -测试 电压 -故障（ v br（br）GSS） 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
LS5911 SOIC 8L-B Linear Integrated Systems, Inc. LS5911 SOIC 8L-B 12.4600
RFQ
 ECAD 5758 0.00000000 线性集成系统公司 LS5911 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 500兆 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0080 2,500 2 n 通道（双） 5pf @ 10V 25 v 7 ma @ 10 V 1 v @ 1 na
FDP047N08-F10 Fairchild Semiconductor FDP047N08-F10 2.8600
RFQ
 ECAD 432 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 FDP047 - - 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1 -
SCT4045DW7TL Rohm Semiconductor SCT4045DW7TL 12.2500
RFQ
 ECAD 996 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C（TJ） 表面安装 TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA sicfet （碳化硅） TO-263-7L 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 750 v 31a（TJ） 18V 59mohm @ 17a，18v 4.8V @ 8.89mA 63 NC @ 18 V +21V，-4V 1460 pf @ 500 V - 93W
QID3320002 Powerex Inc. QID3320002 -
RFQ
 ECAD 4148 0.00000000 Powerex Inc. r 大部分 在sic中停产 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 1.78 kW 标准 - - 835-QID3320002 1 半桥 - 3300 v 370 a 3.3V @ 15V，200a 2 ma 不 23000 PF @ 10 V
IXFE48N50Q IXYS IXFE48N50Q -
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 ECAD 1863年 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixfe48 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 41A（TC） 10V 110MOHM @ 24A，10V 4V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 7000 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXFA130N10T2-TRL IXYS IXFA130N10T2-TRL 3.5036
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 ECAD 1377年 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht2™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA130 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfa130n10t2-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 130a（TC） 10V 10.1MOHM @ 65A，10V 4.5V @ 1mA 130 NC @ 10 V ±20V 6600 PF @ 25 V - 360W（TC）
SISS65DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS65DN-T1-GE3 0.9000
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 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet®GenIII 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 PowerPak®1212-8 SISS65 MOSFET （金属 o化物） PowerPak®1212-8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 25.9a（ta），94A（tc） 4.5V，10V 4.6mohm @ 15a，10v 2.3V @ 250µA 138 NC @ 10 V ±20V 4930 PF @ 15 V - 5.1W（TA），65.8W（tc）
G30N03D3 Goford Semiconductor G30N03D3 0.5300
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 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 30a 7mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 825 pf @ 15 V 24W
PXT2907A-TP Micro Commercial Co PXT2907A-TP 0.0908
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 ECAD 8396 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA PXT2907 SOT-89 下载 353-PXT2907A-TP 1 60 V 600 MA 10NA（ICBO） PNP 1.6V @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，10V 200MHz
2SB825R Sanyo 2SB825R -
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 ECAD 5781 0.00000000 Sanyo * 大部分 过时的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-2SB825R-600057 1
BC847AWT1G onsemi BC847AWT1G 0.2100
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 ECAD 37 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 BC847 150兆 SC-70-3（SOT323） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 ma 15NA（icbo） NPN 600mv @ 5mA，100mA 110 @ 2mA，5V 100MHz
FQD5N50TM Fairchild Semiconductor FQD5N50TM 1.0700
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 ECAD 21 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252，（-d-pak） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 500 v 3.5A（TC） 10V 1.8OHM @ 1.75a，10V 5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 610 pf @ 25 V - 2.5W（ta），50W（50W）（TC）
IXGA15N100C IXYS IXGA15N100C -
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 ECAD 5409 0.00000000 ixys Lightspeed™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXGA15 标准 150 w TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 960V，15a，10ohm，15V - 1000 v 30 a 60 a 3.5V @ 15V，15a 850µJ（离） 73 NC 25NS/150NS
BCV47-TP Micro Commercial Co BCV47-TP 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BCV47 300兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 BCV47-TPMSTR Ear99 8541.21.0075 3,000 60 V 500 MA 100NA（ICBO） npn-达灵顿 1V @ 100µA，100mA 10000 @ 100mA，5V 170MHz
SSP2N60A Fairchild Semiconductor SSP2N60A 0.3700
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 ECAD 9 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 807 n通道 600 v 2A（TC） 10V 5ohm @ 1A，10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 V ±30V 410 pf @ 25 V - 54W（TC）
FGA40T65UQDF onsemi FGA40T65UQDF -
RFQ
 ECAD 6336 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 FGA40T65 标准 231 w to-3pn 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V，40a，6ohm，15V 89 ns npt 650 v 80 a 120 a 1.67V @ 15V，40a （989µJ）（在310µJ上） 306 NC 32NS/271NS
2SK4066-DL-E Sanyo 2SK4066-DL-E -
RFQ
 ECAD 6752 0.00000000 Sanyo - 大部分 过时的 150°C 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - Rohs不合规 供应商不确定 2156-2SK4066-DL-E-600057 1 n通道 60 V 100A（TA） 4V，10V 4.7MOHM @ 50a，10v 2.6V @ 1mA 220 NC @ 10 V ±20V 12500 PF @ 20 V - 1.65W（ta），90W（tc）
R6530KNZC8 Rohm Semiconductor R6530knzc8 -
RFQ
 ECAD 6614 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3 R6530 MOSFET （金属 o化物） to-3pf 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 846-R6530knzc8 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 30A（TC） 10V 140MOHM @ 14.5A，10V 5V @ 960µA 56 NC @ 10 V ±20V 2350 pf @ 25 V - 86W（TC）
BLP8G10S-45PY Ampleon USA Inc. blp8g10s-45py -
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 ECAD 9718 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 65 v 表面安装 SOT-1223-1 BLP8G10 952.5MHz〜957.5MHz ldmos 4-HSOPF 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 100 双重，共同来源 - 224 MA 2.5W 20.8dB - 28 V
CJD3055 TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CJD3055 TR13 PBFRE -
RFQ
 ECAD 6891 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -65°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 1.75 w DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 1514-CJD3055TR13PBFREETR Ear99 8541.29.0095 2,500 60 V 10 a 50µA NPN 8V @ 3.3a，10a 20 @ 4A，4V 2MHz
APTGF75SK60D1G Microsemi Corporation APTGF75SK60D1G -
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 ECAD 6033 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 在sic中停产 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 D1 355 w 标准 D1 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 单身的 npt 600 v 100 a 2.45V @ 15V，75a 500 µA 不 3.3 NF @ 25 V
TK7E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK7E80W，S1X 2.8500
RFQ
 ECAD 8245 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3 TK7E80 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 6.5A（TA） 10V 950MOHM @ 3.3A，10V 4V @ 280µA 13 NC @ 10 V ±20V 700 pf @ 300 V - 110W（TC）
DMN2013UFDEQ-7 Diodes Incorporated DMN2013UFDEQ-7 0.2465
RFQ
 ECAD 9944 0.00000000 二极管合并 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-Powerudfn DMN2013 MOSFET （金属 o化物） U-DFN2020-6（e） 下载 到达不受影响 31-DMN2013UFDEQ-7TR Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 10.5a（ta） 1.5V，4.5V 11mohm @ 8.5a，4.5V 1.1V @ 250µA 25.8 NC @ 8 V ±8V 2453 PF @ 10 V - 660MW（TA）
NGTB50N120FL2WG onsemi NGTB50N120FL2WG -
RFQ
 ECAD 2539 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 NGTB50 标准 535 w TO-247 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 NGTB50N120FL2WGOS Ear99 8541.29.0095 30 600V，50a，10ohm，15V 256 ns 沟渠场停止 1200 v 100 a 200 a 2.2V @ 15V，50a 4.4MJ（在）上，1.4MJ off） 311 NC 118NS/282NS
2N5784 Central Semiconductor Corp 2N5784 -
RFQ
 ECAD 1094 0.00000000 中央半导体公司 - 大部分 过时的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 1 w 到39 下载 到达不受影响 1514-2N5784 Ear99 8541.29.0095 1 65 v 3.5 a 100µA NPN 500mv @ 100mA，1a 20 @ 1a，2v -
IPB80N06S4L05ATMA2 Infineon Technologies IPB80N06S4L05ATMA2 -
RFQ
 ECAD 5250 0.00000000 Infineon技术 汽车，AEC-Q101，Optimos™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IPB80N MOSFET （金属 o化物） pg-to263-3-2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 SP001028720 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 80A（TC） 4.5V，10V 5.1MOHM @ 80A，10V 2.2V @ 60µA 110 NC @ 10 V ±16V 8180 pf @ 25 V - 107W（TC）
IKQ100N60TXKSA1 Infineon Technologies IKQ100N60TXKSA1 12.8600
RFQ
 ECAD 4383 0.00000000 Infineon技术 Trenchstop™ 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IKQ100 标准 714 w PG-TO247-3-46 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，100A，3.6ONM，15V 230 ns 沟渠场停止 600 v 160 a 400 a 2V @ 15V，100a 3.1mj（在）上，2.5MJ off） 610 NC 30NS/290NS
FDPF7N50U onsemi FDPF7N50U -
RFQ
 ECAD 6885 0.00000000 Onmi Unifet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 FDPF7 MOSFET （金属 o化物） TO-220F-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 5A（TC） 10V 1.5OHM @ 2.5A，10V 5V @ 250µA 16.6 NC @ 10 V ±30V 940 pf @ 25 V - 39W（TC）
NTLTS3107PR2G onsemi NTLTS3107PR2G 0.7200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 NTLTS31 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000
TE02555T onsemi TE02555T 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - Rohs不合规 3（168）） 到达受影响 Ear99 8542.39.0001 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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