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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
2SC5775	1.2300	RFQ	430	Onmi	*	大部分	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
SPI10N10L	-	RFQ	3296	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI10N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						100 v	10.3A（TC）	4.5V，10V	154MOHM @ 8.1A，10V	2V @ 21µA	22 NC @ 10 V	±20V	444 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IPI80N04S2-04	1.0700	RFQ	296	Infineon技术	*	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	296		n通道						40 V	80A（TC）	10V	3.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
NTMFS4C822NAT3G	1.6100	RFQ	5997	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索				MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						30 V	（30a）（TA），136a （TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 30a，10V	2.2V @ 250µA	45.2 NC @ 10 V	±20V	3071 PF @ 15 V	-	3.1W（TA），64W（tc）
FGI3040G2-F085C	2.9100	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101，Ecospark®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		逻辑			150 w		i2pak（（TO-262）	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-FGI3040G2-F085C	Ear99	8541.29.0095	50				300V，6.5a，1KOHM，5V															-	400 v	41 a		1.25V @ 4V，6A	-	21 NC	- /4.8µs
Auirfu8405	1.0300	RFQ	510	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道						40 V	100A（TC）	10V	1.98mohm @ 90A，10V	3.9V @ 100µA	155 NC @ 10 V	±20V	5171 PF @ 25 V	-	163W（TC）
SPI20N60CFD	1.9300	RFQ	168	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	168		n通道						600 v	20.7A（TC）	10V	220MOHM @ 13.1A，10V	5V @ 1mA	124 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	208W（TC）
2SK1447L	1.0500	RFQ	7	Sanyo	*	大部分	积极的												下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-2SK1447LS-600057			1
IRFAUIRF540Z	1.2400	RFQ	2	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-3-904	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道						100 v	36a（TC）	10V	26.5MOHM @ 22a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	92W（TC）
AUIRF2804S	-	RFQ	5701	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道						40 V	195a（TC）	10V	2mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRFS4410ZPBF	-	RFQ	7765	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道						100 v	97A（TC）		9mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4820 PF @ 50 V	-	230W（TC）
FQD13N10LTM	-	RFQ	6415	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载						0000.00.0000	1		n通道						100 v	10A（TC）	5V，10V	180MOHM @ 5A，10V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±20V	520 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），40W（TC）
FGB3440G2-F085	1.0000	RFQ	1919年	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，Ecospark®	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		逻辑			166 w		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1				-															-	400 v	26.9 a		1.2V @ 4V，6A	-	24 NC	1µs/5.3µs
IRF2804S-7PPBF	-	RFQ	8303	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道						40 V	160a（TC）	10V	1.6mohm @ 160a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	6930 PF @ 25 V	-	330W（TC）
R6030knxc7g	6.6700	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6030			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6030knxc7g	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	30a（TA）	10V	130MOHM @ 14.5A，10V	5V @ 1mA	56 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 25 V	-	86W（TC）
NTE3323	29.1200	RFQ	57	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准			200 w		to-3p	下载	rohs3符合条件			2368-NTE3323	Ear99	8541.29.0095	1				-															-	1200 v	25 a	50 a	4V @ 15V，25a	-		400NS/800NS
NTE3301	6.7200	RFQ	20	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准			40 W		TO-220完整包	下载	Rohs不合规			2368-NTE3301	Ear99	8541.29.0095	1				-															-	400 v	15 a	170 a	8V @ 20v，170a	-		150NS/450NS
pn2906a tre pbfree	-	RFQ	9293	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-PN2906ATREPBFREETR	Ear99	8541.21.0075	2,000																				60 V	600 MA							50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，10V	200MHz
2SK2552B-T1-AT	0.1100	RFQ	30	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,704
BC847BHE3-TP	0.2100	RFQ	3	微商业公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847				225兆		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-BC847BHE3-TPTR	Ear99	8541.21.0075	3,000																				45 v	100 ma							100NA			NPN	500mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
2SC4454Q	0.0700	RFQ	4842	Onmi	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	366
DTC114TE	0.0230	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-523	DTC114				150兆		SOT-523	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-DTC114TETR	Ear99		3,000																				50 V	100 ma							500NA			npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
IRGP4069PBF	-	RFQ	7392	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			268 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001542388	Ear99	8541.29.0095	25				400V，35a，10ohm，15V															沟	600 v	76 a	105 a	1.85V @ 15V，35a	（390µJ）（在），632µJ（（（（（（）	104 NC	46NS/105NS
SIR864DP-T1-GE3	-	RFQ	8959	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir864			MOSFET （金属 o化物）			PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	2460 pf @ 15 V	-	5W（5W），54W（tc）（TC）
LND150N3-G	0.6000	RFQ	1253	微芯片技术	-	包	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	LND150			MOSFET （金属 o化物）			TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道						500 v	30mA（TJ）	0V	1000OHM @ 500µA，0V	-		±20V	10 pf @ 25 V	耗尽模式	740MW（TA）
BLF7G24L-100,112	62.7300	RFQ	37	NXP USA Inc.	-	管子	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502A			2.3GHz〜2.4GHz	ldmos			SOT502A	下载	rohs3符合条件				5A991G	8541.29.0075	20			28a		900 MA	20W	18db											-									28 V
IRF120CECC	-	RFQ	6415	国际整流器	*	大部分	积极的					IRF120			-				-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																-
IRF512	0.4600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						100 v	4.9A（TC）	10V	740MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	7.7 NC @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	43W（TC）
APTGT100DH120TG	148.8000	RFQ	7769	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	底盘安装	SP4	APTGT100				480 w	标准	SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	不对称桥																		沟渠场停止	1200 v	140 a		2.1V @ 15V，100a					250 µA	是的	7.2 NF @ 25 V
IRFP4227pbf	-	RFQ	9408	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载						0000.00.0000	1		n通道						200 v	65A（TC）	10V	25mohm @ 46a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	4600 PF @ 25 V	-	330W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²