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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
NVTFS014P04M8LTAG	1.0500	RFQ	6	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS014		MOSFET （金属 o化物）			8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		P通道		40 V	11.3a（ta），49A（tc）	4.5V，10V	13.8mohm @ 15a，10v	2.4V @ 420µA	26.5 NC @ 10 V	±20V	1734 PF @ 20 V	-	3.2W（TA），61W（TC）
AFGB30T65SQDN	4.7600	RFQ	9835	Onmi	汽车，AEC-Q101，Ecospark®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AFGB30	标准		220 w		D²Pak-3（TO-263-3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			400V，30a，6ohm，15V											245 ns	-	650 v	60 a	120 a	2.1V @ 15V，30a	-	56 NC	14.5NS/63.2NS
IPA083N10NM5SXKSA1	1.9300	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™5	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA083		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		100 v	50A（TC）	6V，10V	8.3mohm @ 25a，10v	3.8V @ 49µA	40 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 50 V	-	36W（TC）
FGH30N6S2	0.9500	RFQ	7	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		167 w		TO-247	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	150			390V，12a，10ohm，15V												-	600 v	45 a	108 a	2.5V @ 15V，12A	55µJ（在）上，100µJ（100µJ）	23 NC	6NS/40NS
FQNL2N50BBU	-	RFQ	4931	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）			MOSFET （金属 o化物）			TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	6,000		n通道		500 v	350mA（TC）	10V	5.3OHM @ 175mA，10v	3.7V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	1.5W（TC）
RJK0368DPA-00＃j0	0.4400	RFQ	61	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）			8-wpak	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	20A（TA）		14.3mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	6.2 NC @ 4.5 V		730 pf @ 10 V	-	25W（TC）
RJK0379DPA-00＃j5a	1.4800	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）			8-wpak	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	50a（ta）		2.3MOHM @ 25A，10V	-	37 NC @ 4.5 V		5150 pf @ 10 V	-	55W（TC）
F3L200R07W2S5FB11BOMA1	98.4400	RFQ	1128	Infineon技术	EasyPack™，Trenchstop™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F3L200			20兆	标准	Ag-Easy2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三级逆变器														沟渠场停止	650 v	95 a		1.38V @ 15V，100a				1 MA	是的	14.3 NF @ 25 V
FJPF6806DTU	-	RFQ	7696	Fairchild半导体	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				40 W		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50																750 v	6 a						1ma			NPN	5V @ 1a，4a	4 @ 4A，5V	-
HUFA76429D3S	0.6000	RFQ	3	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道		60 V	20A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1480 pf @ 25 V	-	110W（TC）
HUF76639S3S	-	RFQ	3617	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	188		n通道		100 v	51A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 51a，10v	3V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±16V	2400 PF @ 25 V	-	180W（TC）
FQPF9N25CT	0.5700	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		250 v	8.8A（TC）	10V	430MOHM @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	710 PF @ 25 V	-	38W（TC）
FQD6N50CTF	0.6000	RFQ	750	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		500 v	4.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），61W（TC）
STGF30NC60S	-	RFQ	3332	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STGF30	标准		40 W		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			480V，20A，10欧姆，15V												-	600 v	22 a	150 a	1.9V @ 15V，20A	（300µJ）（在1.28mj）上	96 NC	21.5NS/180NS
SCT3080ARC15	11.8400	RFQ	9965	Rohm半导体	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	SCT3080		SIC （硅碳化物交界晶体管）			TO-247-4L	下载		3（168））	到达不受影响	846-SCT3080ARC15	Ear99	8541.29.0095	450		n通道		650 v	30A（TJ）	18V	104mohm @ 10a，18v	5.6V @ 5mA	48 NC @ 18 V	+22V，-4V	571 PF @ 500 V	-	134W
DMP3007LK3Q-13	0.5272	RFQ	3561	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMP3007		MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载				31-DMP3007LK3Q-13	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	18.5a（ta）	4.5V，10V	7mohm @ 17a，10v	2.8V @ 250µA	64.2 NC @ 10 V	±20V	2826 PF @ 15 V	-	1.5W（TA）
DMN31D5UDAQ-7B	0.0357	RFQ	1162	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	DMN31		MOSFET （金属 o化物）	370MW（TA）		X2-DFN0806-6	下载				31-DMN31D5UDAQ-7B	Ear99	8541.21.0095	10,000	2 n通道			30V	400mA（TA）		1.5OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 250µA	0.38NC @ 4.5V		22.6pf @ 15V	标准
SI3420A-TP-HF	-	RFQ	3103	微商业公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI3420		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23	下载				353-SI3420A-TP-HF	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		20 v	6a	2.5V，4.5V	28mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±10V	515 pf @ 10 V	-	1.25W
STW52N60DM6	5.0695	RFQ	6613	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW52		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STW52N60DM6	Ear99	8541.29.0095	600		n通道		600 v	45A（TC）	10V	74mohm @ 22.5a，10v	4.75V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±25V	2468 PF @ 100 V	-	357W（TC）
AOT2144L	1.0036	RFQ	1457	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT2144		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOT2144LTR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		40 V	205a（TC）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 20A，10V	2.4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	5225 pf @ 20 V	-	8.3W（187W），187W（tc）
6703	0.0777	RFQ	7826	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）	1.1W（TA）		SOT-23-6L	-	Rohs符合条件		到达不受影响	3141-6703Tr	Ear99	8541.29.0000	3,000	-			20V	2.9a（ta），3a（ta）		59MOHM @ 2.5a，2.5V，110MOHM @ 3A，4.5V	1.2V @ 250µA，1V @ 250µA	-		300pf @ 10V，405pf @ 10V	标准
GSFK0501E	0.4200	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			MOSFET （金属 o化物）	300MW（TA）		SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000	2个p通道			50V	180mA（TA）		4ohm @ 150mA，10v	3V @ 250µA	530pc @ 10V		25.2pf @ 25V	标准
GS2N7002KW	0.2400	RFQ	5	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）			SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000		n通道		60 V	340ma（ta）	4.5V，10V	2.5Ohm @ 300mA，10v	2.5V @ 250µA	2.4 NC @ 10 V	±20V	18 pf @ 30 V	-	350MW（TA）
SSFL0956	0.4100	RFQ	5	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000		n通道		100 v	4A（TC）	4.5V，10V	120MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V		-	5.2W（TC）
GSFD1550	1.9800	RFQ	2	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	2,500		n通道		150 v	50A（TC）	10V	22mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	3450 PF @ 75 V	-	133W（TC）
GSFW0202	0.2200	RFQ	20	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883			MOSFET （金属 o化物）			SOT-883	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	10,000		n通道		20 v	1.4a（ta）	1.8V，4.5V	230MOHM @ 550mA，4.5V	1V @ 250µA	2 NC @ 4.5 V	±8V	43 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
FQI19N20TU	0.6700	RFQ	11	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		200 v	19.4a（TC）	10V	150MOHM @ 9.7A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），140W（tc）
FDS6900AS-G	-	RFQ	6955	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS69		MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）		8-SOIC	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	6.9a，8.2a		27mohm @ 6.9a，10v	3V @ 250µA，3V @ 1mA	15nc @ 10V		600pf @ 15V	逻辑级别门
FCP170N60	6.9700	RFQ	800	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP170		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	22a（TC）	10V	170mohm @ 11a，10v	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2860 PF @ 380 V	-	227W（TC）
NVMJD012N06CLTWG	0.7134	RFQ	4638	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	NVMJD012		MOSFET （金属 o化物）	3.2W（ta），42W（（（（（（（（（）		8-lfpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMJD012N06CLTWGTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			60V	11.5A（TA），42A （TC）		11.9mohm @ 25a，10v	2.2V @ 30µA	11.5NC @ 10V		792pf @ 25V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²