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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
FX50SMJ-2 ＃B00	8.2700	RFQ	6	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的				FX50SMJ		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1											-
RJK0331DPB-01＃j0	1.0000	RFQ	7253	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		30 V	40a（ta）		3.4mohm @ 20a，10v	-	22 NC @ 4.5 V		3380 pf @ 10 V	-	50W（TC）
NGB15N41ACLT4G	0.6700	RFQ	2211	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		逻辑		107 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	399		300V，6.5a，1KOHM												-	440 v	15 a	50 a	2.2V @ 4V，10a	-		- /4µs
IRFS59N10DTRLP	-	RFQ	4464	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		100 v	59A（TC）		25mohm @ 35.4a，10v	5.5V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±30V	2450 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
RFH75N05	4.1100	RFQ	80	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			MOSFET （金属 o化物）		TO-218隔离	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	80	n通道		50 V	-	-	-	-		-		-	-
HGTP3N60B3	0.5200	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		33.3 w	TO-220	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		480V，3.5a，82ohm，15V											16 ns	-	600 v	7 a	20 a	2.1V @ 15V，3.5a	66µJ（在）上，88µJ（88µJ）	21 NC	18NS/105NS
G3R75MT12J	11.0300	RFQ	9581	基因半导体	G3R™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	G3R75		sicfet （碳化硅）		TO-263-7	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-G3R75MT12J	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		1200 v	42A（TC）	15V	90MOHM @ 20a，15v	2.69V @ 7.5mA	54 NC @ 15 V	±15V	1560 pf @ 800 V	-	224W（TC）
STGW100H65FB2-4	8.8500	RFQ	68	Stmicroelectronics	HB2	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STGW100	标准		441 w	TO-247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STGW100H65FB2-4	Ear99	8541.29.0095	30		400V，100A，3.3OHM，15V												沟渠场停止	650 v	145 a	300 a	1.8V @ 15V，100a	1.06mj（在）上，1.14mj off）	288 NC	23ns/141ns
BCX51-10115	1.0000	RFQ	3209	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载						0000.00.0000	1
FDH047AN08A0	1.0000	RFQ	9498	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		75 v	15A（TC）	6V，10V	4.7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	310W（TC）
BUK7Y20-30B115	1.0000	RFQ	7818	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载						0000.00.0000	1
NGB8207ABNT4G	0.6800	RFQ	30	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		逻辑		165 w	D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1		-												-	365 v	20 a	50 a	2.2V @ 3.7V，10a	-		-
FCH76N60NF	12.8900	RFQ	1	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	24	n通道		600 v	72.8A（TC）	10V	38mohm @ 38a，10v	5V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±30V	11045 PF @ 100 V	-	543W（TC）
FDD6688	1.1100	RFQ	149	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		30 V	84a（ta）	4.5V，10V	5mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3845 pf @ 15 V	-	83w（ta）
AUIRF1404S	3.3600	RFQ	25	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		40 V	75A（TC）	10V	4mohm @ 95a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7360 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
BUK7M21-40E，115	1.0000	RFQ	6146	NXP半导体	*	大部分	积极的									-						0000.00.0000	1
2SK3705	-	RFQ	7372	Sanyo	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.29.0095	1
FCPF22550N80Z	1.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	216	n通道		800 v	2.6A（TC）	10V	2.25OHM @ 1.3A，10V	4.5V @ 260µA	14 NC @ 10 V	±20V	585 pf @ 100 V	-	21.9W（TC）
PSMN1R2-30YLC，115	-	RFQ	4700	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PSMN1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
FCPF380N60-F154	1.5282	RFQ	1166	Onmi	SuperFet®II	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF380		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		600 v	10.2A（TJ）		380MOHM @ 5A，10V	3.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1665 PF @ 25 V	-	31W（TC）
FDMS86152	2.6400	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	114	n通道		100 v	（14A）（TA），45A （TC）	6V，10V	6mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	3370 pf @ 50 V	-	2.7W（ta），125W（tc）
IRFR7440TRPBF	-	RFQ	2155	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	176-LQFP			MOSFET （金属 o化物）		176-LQFP（24x24）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		40 V	90A（TC）	6V，10V	2.4MOHM @ 90A，10V	3.9V @ 100µA	134 NC @ 10 V	±20V	4610 PF @ 25 V	-	140W（TC）
psmn1r5-30yl，115	-	RFQ	3777	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PSMN1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
FDS9435A	-	RFQ	8938	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	P通道		30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	50mohm @ 5.3a，10v	3V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	528 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
SPP08N80C3	1.0000	RFQ	1057	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		800 v	8A（TC）	10V	650MOHM @ 5.1A，10V	3.9V @ 470µA	60 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104W（TC）
IRF624PBF-BE3	0.8831	RFQ	9980	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF624		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irf624pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		250 v	4.4A（TC）		1.1OHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	50W（TC）
STW68N65DM6-4AG	12.3100	RFQ	9273	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STW68		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-STW68N65DM6-4AG	Ear99	8541.29.0095	30	n通道		650 v	72A（TC）		39mohm @ 36a，10v	4.75V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±25V	5900 PF @ 100 V	-	480W（TC）
NTMFS034N15MC	2.0100	RFQ	1	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NTMFS034		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		150 v	6.1a（TA），31a （TC）		31mohm @ 13a，10v	4.5V @ 70µA	12 nc @ 10 V	±20V	905 PF @ 75 V	-	2.5W（TA），62.5W（tc）
IXTA94N20X4	12.8000	RFQ	1	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta94		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixta94n20x4	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		200 v	94A（TC）	10V	10.6MOHM @ 47A，10V	4.5V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	5050 pf @ 25 V	-	360W（TC）
SIHP080N60E-GE3	4.3900	RFQ	958	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHP080N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		600 v	35A（TC）	10V	80Mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2557 PF @ 100 V	-	227W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²