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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IPI65R420CFD	0.8200	RFQ	10	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						650 v	8.7A（TC）	10V	420MOHM @ 3.4A，10V	4.5V @ 300µA	31.5 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 100 V	-	83.3W（TC）
PZT55551-TP	0.1105	RFQ	4642	微商业公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PZT5551				1 w		SOT-223	下载				353-PZT5551-TP	Ear99	8541.29.0075	1																					160 v	600 MA										50NA（iCBO）			NPN	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	300MHz
SP8J62TB1	-	RFQ	4034	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					SP8J62			-				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-SP8J62TB1TR	过时的		2,500																-
FQPF5N80	0.7700	RFQ	610	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						800 v	2.8A（TC）	10V	2.6ohm @ 1.4a，10v	5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1250 pf @ 25 V	-	47W（TC）
AOSP32320C	0.5400	RFQ	19	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AOSP323			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	8.5a（ta）	4.5V，10V	22mohm @ 8.5a，10v	2.3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	650 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FDMC7672	1.1000	RFQ	5	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC76			MOSFET （金属 o化物）			8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	16.9a（ta），20a （TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 16.9A，10V	3V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	3890 pf @ 15 V	-	2.3W（TA），33w（tc）
EC3H02B-TL	0.0700	RFQ	160	Onmi	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	10,000
AON6406	-	RFQ	8796	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AON640			MOSFET （金属 o化物）			8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	25a（25a），170a （TC）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 20A，10V	2.4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	5200 PF @ 15 V	-	2.3W（ta），110W（110W）TC）
IXFN55N50F	-	RFQ	5732	ixys	hiperfet™，f类	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN55			MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道						500 v	55A（TC）	10V	85MOHM @ 27.5A，10V	5.5V @ 8mA	195 NC @ 10 V	±20V	6700 PF @ 25 V	-	600W（TC）
AO4447A_201	-	RFQ	8043	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO44			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AO444447A_201TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						30 V	18.5a（ta）	4.5V，10V	5.8mohm @ 18.5a，10v	2.2V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	5020 PF @ 15 V	-	3.1W（TA）
NVMFD024N06CT1G	2.2600	RFQ	2639	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD024			MOSFET （金属 o化物）	3.1W（TA），28W（tc）		8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）							60V	8a（8a ta），24a （TC）		22.6mohm @ 3a，10v	4V @ 20µA	5.7nc @ 10V		333pf @ 30V	-
BSC150N03LD	0.4000	RFQ	7	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	BSC150			MOSFET （金属 o化物）	26W		PG-TDSON-8-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）							30V	8a		15mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	6.4NC @ 10V		1100pf @ 15V	逻辑级别门
FDU8780	0.2900	RFQ	81	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	75		n通道						25 v	35A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1440 pf @ 13 V	-	50W（TC）
HP8MA2TB1	1.8500	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	HP8MA2			MOSFET （金属 o化物）	（3W）（TA）		8-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道							30V	18A（18A），（15a）（15A）		9.6mohm @ 18a，10v，17.9mohm @ 15a，10v	2.5V @ 1mA	22nc @ 10v，25nc @ 10V		1100pf @ 15V，1250pf @ 15V	-
FDW2509NZ	0.4600	RFQ	220	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25			MOSFET （金属 o化物）	1.1W（TA）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）公共排水							20V	7.1a（ta）		20mohm @ 7.1a，4.5V	1.5V @ 250µA	19nc @ 4.5V		1263pf @ 10V	-
IRFR7746TRPBF	-	RFQ	4126	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR7746			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						75 v	56A（TC）	6V，10V	11.2MOHM @ 35A，10V	3.7V @ 100µA	89 NC @ 10 V	±20V	3107 PF @ 25 V	-	99W（TC）
AO4614BL_103	-	RFQ	8639	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO4614			MOSFET （金属 o化物）	2W		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n和p通道							40V	6a，5a		30mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	10.8NC @ 10V		650pf @ 20V	逻辑级别门
IPP147N03L g	-	RFQ	1026	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP147N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						30 V	20A（TC）	4.5V，10V	14.7mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 15 V	-	31W（TC）
BSO203P	0.5500	RFQ	5102	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO203			MOSFET （金属 o化物）	2W		PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	421	2（p 通道（双）							20V	8.2a		21mohm @ 8.2a，4.5V	1.2V @ 100µA	48.6NC @ 4.5V		2242pf @ 15V	逻辑级别门
APTGT300SK170G	269.2320	RFQ	5107	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGT300				1660 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																			沟渠场停止	1700 v	400 a		2.4V @ 15V，300A								750 µA	不	26.5 nf @ 25 V
IGA03N120H2XKSA1	1.8352	RFQ	9032	Infineon技术	-	管子	上次购买		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IGA03	标准			29 W		pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500				800V，3A，82OHM，15V																-	1200 v	3 a	9 a	2.8V @ 15V，3A	290µJ	8.6 NC	9.2NS/281NS
NVMFS4C308NT1G	0.6678	RFQ	7161	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索				MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVMFS4C308NT1GTR	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						30 V	17.2a（ta），55a tc）	4.5V，10V	4.8mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	18.2 NC @ 10 V	±20V	1670 pf @ 15 V	-	3W（3），30.6W（TC）
MCP120N08Y-BP	2.5700	RFQ	5	微商业公司	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MCP120			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB（H）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-MCP120N08Y-BP	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						80 V	120A（TC）	10V	4.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±20V	5666 pf @ 40 V	-	190W
SST201 SOT-23 3L ROHS	4.1000	RFQ	6	线性集成系统公司	SST201	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道													4.5pf @ 15V														40 V	200 µA @ 15 V	300 mv @ 10 na
GTRA362002FC-V1-R0	171.5300	RFQ	50	Wolfspeed，Inc。	甘	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	H-37248C-4	GTRA362002		3.4GHz〜3.6GHz	hemt			H-37248C-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			光盘3A001B3	8541.29.0075	50			-		140 MA	200W	13.5dB											-										48 v
IPD12CN10N	-	RFQ	8149	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						100 v	67A（TC）	10V	12.4mohm @ 67a，10v	4V @ 83µA	65 NC @ 10 V	±20V	4320 PF @ 50 V	-	125W（TC）
FGAF20S65AQ	-	RFQ	7277	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FGAF20	标准			75 w		TO-3PF-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，10a，23ohm，15V															235 ns	沟渠场停止	650 v	40 a	60 a	2.1V @ 15V，20A	345µJ（在）上，95µj（（）	38 NC	18NS/102NS
IPP50CN10NGXKSA1	-	RFQ	8387	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP50C			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						100 v	20A（TC）	10V	50mohm @ 20a，10v	4V @ 20µA	16 NC @ 10 V	±20V	1090 pf @ 50 V	-	44W（TC）
2N6760TXV	7.7600	RFQ	437	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-204aa				MOSFET （金属 o化物）			TO-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道						400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	800 pf @ 25 V	-	75W（TC）
ON5520215	0.0200	RFQ	6925	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²