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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IRG8P25N120KD-EPBF	4.1400	RFQ	9	国际整流器	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		180 w	TO-247AD	下载					Ear99	8542.39.0001	1			600V，15a，10ohm，15V											70 ns	-	1200 v	40 a	45 a	2V @ 15V，15a	（800µJ）（在），900µJ（900µJ）中	135 NC	20N/170NS
BCR183WH6327	-	RFQ	6838	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR183			250兆	PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	7,123																50 V	100 ma						100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
GT042P06T	2.7400	RFQ	1319	戈福德半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	50		P通道		60 V	160a（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	305 NC @ 10 V	±20V	9151 PF @ 30 V	-	280W（TC）
MMBT5551	0.0150	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				300兆	SOT-23	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-MMBT5551TR	Ear99		3,000																160 v	600 MA						50NA（iCBO）	NPN	200mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，5v	100MHz
2SA715VC	0.4300	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
ZXTP2039FTA	0.4000	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	ZXTP2039			350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																60 V	1 a						100NA	PNP	600mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，5V	150MHz
STGW25M120DF3	7.1900	RFQ	367	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW25	标准		375 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，25a，15欧姆，15V											265 ns	沟渠场停止	1200 v	50 a	100 a	2.3V @ 15V，25a	850µJ（在）上，1.3mj off）	85 NC	28NS/150NS
2SB1234-TB-E	0.1100	RFQ	282	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
2SJ645-TL-E	0.4400	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的				2SJ645		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				683												-
RN1407，LXHF	0.3400	RFQ	5	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1407			200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000																50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
SIGC81T60SNCX1SA1	-	RFQ	2072	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC81T60	标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1			400V，100A，3.3OHM，15V												npt	600 v	100 a	300 a	2.5V @ 15V，100a	-		65NS/450NS
TSM4ND60CI C0G	-	RFQ	5832	台湾半导体公司	-	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4ND60		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	4A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.4A，10V	3.8V @ 250µA	17.2 NC @ 10 V	±30V	582 PF @ 50 V	-	41.6W（TC）
FD6M045N06	6.1600	RFQ	1	Fairchild半导体	Power-SPM™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	EPM15	FD6M045		MOSFET （金属 o化物）	-	EPM15	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	19	2 n 通道（双）			60V	60a		4.5mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	87NC @ 10V		3890pf @ 25V	-
IRG4PC40UPBF	-	RFQ	7898	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			480V，20A，10欧姆，15V												-	600 v	40 a	160 a	2.1V @ 15V，20A	320µJ（在）上，350µJ（350µJ）	100 NC	34NS/110NS
SGH30N60RUFDTU	-	RFQ	7989	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	SGH30N60	标准		235 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450			300V，30a，7ohm，15V											95 ns	-	600 v	48 a	90 a	2.8V @ 15V，30a	（919µJ）（在），814µj（（（（）	85 NC	30ns/54ns
AOSD26313C	0.1725	RFQ	5688	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AOSD213		MOSFET （金属 o化物）	1.7W（TA）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOSD26313CTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道互补			30V	（7A）（ta），5.7a ta（TA）		20mohm @ 7a，10v，32mohm @ 5.7A，10V	2.3V @ 250µA，2.2V @ 250µA	20nc @ 10v，33nc @ 10V		600pf @ 15V，1100pf @ 15V	-
IRFB61N15DPBF	-	RFQ	4102	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		150 v	60a（TC）		32mohm @ 36a，10v	5.5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	3470 pf @ 25 V	-	2.4W（ta），330W（tc）
AUIRRU3114Z-701TRL	1.0800	RFQ	2	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to251-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	42A（TC）	4.5V，10V	4.9MOHM @ 42A，10V	2.5V @ 100µA	56 NC @ 4.5 V	±16V	3810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
MCG40N10Y-TP	0.3514	RFQ	5609	微商业公司	-	大部分	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	8-vdfn暴露垫	MCG40		MOSFET （金属 o化物）		DFN3333	下载				353-MCG40N10Y-TP	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	40a	4.5V，10V	18.5mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	1051 PF @ 50 V	-	43W
IRFS4115-7PPBF	2.5600	RFQ	9405	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	14		n通道		150 v	105A（TC）	10V	11.8mohm @ 63a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	5320 PF @ 50 V	-	380W（TC）
SFS9Z24	0.3900	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		P通道		60 V	7.5A（TC）	10V	280MOHM @ 3.8A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	29W（TC）
KSB1015OTU	-	RFQ	9779	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSB10			25 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																60 V	3 a						100µA（ICBO）	PNP	1V @ 300mA，3a	60 @ 500mA，5V	9MHz
3LP01C-TB-H	-	RFQ	6489	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	3LP01		MOSFET （金属 o化物）		SC-59-3/CP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		30 V	（100mA）（TA）	1.5V，4V	10.4ohm @ 50mA，4V	-	1.43 NC @ 10 V	±10V	7.5 pf @ 10 V	-	250MW（TA）
提示131	-	RFQ	9609	Onmi	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示131			2 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																80 V	8 a						500µA	npn-达灵顿	3V @ 30mA，6a	1000 @ 4A，4V	-
PSMN2R9-25YLC，115	-	RFQ	7671	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PSMN2					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,500
S8550-C-BP	-	RFQ	2703	微商业公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	S8050			625兆	到92	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		353-S8550-C-BP	Ear99	8541.21.0075	1,000																25 v	500 MA						200NA	PNP	600mv @ 50mA，500mA	120 @ 50mA，1V	150MHz
CXDM6053N TR PBFRE	0.9700	RFQ	1	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	CXDM6053		MOSFET （金属 o化物）		SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	41MOHM @ 5.3A，10V	3V @ 250µA	8.8 NC @ 5 V	20V	920 PF @ 30 V	-	1.2W（TA）
STL30P3LLH6	1.1000	RFQ	1	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL30		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	30A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 4.5A，10V	1V @ 250µA（250µA）	12 nc @ 4.5 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	75W（TC）
mpsw01g	0.1700	RFQ	55	Sanyo	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）				1 w	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	5,000																30 V	1 a						100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，1a	60 @ 100mA，1V	50MHz
STB42N60M2-EP	6.4400	RFQ	49	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB42		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	34A（TC）	10V	87mohm @ 17a，10v	4.75V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±25V	2370 pf @ 100 V	-	250W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²