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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	电压 -输出	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	电压	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电压 -偏移（ vt）	电流-iv（iv）	电流 -峰值
PHPT61003PY，115	1.0000	RFQ	4426	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的												下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
PJQ5466A1-AU_R2_000A1	0.9500	RFQ	6	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ5466			MOSFET （金属 o化物）			DFN5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ5466A1-AU_R2_000A1TR	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道							60 V	7.4A（TA），48a tc）	4.5V，10V	17mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	13.5 NC @ 4.5 V	±20V	1574 PF @ 25 V	-	2.4W（ta），100W（（（（（（（（）
PTFB212503EL-V1-R250	-	RFQ	2339	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	H-33288-6			2.17GHz	ldmos			H-33288-6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	250				-		1.85 a	55W	18.1db												-										30 V
IRFBF20STRLPBF	2.4700	RFQ	800	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBF20			MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800			n通道							900 v	1.7A（TC）	10V	8ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），54W（TC）
DF450R17N2E4PB11BDLA1	103.6600	RFQ	84	Infineon技术	*	大部分	积极的					DF450							-		供应商不确定	供应商不确定	2156-DF450R17N2E4PB11BDLA1-448			1
BCX42E6327HTSA1	0.3900	RFQ	17	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCX42				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							125 v	800 MA							10µA			PNP	900mv @ 30mA，300mA	40 @ 200ma，1V	150MHz
DCX114EUQ-13R-F	0.0528	RFQ	7412	二极管合并	Automotive，AEC-Q101，DCX（xxxx）u	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DCX114				200MW		SOT-363	下载			到达不受影响	31-DCX114EUQ-13R-FTR	Ear99	8541.21.0075	10,000																							50V	100mA							500NA（ICBO）			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250MHz	10KOHMS	10KOHMS
MSJP08N90A-BP	3.3500	RFQ	4	微商业公司	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MSJP08			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB（H）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	353-MSJP08N90A-BP	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道							900 v	8A（TC）	10V	1.62OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	13.6 NC @ 10 V	±30V	474 PF @ 25 V	-	113W（TC）
FDMS3622S	-	RFQ	3054	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3622			MOSFET （金属 o化物）	1W		Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）									25V	17.5a，34a		5mohm @ 17.5A，10V	2V @ 250µA	26NC @ 10V		1570pf @ 13V	逻辑级别门
BLF2425M6LS180P，11	-	RFQ	1804年	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		表面安装	SOT-539B	BLF2425		2.45GHz	ldmos			SOT539B	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934066105112	Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源			-		10 MA	180W	13.3db												-										28 V
JANS2N222221AUB/TR	65.0804	RFQ	4082	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					500兆		UB	-			到达不受影响	150-JANS2N222221AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	50																							50 V	800 MA							50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
R6511knd3tl1	2.2900	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6511			MOSFET （金属 o化物）			TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							650 v	11A（TC）	10V	400MOHM @ 3.8A，10V	5V @ 320µA	22 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 25 V	-	124W（TC）
JANSH2N2219AL	248.3916	RFQ	5020	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					800兆		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSH2N2219AL			1																							50 V	800 MA							10NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
IRF224	2.3400	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1			n通道							250 v	3.8a	-	-	-		-		-	40W
FCPF20N60ST	-	RFQ	1253	Fairchild半导体	SuperFet™	大部分	积极的		-	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF20			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道							600 v	20A（TC）		-	-				-	-
2N2646	5.8000	RFQ	234	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的				TO-206AA，TO-18-3								下载	rohs3符合条件			2368-2N2646	Ear99	8541.21.0095	1		-							35V										300兆																					3 V	600 µA	5 µA
FDS86140	2.9500	RFQ	260	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS86			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							100 v	11.2a（ta）	6V，10V	9.8mohm @ 11.2a，10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2580 pf @ 50 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
BCP55-10TF	0.0920	RFQ	5352	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP55				1.3 w		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																							60 V	1 a							100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	155MHz
MMBT3906TT1	0.0200	RFQ	111	Onmi	-	大部分	过时的					MMBT3906							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
AUIRFR5505-IR	-	RFQ	6682	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			P通道							55 v	18A（TC）	10V	110MOHM @ 9.6a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 25 V	-	57W（TC）
IPA60R099P6XKSA1	6.8500	RFQ	4147	Infineon技术	Coolmos™P6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R099			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							600 v	37.9a（TC）	10V	99MOHM @ 14.5A，10V	4.5V @ 1.21MA	70 NC @ 10 V	±20V	3330 PF @ 100 V	-	34W（TC）
JANSD2N2369AUA/TR	166.8512	RFQ	2498	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C	表面安装	4-SMD，没有铅	2n2369a				360兆w		UA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSD2N2369AUA/TR	Ear99	8541.21.0095	1																							15 v								400NA			NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
2N3498U4/tr	135.3150	RFQ	4480	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					1 w		U4	-			到达不受影响	150-2N3498U4/tr	Ear99	8541.29.0095	100																							100 v	500 MA							50NA（iCBO）			NPN	600mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10v	-
A2N7002HL-HF	0.0538	RFQ	1323	comchip技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	A2N7002			MOSFET （金属 o化物）			DFN1006-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		641-A2N7002HL-HFTR	Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道							60 V	300mA（TA）		2.5ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	41 pf @ 20 V	-	150MW（TA）
IFS75S12N3T4_B11	96.4800	RFQ	220	Infineon技术	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
STB20NM50T4	5.6600	RFQ	4115	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB20			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							550 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	1480 pf @ 25 V	-	192W（TC）
NGTB35N65FL2WG	4.9900	RFQ	90	Onmi	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB35	标准			300 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，35a，10ohm，15V																68 ns	沟渠场停止	650 v	70 a	120 a	2V @ 15V，35a	（840µJ）（在），280µJ（OFF）上）	125 NC	72NS/132NS
FS35R12W1T7B11BOMA1	52.4300	RFQ	12	Infineon技术	EasyPack™，Trenchstop™	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FS35R12				20兆	标准	ag-easy1b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-FS35R12W1T7B11BOMA1-448	Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器																					沟渠场停止	1200 v	35 a		1.6V @ 15V，35a					7.3 µA	是的	6.62 NF @ 25 V
FGA5065ADF	4.8100	RFQ	368	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA5065	标准			268 w		to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，50a，6ohm，15V																31.8 ns	沟渠场停止	650 v	100 a	150 a	2.2V @ 15V，50a	1.35MJ（在）上，309µJ（（）	72.2 NC	20.8NS/62.4NS
IRFH3702TRPBF	0.6500	RFQ	25	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH3702			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道							30 V	（16A）（TA），42A （TC）	4.5V，10V	7.1MOHM @ 16A，10V	2.35V @ 25µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1510 pf @ 15 V	-	2.8W（ta）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²