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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FQPF33N10	-	RFQ	6086	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		100 v	18A（TC）	10V	52MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±25V	1500 pf @ 25 V	-	41W（TC）
MMBT4401	0.1300	RFQ	1	Yangzhou Yangjie电子技术有限公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															40 V	600 MA					100NA	NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
mpsa75rlrag	-	RFQ	2736	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA75			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000															40 V	500 MA					500NA	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	-
QS8K11TCR	0.9200	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QS8K11		-	1.5W	TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	3.5a		50mohm @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	3.3nc @ 5V		180pf @ 10V	-
FDSS2407-SB82086P	-	RFQ	5064	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				FDSS24		-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDSS2407-SB82086PTR			2,500												-
RJL5014DPP-E0 ＃T2	5.7400	RFQ	2	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-RJL5014DPP-E0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	（19a ta）	10V	400MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±30V	1700 PF @ 25 V	-	35W（TC）
FQH35N40	5.3400	RFQ	846	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		400 v	35A（TC）	10V	105MOHM @ 17.5A，10V	5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	5600 pf @ 25 V	-	310W（TC）
IXKP24N60C5	5.3932	RFQ	8385	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXKP24		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	24A（TC）	10V	165mohm @ 12a，10v	3.5V @ 790µA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 100 V	-	-
2N6560	148.1850	RFQ	2009	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3				125 w	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6560	Ear99	8541.29.0095	1															450 v	10 a					-	NPN	-	-	-
HGTP10N40C1D	2.6100	RFQ	206	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		75 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			-											-	400 v	17.5 a	3.2V @ 20V，17.5A	-	19 nc	-
IXTQ250N075T	-	RFQ	9499	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ250		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		75 v	250A（TC）	10V	4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 25 V	-	550W（TC）
SI2304DS，215	-	RFQ	9642	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		30 V	1.7A（TC）	4.5V，10V	117MOHM @ 500mA，10V	2V @ 1mA	4.6 NC @ 10 V	±20V	195 pf @ 10 V	-	830MW（TC）
IRFU9110	0.3600	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9		MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道		100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
FDD8424H-F085A	-	RFQ	8930	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD	FDD8424		MOSFET （金属 o化物）	1.3W	TO-252-4	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	50	n和p通道			40V	9a，6.5a		24mohm @ 9a，10v	3V @ 250µA	20NC @ 10V		1000pf @ 20V	逻辑级别门
FDMS3669S	0.8500	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3669		MOSFET （金属 o化物）	1W（ta），2.2W（2.2W（tc），1W（1W（ta），2.5W（ta（TC）（TC）	8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	352	2 n 通道（双）			30V	（13a）（24a t tc）（18a ta），60a tc（60a tc）（TC）		10mohm @ 13a，10v，5mohm @ 18a，10v	2.7V @ 250µA，2.5V @ 1mA	24nc @ 10v，34nc @ 10V		1605pf @ 15V，2060pf @ 15V	逻辑级别门
ixta1n100p-trl	1.7238	RFQ	5248	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta1n100p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1000 v	1A（TC）	10V	15ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	15.5 NC @ 10 V	±20V	331 PF @ 25 V	-	50W（TC）
CSD19506KC	4.9300	RFQ	323	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19506		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		80 V	100A（TA）	6V，10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	156 NC @ 10 V	±20V	12200 PF @ 40 V	-	375W（TC）
IRF7380QTRPBF	-	RFQ	8285	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7380		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）			80V	3.6a		73mohm @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	23nc @ 10V		660pf @ 25V	逻辑级别门
IPTG054N15NM5ATMA1	6.5100	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼			MOSFET （金属 o化物）		PG-HSOG-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IPTG054N15NM5ATMA1CT	Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道		150 v	17.5A（TA），143a （TC）	8V，10V	5.4mohm @ 50a，10v	4.6V @ 191µA	73 NC @ 10 V	±20V	5700 PF @ 75 V	-	3.8W（TA），250W（TC）
KSD471AGTA	-	RFQ	7357	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				800兆	TO-92-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-KSD471AGTA-600039			1															30 V	1 a					100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，1V	130MHz
PSMN1R2-25YLC，115	1.1500	RFQ	3054	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN1R2		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		25 v	100A（TC）	4.5V，10V	1.3MOHM @ 25A，10V	1.95V @ 1mA	66 NC @ 10 V	±20V	4173 PF @ 12 V	-	179W（TC）
2SJ529L06-E	0.9400	RFQ	60	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AB			MOSFET （金属 o化物）		DPAK（l） - 2）	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SJ529L06-E	Ear99	8541.29.0095	1		P通道		60 V	10a（10a）	4V，10V	160MOHM @ 5A，10V	2V @ 1mA		±20V	580 pf @ 10 V	-	20W（TC）
2SK3455B-S17-AY	3.3600	RFQ	1	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		ITO-220（MP-45F）	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3455B-S17-AY	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	12A（TC）	10V	600mohm @ 6a，10v	3.5V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 10 V	-	2W（TA），50W（TC）
GT065P06T	1.6800	RFQ	25	戈福德半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	50		P通道		60 V	82A（TC）	4.5V，10V	7.5mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	5335 pf @ 30 V	-	150W（TC）
IXFA4N100P	4.2900	RFQ	6340	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA4N100		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	4A（TC）	10V	3.3ohm @ 2a，10v	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1456 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SSM3J306T（TE85L，F）	-	RFQ	5083	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J306		MOSFET （金属 o化物）		TSM	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		30 V	2.4A（TA）	4V，10V	117MOHM @ 1A，10V	-	2.5 NC @ 15 V	±20V	280 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
CMPT5401E BK	-	RFQ	5353	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆	SOT-23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1															220 v	600 MA					50NA	PNP	150mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，5v	300MHz
MMS9015-L-TP	0.0257	RFQ	6651	微商业公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMS9015			200兆	SOT-23	下载				353-mms9015-L-TP	Ear99	8541.21.0075	1															45 v	100 ma					100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 1mA，5V	150MHz
IPB015N08N5ATMA1	7.2200	RFQ	2014	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB015		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		80 V	180a（TC）	6V，10V	1.5MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 279µA	222 NC @ 10 V	±20V	16900 PF @ 40 V	-	375W（TC）
BC846S-TP	0.3800	RFQ	3718	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BC846			200MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															65V	100mA					15NA（icbo）	2 NPN （双）	300mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²