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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
2N6691	755.0400	RFQ	1926年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱					3 W	TO-61	-			到达不受影响	150-2N6691	Ear99	8541.29.0095	1																					300 v	15 a							100µA	NPN	1V @ 3a，15a	15 @ 1a，3v	-
MMBT5401	-	RFQ	5571	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆	SOT23-3（TO-236）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MMBT5401-600039			1																					150 v	600 MA							50NA（iCBO）	PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
IRG8P25N120KDPBF	3.2100	RFQ	13	国际整流器	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			180 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1				600V，15a，10ohm，15V															70 ns	-	1200 v	40 a	45 a	2V @ 15V，15a	（800µJ）（在），900µJ（900µJ）中	135 NC	20N/170NS
IPB039N10N3GE8197ATMA1	0.8800	RFQ	7149	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）				MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3		n通道						100 v	160a（TC）	6V，10V	3.9MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 160µA	117 NC @ 10 V	±20V	8410 PF @ 50 V	-	214W（TC）
2N3439L	-	RFQ	6979	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					800兆	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																					350 v	1 a							2µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
2SCR567F3TR	1.2100	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子					1 w	HUML2020L3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000																					120 v	2.5 a							1µA（ICBO）	NPN	200mv @ 80mA，800mA	120 @ 100mA，5V	220MHz
STD3NK90ZT4	2.3300	RFQ	4368	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD3NK90			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（D-PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						900 v	3A（TC）	10V	4.8OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 50µA	22.7 NC @ 10 V	±30V	590 pf @ 25 V	-	90W（TC）
SUD50N03-16P-GE3	-	RFQ	8447	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						30 V	（15A）（37a ta）（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	6.5W（TA），40.8W（TC）
IXFP10N60P	4.1400	RFQ	576	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP10			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	10A（TC）	10V	740MOHM @ 5A，10V	5.5V @ 1mA	32 NC @ 10 V	±30V	1610 PF @ 25 V	-	200W（TC）
JANSD2N2218A	114.6304	RFQ	2041	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					800兆	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSD2N2218A			1																					50 V	800 MA							10NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
2N6500	30.5250	RFQ	3411	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2					35 w	TO-66（TO-213AA）	-			到达不受影响	150-2N6500	Ear99	8541.29.0095	1																					90 v	4 a							-	PNP	1.5V @ 300µA，3mA	-	-
FDD9411-F085	-	RFQ	2663	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD9411			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						40 V	15A（TC）	10V	7.8mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	22.5 NC @ 10 V	±20V	1080 pf @ 25 V	-	48.4W（TJ）
SQ4532AEY-T1_GE3	0.8800	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4532			MOSFET （金属 o化物）	3.3W	8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道							30V	7.3A（TC），5.3a tc）		31mohm @ 4.9a，10v，70Mohm @ 3.5a，10v	2.5V @ 250µA	7.8NC @ 10V，10.2NC @ 10V		535pf @ 15V，528pf @ 15V	-
MPSA56	0.0477	RFQ	7102	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	到92	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2796-MPSA56TR		8541.21.0000	4,000																					80 V	500 MA							100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
SSM6L16FETE85LF	0.3800	RFQ	29	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TA）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6L16			MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	4,000	n和p通道							20V	100mA		3ohm @ 10mA，4V	1.1V @ 100µA	-		9.3pf @ 3V	-
RJK5026DPP-V0＃t2	-	RFQ	7254	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
PMH400UNEH	0.3600	RFQ	9298	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	PMH400			MOSFET （金属 o化物）		DFN0606-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道						30 V	900mA（ta）	1.5V，4.5V	460MOHM @ 700mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.93 NC @ 4.5 V	±8V	4540 pf @ 15 V	-	360MW（TA），2.23W（tc）
KSC1393YTA	0.0200	RFQ	50	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					250MW	TO-92-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-KC1393YTA	Ear99	8541.21.0095	1							24dB														30V	20mA								NPN		90 @ 2mA，10v	700MHz			2DB @ 200MHz
2PC1815GR，126	-	RFQ	1982	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2PC18				500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																					50 V	150 ma							100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
SISS63DN-T1-GE3	1.0000	RFQ	37	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS63			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						20 v	35.1A（TA），127.5A （TC）	2.5V，10V	2.7MOHM @ 15A，10V	1.5V @ 250µA	236 NC @ 8 V	±12V	7080 pf @ 10 V	-	5W（5W），65.8W（TC）
IRF3709SPBF	-	RFQ	6297	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						30 V	90A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±20V	2672 PF @ 16 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
jankccl2n3498	-	RFQ	2938	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCL2N3498			100																					100 v	500 MA							10µA（ICBO）	NPN	600mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10V	-
PTFB181702FC-V1-R250	-	RFQ	9388	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的											下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	250
BLF2425M7LS140,112	-	RFQ	7350	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B	BLF2425		2.45GHz	ldmos		SOT502B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20			-		1.3 a	140W	18.5db											-										28 V
VMM300-03F	-	RFQ	4646	ixys	Hiperfet™	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Y3-DCB	VMM300			MOSFET （金属 o化物）	1500W	Y3-DCB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2 n 通道（双）							300V	290a		8.6mohm @ 145a，10v	4V @ 30mA	1440NC @ 10V		40000pf @ 25V	-
PJQ5442_R2_00001	0.7400	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ5442			MOSFET （金属 o化物）		DFN5060-8	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	3757-PJQ5442_R2_00001TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						40 V	（14a）（90a ta）（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	±20V	1258 pf @ 25 V	-	2W（TA），83W（tc）
MT8386M5	-	RFQ	4999	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的					MT8386						-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1									-
FDMS3622S	-	RFQ	2375	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3622			MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）							25V	17.5a，34a		5mohm @ 17.5A，10V	2V @ 250µA	26NC @ 10V		1570pf @ 13V	逻辑级别门
RN1101CT（tpl3）	-	RFQ	2343	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-101，SOT-883	RN1101				50兆	CST3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	10,000																					20 v	50 mA							500NA	npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V		4.7科姆斯	4.7科姆斯
NSCD21LT3G	-	RFQ	2732	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的											-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-NSCD21LT3GTR	过时的		5,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²