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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PMBT2907A-QR	0.1500	RFQ	9	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBT2907			250兆	TO-236AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		60 V	600 MA				10NA（ICBO）		PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V
SI4814BDY-T1-E3	-	RFQ	2310	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4814		MOSFET （金属 o化物）	3.3W，3.5W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）						30V	10a，10.5a		18mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI233333DDS-T1-GE3	0.4200	RFQ	8990	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2333		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					12 v	6A（TC）	1.5V，4.5V	28mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	35 NC @ 8 V	±8V	1275 PF @ 6 V	-	1.2W（TA），1.7W（TC）
2SAR533PHZGT100	0.6800	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				500兆	SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																		50 V	3 a				1µA（ICBO）		PNP	400mv @ 50mA，1a	180 @ 50mA，3v	300MHz
SMP152TR	-	RFQ	6417	交流	SMP152	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3				350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	4966-SMP152TR	Ear99	8541.21.0095	1		n通道					20 v							15pf @ 10V							14 mA @ 10 V	1.2 V @ 1 na		42欧姆
MRF6S19060NBR1	-	RFQ	5039	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	TO-272BB	MRF6	1.93GHz	ldmos		TO-272 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	610 MA	12W	16dB											-			28 V
ZVNL120CSTZ	-	RFQ	5964	二极管合并	-	（TB）	过时的		-	通过洞	E-Line-3			MOSFET （金属 o化物）		to-92兼容）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道					200 v	180mA（TA）	3V，5V	10ohm @ 250mA，5V	1.5V @ 1mA		±20V	85 pf @ 25 V	-	700MW（TA）
PMT280ENEAX	0.4300	RFQ	8312	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PMT280		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道					100 v	1.5A（TA）	4.5V，10V	385MOHM @ 1.5A，10V	2.7V @ 250µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	195 pf @ 50 V	-	770MW（TA）
NVMFD5485NLT1G	1.1465	RFQ	2243	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5483		MOSFET （金属 o化物）	2.9W	8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	2 n 通道（双）						60V	5.3a		44mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 10V		560pf @ 25V	逻辑级别门
KTC3198-Y	0.0583	RFQ	2280	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KTC3198			500兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-KTC3198-YTB	Ear99	8541.21.0095	4,000																		50 V	150 ma				100NA（ICBO）		NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz
RSF015N06TL	0.4400	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	RSF015		MOSFET （金属 o化物）		Tumt3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					60 V	1.5A（TA）	4V，10V	290MOHM @ 1.5A，10V	2.5V @ 1mA	2 NC @ 5 V	±20V	110 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
JAN2N2N22222222222	5.3998	RFQ	1579年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，非标准				500兆	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN2N222222AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	1																		50 V	800 MA				50NA		NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
FDD13AN06A0_NL	-	RFQ	6377	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					60 V	9.9a（ta），50a （TC）	6V，10V	13.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	115W（TC）
64-2137pbf	-	RFQ	6870	Infineon技术	*	管子	积极的					64-2137					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001575026	Ear99	8541.29.0095	50
BC 807-16W H6327	-	RFQ	2828	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC 807			250兆	PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		45 v	500 MA				100NA（ICBO）		PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	200MHz
2SD1781-R-TP	-	RFQ	9922	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SD1781			200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		353-2SD1781-R-TPTR			3,000																		32 v	800 MA				500NA（ICBO）			400mv @ 50mA，500mA	180 @ 100mA，3v	100MHz
IRF1407STRLPBF	2.8600	RFQ	9	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF1407		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					75 v	100A（TC）	10V	7.8mohm @ 78a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
2SD1061R	0.5700	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
MJD148J	0.5300	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				1.6 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																		45 v	4 a				1µA		NPN	500mv @ 200mA，2a	85 @ 500mA，1V	3MHz
ULN2074b	3.4100	RFQ	395	Ampleon USA Inc.	-	大部分	积极的										-				2156-ULN2074B			88
NDS355AN-NB9L007A	-	RFQ	5045	Onmi	-	托盘	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NDS355		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		供应商不确定	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		n通道					30 V	1.7A（TA）	4.5V，10V	85MOHM @ 1.9A，10V	2V @ 250µA	5 nc @ 5 V	±20V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
提示137	1.6000	RFQ	7454	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示137			2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																		100 v	8 a				500µA		pnp-达灵顿	4V @ 30mA，6a	1000 @ 4A，4V	-
MSA1162YT1G	-	RFQ	4748	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MSA11			200兆	SC-59	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma				100NA		PNP	500mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
IRL3103SPBF	-	RFQ	5304	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	64A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 34a，10v	1V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±16V	1650 pf @ 25 V	-	94W（TC）
SI4831BDY-T1-E3	-	RFQ	7710	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4831		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					30 V	6.6A（TC）	4.5V，10V	42MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	625 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA），3.3W（3.3W）（TC）
2SC3864	0.0700	RFQ	1198	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	500
BLF7G27L-140,112	-	RFQ	4349	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502A	BLF7G27	2.5GHz〜2.7GHz	ldmos		SOT502A	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934064593112	Ear99	8541.29.0075	20			28a	1.3 a	30W	16.5db											-			28 V
PSMN014-80ylx	1.0000	RFQ	6224	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					80 V	62A（TC）	5V，10V	14mohm @ 15a，10v	2.1V @ 1mA	28.9 NC @ 5 V	±20V	4640 pf @ 25 V	-	147W（TC）
2SK3435-az	2.6000	RFQ	1	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3435-az	Ear99	8541.29.0075	116		n通道					60 V	80A（TC）	10V	14mohm @ 40a，10v	2.5V @ 1mA	60 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 10 V	-	1.5W（ta），84W（tc）
DMG6302UDW-13	0.0490	RFQ	8002	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMG6302		MOSFET （金属 o化物）	310MW（TA）	SOT-363	下载			到达不受影响	31-DMG6302UDW-13TR	Ear99	8541.21.0095	10,000	2（p 通道（双）						25V	150mA（ta）		10ohm @ 140mA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.34NC @ 4.5V		30.7pf @ 10V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²