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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
TSM2N100CH C5G	-	RFQ	1005	台湾半导体公司	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM2N100			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						1000 v	1.85A（TC）	10V	8.5ohm @ 900mA，10v	5.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	77W（TC）
sta509a	-	RFQ	3583	桑肯	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	10-sip	STA509			MOSFET （金属 o化物）	（4W）（ta），20W（20W）TC）	10-sip	下载	Rohs符合条件			1261-STA509A	Ear99	8541.29.0095	440	4 n通道							57V	3A（3A）		250MOHM @ 1A，10V	2.5V @ 250µA	-		200pf @ 10V	标准
IXFX210N30X3	34.6600	RFQ	34	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX210			MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						300 v	210a（TC）	10V	5.5MOHM @ 105A，10V	4.5V @ 8mA	375 NC @ 10 V	±20V	24200 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
2N5153U3	107.4906	RFQ	3026	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					1.16 w	U3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																					80 V	1 MA							1ma	PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
IPD600N25N3GATMA1	3.0100	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD600			MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						250 v	25A（TC）	10V	60mohm @ 25a，10v	4V @ 90µA	29 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 100 V	-	136W（TC）
STP8NM60ND	-	RFQ	9228	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP8N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	7A（TC）	10V	700MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	560 pf @ 50 V	-	70W（TC）
SI4409DY-T1-E3	-	RFQ	3513	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4409			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						150 v	1.3A（TC）	6V，10V	1.2OHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	332 PF @ 50 V	-	2.2W（TA），4.6W（TC）
RJK03E2DNS-00＃j5	-	RFQ	5128	Onmi	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-Powerwdfn				MOSFET （金属 o化物）		8-hwson（3.3x3.3）	-				2156-RJK03E2DNS-00＃j5			1		n通道						30 V	16A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 8A，10V	2.5V @ 1mA	1.8 NC @ 4.5 V	±20V	1100 pf @ 10 V	-	12.5W（TC）
AFV10700H5	537.6400	RFQ	27	NXP半导体	-	大部分	积极的	105 v		底盘安装	NI-780-4			960MHz〜1.215GHz	LDMO （双）		NI-780-4	-				2156-AFV10700HR5			1	2 n通道		1µA		100 ma	700W	19.2db @ 1.03GHz											-										52 v
IPW50R140CPFKSA1	4.5928	RFQ	3574	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW50R140			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道						550 v	23A（TC）	10V	140mohm @ 14a，10v	3.5V @ 930µA	64 NC @ 10 V	±20V	2540 pf @ 100 V	-	192W（TC）
FMMT718TA-50	0.0852	RFQ	9862	二极管合并	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FMMT718				625兆	SOT-23-3	下载				31-FMMT718TA-50	Ear99	8541.21.0075	3,000																					20 v	1.5 a							100NA	PNP	220mv @ 50mA，1.5a	300 @ 100mA，2V	180MHz
BLP15M9S30GZ	20.1900	RFQ	8529	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		表面安装	SOT-1483-1	BLP15		1.5GHz	ldmos		SOT1483-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	500	n通道		-			30W	19.3db											-
PDTC144VU，115	0.0200	RFQ	14	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC144VU，115-954			14,990
JANSF2N2906AUB/TR	157.4550	RFQ	2630	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-				150-JANSF2N2906AUB/TR			50
TSM70N900CP	1.9252	RFQ	4507	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N900CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						700 v	4.5A（TC）	10V	900MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	9.7 NC @ 10 V	±30V	482 PF @ 100 V	-	50W（TC）
IPB110P06LMATMA1	5.4300	RFQ	159	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB110			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道						60 V	100A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 100a，10v	2V @ 5.55mA	281 NC @ 10 V	±20V	8500 pf @ 30 V	-	300W（TC）
SCT2280KeHRC11	15.1500	RFQ	450	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT2280			sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-SCT2280KEHRC11	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						1200 v	14A（TC）	18V	364mohm @ 4a，18v	4V @ 1.4mA	36 NC @ 400 V	+22V，-6V	667 PF @ 800 V	-	108W（TC）
AONS32106	0.2379	RFQ	2124	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	AONS321			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AONS32106TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						20 v	20A（20A），20A （TC）	2.5V，4.5V	5.3MOHM @ 20A，4.5V	1.25V @ 250µA	45 NC @ 4.5 V	±12V	3300 PF @ 10 V	-	（5W）（TA），36W（tc）
RN2113ACT（TPL3）	0.0527	RFQ	10	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	RN2113				100兆	CST3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	10,000																					50 V	80 ma							100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V		47科姆斯
FGA3060ADF	2.8800	RFQ	179	Onmi	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA3060	标准			176 w	to-3pn	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450				400V，30a，6ohm，15V															26 NS	沟渠场停止	600 v	60 a	90 a	2.3V @ 15V，30a	（960µJ）（在165µj of）上（OFF）	37.4 NC	12NS/42.4NS
IRFL1006PBF	-	RFQ	9766	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	80		n通道						60 V	1.6a（ta）	10V	220MOHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	160 pf @ 25 V	-	1W（ta）
FJV3101RMTF	-	RFQ	6273	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV310				200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma							100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 10mA，5v	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
NTB45N06L	-	RFQ	7994	Onmi	-	管子	过时的					NTB45						下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50
PBLS2021D，115	-	RFQ	5929	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBLS20						下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
IKA08N65H5XKSA1	-	RFQ	2861	国际整流器	Trenchstop™5	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准			31.2 w	PG-TO220-3-111	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IKA08N65H5XKSA1-600047			1				400V，4A，48ohm，15V															40 ns	沟渠场停止	650 v	10.8 a	24 a	2.1V @ 15V，8a	（70µJ）（在），30µj（30µJ）	22 NC	11NS/115NS
BC 850B E6327	0.0400	RFQ	36	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					330兆	PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	6,836																					45 v	100 ma							15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
NTE175	5.6600	RFQ	3806	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2					35 w	到66	下载	rohs3符合条件			2368-NTE175	Ear99	8541.29.0095	1																					300 v	2 a							5mA	NPN	750mv @ 125mA，1a	40 @ 100mA，10v	15MHz
KST5087MTF	-	RFQ	9487	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆	SOT-23-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-KST5087MTF-600039			1																					50 V	50 mA							50NA（iCBO）	PNP	300mv @ 1mA，10mA	250 @ 10mA，5V	40MHz
IPI80P04P4L04AKSA1	-	RFQ	6076	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80p			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000840198	Ear99	8541.29.0095	500		P通道						40 V	80A（TC）	4.5V，10V	4.7mohm @ 80a，10v	2.2V @ 250µA	176 NC @ 10 V	+5V，-16V	3800 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IPDQ60R017S7AXTMA1	20.3200	RFQ	4002	Infineon技术	CoolMos™S7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	22-Powerbsop模块	IPDQ60R			MOSFET （金属 o化物）		PG-HDSOP-22-1	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	750		n通道						600 v	30A（TC）	12V	17mohm @ 29a，12v	4.5V @ 1.89mA	196 NC @ 12 V	±20V	7370 pf @ 300 V	-	500W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²