RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
DMN3016LDV-7	0.6300	RFQ	2274	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMN3016		MOSFET （金属 o化物）			PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）							21a（TC）		12mohm @ 7a，10v	2V @ 250µA	9.5NC @ 4.5V		1184pf @ 15V	-
IRF5806	-	RFQ	8768	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）			Micro6™tsop-6）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		P通道					20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	86mohm @ 4A，4.5V	1.2V @ 250µA	11.4 NC @ 4.5 V	±20V	594 pf @ 15 V	-	2W（TA）
SUP85N04-03-E3	-	RFQ	2150	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP85		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					40 V	85A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 30a，10v	3V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），250W（tc）
mpsa75rlrag	-	RFQ	2736	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA75			625兆		TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																			40 V	500 MA			500NA			pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	-
QS8K11TCR	0.9200	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QS8K11		-	1.5W		TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						30V	3.5a		50mohm @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	3.3nc @ 5V		180pf @ 10V	-
JANSL2N3810	198.9608	RFQ	3899	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500 /336	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3810			350MW		TO-78-6	-			到达不受影响	150-JANSL2N3810			1																			60V	50mA			10µA（ICBO）			2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
FDSS2407-SB82086P	-	RFQ	5064	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					FDSS24		-				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDSS2407-SB82086PTR			2,500															-
FDMS3669S	0.8500	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3669		MOSFET （金属 o化物）	1W（ta），2.2W（2.2W（tc），1W（1W（ta），2.5W（ta（TC）（TC）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	352	2 n 通道（双）						30V	（13a）（24a t tc）（18a ta），60a tc（60a tc）（TC）		10mohm @ 13a，10v，5mohm @ 18a，10v	2.7V @ 250µA，2.5V @ 1mA	24nc @ 10v，34nc @ 10V		1605pf @ 15V，2060pf @ 15V	逻辑级别门
FQH35N40	5.3400	RFQ	846	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					400 v	35A（TC）	10V	105MOHM @ 17.5A，10V	5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	5600 pf @ 25 V	-	310W（TC）
IXKP24N60C5	5.3932	RFQ	8385	ixys	coolmos™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXKP24		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	24A（TC）	10V	165mohm @ 12a，10v	3.5V @ 790µA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 100 V	-	-
SI1922EDH-T1-BE3	0.4100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1922		MOSFET （金属 o化物）	（740MW）（TA），1.25W（tc）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	1.3A（1.3A），1.3A（TC）		198mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	2.5nc @ 8v		-	-
FZ800R33KF2CNOSA2	-	RFQ	8667	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FZ800			9600 w	标准	-	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥																	-	3300 v	1 a	4.25V @ 15V，800A		5 ma	不	100 nf @ 25 V
AON6314	0.3091	RFQ	2968	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	aon63		MOSFET （金属 o化物）			8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	85A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±12V	1900 pf @ 15 V	-	32.5W（TC）
RJL5014DPP-E0 ＃T2	5.7400	RFQ	2	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-RJL5014DPP-E0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	（19a ta）	10V	400MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±30V	1700 PF @ 25 V	-	35W（TC）
FQPF33N10	-	RFQ	6086	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					100 v	18A（TC）	10V	52MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±25V	1500 pf @ 25 V	-	41W（TC）
ixta1n100p-trl	1.7238	RFQ	5248	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta1n100p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					1000 v	1A（TC）	10V	15ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	15.5 NC @ 10 V	±20V	331 PF @ 25 V	-	50W（TC）
TSM70N750CP	2.1762	RFQ	9537	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70		MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N750CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					700 v	6A（TC）	10V	750MOHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	10.7 NC @ 10 V	±30V	555 pf @ 100 V	-	62.5W（TC）
CPC3714CTR	0.4416	RFQ	7626	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-243AA	CPC3714		MOSFET （金属 o化物）			SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					350 v	-		14ohm @ 240mA，0v	-			100 pf @ 25 V	耗尽模式
BLF245B	-	RFQ	6242	Ampleon USA Inc.	-	大部分	积极的	65 v		底盘安装	SOT-279A		175MHz				CDFM4	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BLF245B-1603			1	2 n通道		1ma	50 mA	30W	18db											-					28 V
PMP4501V，115	1.0000	RFQ	1066	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMP4						下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000
CAB006A12GM3T	368.4100	RFQ	7753	Wolfspeed，Inc。	-	盒子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	CAB006		（SIC）	10MW		模块	下载		不适用		1697-CAB006A12GM3T			18	2 n 通道（半桥）						1200V	200a（200a tj）		6.9mohm @ 200a，15v	3.6V @ 69mA	708nc @ 15V		20400pf @ 800V	（SIC）
KTC3198-Y-B0 A1G	-	RFQ	5430	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				500兆		到92	下载			到达不受影响	1801-KTC3198-Y-B0A1GTB	过时的		1																			50 V	150 ma			100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 150mA，6v	80MHz
HUFA76404DK8T	-	RFQ	7068	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HUFA76404		MOSFET （金属 o化物）	2.5W		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）						62V	3.6a		110MOHM @ 3.6A，10V	3V @ 250µA	4.9nc @ 5V		250pf @ 25V	逻辑级别门
FDMS9600S	2.4900	RFQ	2	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMS9600		MOSFET （金属 o化物）	1W		8-MLP（5x6），Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						30V	12a，16a		8.5mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	13nc @ 4.5V		1705pf @ 15V	逻辑级别门
NVMD6N03R2G	-	RFQ	7870	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NVMD6		MOSFET （金属 o化物）	1.29W		8-SOIC	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）						30V	6a		32MOHM @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	30nc @ 10V		950pf @ 24V	逻辑级别门
BSP299 E6327	-	RFQ	3004	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4-21	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					500 v	400mA（TA）	10V	4ohm @ 400mA，10v	4V @ 1mA		±20V	400 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
JANTX2N2222AL	-	RFQ	8093	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				500兆		TO-218	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			50 V	800 MA			50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
IQD063N15NM5ATMA1	2.2578	RFQ	6779	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IQD063N15NM5ATMA1TR			5,000
VRF152G	174.5800	RFQ	5	微芯片技术	-	大部分	积极的	130 v			SOT-262A1	VRF152	175MHz	MOSFET				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-VRF152G	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）		50µA	500 MA	300W	16dB											-					50 V
IRF9610S	-	RFQ	8983	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9610		MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9610S	Ear99	8541.29.0095	50		P通道					200 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 900mA，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	（3W）（TA），20W（20W）TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²