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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IRF9335pbf	-	RFQ	1126	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001565718	Ear99	8541.29.0095	95		P通道						30 V	5.4A（ta）	4.5V，10V	59MOHM @ 5.4A，10V	2.4V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±20V	386 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
BSC350N20NSFDATMA1	3.5900	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC350			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						200 v	35A（TC）	10V	35MOHM @ 35A，10V	4V @ 90µA	30 NC @ 10 V	±20V	2410 pf @ 100 V	-	150W（TC）
irfbe30pbf	2.2500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBE30			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfbe30pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						800 v	4.1A（TC）	10V	3ohm @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
ST57711	-	RFQ	1602	Onmi	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	ST577				350兆	TO-92-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																				15 v	200 ma							10NA	PNP	600mv @ 5mA，50mA	30 @ 10mA，300mv	-
2SB1135R	-	RFQ	5138	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包					2 w	TO-220毫升	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SB1135R-488			1																				50 V	7 a							100µA（ICBO）	PNP	400mv @ 400mA，4a	100 @ 1A，2V	10MHz
FDBL9401L-F085	-	RFQ	6981	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	FDBL9401			MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						40 V	300A（TC）	4.5V，10V	0.55MOHM @ 80A，10V	3V @ 250µA	376 NC @ 10 V	±20V	19550 pf @ 20 V	-	429W（TC）
mps4126rlrag	-	RFQ	8264	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS412				625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				25 v	200 ma							50NA（iCBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	170MHz
MCH3478-TL-H	-	RFQ	2935	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	MCH34			MOSFET （金属 o化物）		3-MCPH	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						30 V	2A（TA）	1.8V，4.5V	165mohm @ 1A，4.5V	-	1.7 NC @ 4.5 V	±12V	130 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
SI4816DY-T1-GE3	-	RFQ	9991	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4816			MOSFET （金属 o化物）	1W，1.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）							30V	5.3a，7.7a		22mohm @ 6.3a，10v	2V @ 250µA	12nc @ 5V		-	逻辑级别门
FDD86369	1.6000	RFQ	325	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD863			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						80 V	90A（TC）	10V	7.9MOHM @ 80a，10V	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	2530 PF @ 40 V	-	150W（TJ）
NVTFS005N04CTAG	1.5900	RFQ	8183	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS005			MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						40 V	17a（17a），69A （TC）	10V	5.6MOHM @ 35A，10V	3.5V @ 40µA	16 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
MCH6631-TL-E-SY	0.0900	RFQ	93	Sanyo	*	大部分	积极的					MCH6631			-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000																-
TK4P60DB（T6RSS-Q）	-	RFQ	1320	东芝半导体和存储	π-mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK4P60			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		TK4P60DBT6RSQ	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						600 v	3.7a（ta）	10V	2ohm @ 1.9a，10v	4.4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±30V	540 pf @ 25 V	-	80W（TC）
BSN20BK215	-	RFQ	2915	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
apt30m30jll	40.1200	RFQ	2490	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT30M30			MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						300 v	88A（TC）		30mohm @ 44a，10v	5V @ 2.5mA	140 NC @ 10 V		7030 PF @ 25 V	-
PBSS4160T-QR	0.1000	RFQ	6500	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					270兆	TO-236AB	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-PBSS4160T-QRTR	Ear99	8541.21.0075	3,000																				60 V	900 MA							100NA	NPN	250mv @ 100mA，1a	250 @ 1mA，5V	220MHz
STS11N3LLH5	-	RFQ	7457	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS11			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	11A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 5.5A，10V	1V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	+22V，-20V	724 PF @ 25 V	-	2.7W（TC）
BSS123W-7	-	RFQ	8072	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BSS123			MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						100 v	170mA（TA）	4.5V，10V	6ohm @ 170mA，10v	2V @ 1mA		±20V	60 pf @ 25 V	-	200mw（ta）
AOI409	0.4292	RFQ	3892	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	AOI40			MOSFET （金属 o化物）		TO-251A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,500		P通道						60 V	26a（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 30 V	-	2.5W（TA），60W（TC）
NDCTR3065A	-	RFQ	9618	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					NDCTR3065						-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NDCTR3065ATR			3,000									-
PDTC143ZU-QAX	0.0365	RFQ	1388	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	PDTC143				200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-PDTC143ZU-QAXTR	Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma							1µA	npn-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v	230 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
MMDT5213W	0.0266	RFQ	2486	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	MMDT5213				200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-MMDT5213WTR		8541.21.0000	3,000																					100 ma							100NA（ICBO）	npn-预先偏见	-	80 @ 10mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
LGD8209TI	-	RFQ	6710	Littelfuse Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	Rohs符合条件	（1 （无限）		18-LGD8209TITR		0000.00.0000	2,500
AUIRF3315S	-	RFQ	9179	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道						150 v	21a（TC）	10V	82MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
NVMFS5C430NLAFT3G	1.4382	RFQ	3277	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5			MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						40 V	38a（TA），200A（tc）	4.5V，10V	1.4mohm @ 50a，10v	2V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 20 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
IXGT28N60B	-	RFQ	9087	ixys	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT28	标准			150 w	TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				480V，28a，10ohm，15V															-	600 v	40 a	80 a	2V @ 15V，28a	2MJ（（）	68 NC	15NS/175NS
BLL1214-250	261.9600	RFQ	153	Rochester Electronics，LLC	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BLL1214-250-2156	Ear99	8541.29.0075	1
SQJQ186ER-T1_GE3	2.9300	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼	SQJQ186			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						80 V	329a（TC）	10V	2.3MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	10552 PF @ 25 V	-	600W（TC）
CG2H80030D-GP4	93.5950	RFQ	80	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	积极的	84 v			死	CG2H80030		8GHz	hemt		死	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	10			-		200 ma	30W	16.5db											-									28 V
IRFC250NB	-	RFQ	4149	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的		-	表面安装	死				MOSFET （金属 o化物）		死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC250NB	过时的		1		-						200 v	-	-	-	-		-		-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²