RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IXTT30N50L	-	RFQ	4237	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT30		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	10200 PF @ 25 V	-	400W（TC）
BC856AW-QX	0.0322	RFQ	3679	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC856			200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1727-BC856AW-QXTR	Ear99	8541.21.0095	3,000															65 v	100 ma					15NA（icbo）	PNP	600mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
DXTP03060BFG-7	0.5900	RFQ	6403	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn				1.07 w	PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000															60 V	5.5 a					50NA	PNP	250mv @ 500mA，50a	100 @ 2a，2v	120MHz
STW55NM60ND	-	RFQ	2159	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW55N		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-7036-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	51A（TC）	10V	60mohm @ 25.5a，10v	5V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±25V	5800 PF @ 50 V	-	350W（TC）
NGD8209NT4G	-	RFQ	4077	Littelfuse Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		逻辑		94 W	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		-NGD8209NT4G	Ear99	8541.29.0095	2,500			-											-	445 v	12 a	30 a	2.3V @ 4.5V，10a	-	-
KSD1588OTU	-	RFQ	4765	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSD1588			2 w	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000															60 V	7 a					10µA（ICBO）	NPN	500mv @ 500mA，5a	80 @ 3a，1V	-
BC237BZL1G	-	RFQ	5482	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BC237			350兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000															45 v	100 ma					15NA	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	200MHz
SIA483DJ-T1-GE3	0.5100	RFQ	118	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA483		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	12A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 5a，10v	2.2V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1550 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
FDC6320C	0.2200	RFQ	275	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC6320		MOSFET （金属 o化物）	700MW	SuperSot™-6	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n和p通道			25V	220mA，120mA		4ohm @ 400mA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.4NC @ 4.5V		9.5pf @ 10V	逻辑级别门
SIR510DP-T1-RE3	2.2500	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		100 v	31a（31A），126a （TC）	7.5V，10V	3.6mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	4980 pf @ 50 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
STW38N65M5	7.6200	RFQ	1092	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW38		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	30A（TC）	10V	95mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±25V	3000 pf @ 100 V	-	190w（TC）
2SB861C-E	-	RFQ	9044	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
AO3422L	-	RFQ	7011	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		55 v	2.1a（ta）	2.5V，4.5V	160MOHM @ 2.1a，4.5V	2V @ 250µA	3.3 NC @ 4.5 V	±12V	300 pf @ 25 V	-	1.25W（TA）
SI4948BEY-T1-GE3	1.3200	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4948		MOSFET （金属 o化物）	1.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）			60V	2.4a		120MOHM @ 3.1A，10V	3V @ 250µA	22nc @ 10V		-	逻辑级别门
PBSS4160T-QR	0.1000	RFQ	6500	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				270兆	TO-236AB	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-PBSS4160T-QRTR	Ear99	8541.21.0075	3,000															60 V	900 MA					100NA	NPN	250mv @ 100mA，1a	250 @ 1mA，5V	220MHz
TK4A60D（sta4，Q，m）	-	RFQ	6275	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK4A60		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	4A（ta）	10V	1.7OHM @ 2A，10V	4.4V @ 1mA	12 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	35W（TC）
AOD4162	-	RFQ	6926	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD41		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	16a（16A），46A （TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 20A，10V	2.6V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1187 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
STS11N3LLH5	-	RFQ	7457	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS11		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	11A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 5.5A，10V	1V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	+22V，-20V	724 PF @ 25 V	-	2.7W（TC）
BSS123W-7	-	RFQ	8072	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BSS123		MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		100 v	170mA（TA）	4.5V，10V	6ohm @ 170mA，10v	2V @ 1mA		±20V	60 pf @ 25 V	-	200mw（ta）
mmftn620kd-aq	-	RFQ	5614	diotec半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457			MOSFET （金属 o化物）	500MW	SOT-26	下载	不适用	不适用	供应商不确定	2796-MMFTN620KD-AQTR		8541.21.0000	1	2 n通道			60V	350mA		1.5OHM @ 500mA，10V	1.5V @ 250µA	1.3nc @ 10V		35pf @ 25V	逻辑级别门
IRFH8202TRPBF	1.8200	RFQ	5114	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IRFH8202		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		25 v	47A（TA），100A（tc）	4.5V，10V	1.05MOHM @ 50a，10V	2.35V @ 150µA	110 NC @ 10 V	±20V	7174 PF @ 13 V	-	3.6W（TA），160W（tc）
mps4126rlrag	-	RFQ	8264	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPS412			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000															25 v	200 ma					50NA（iCBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	170MHz
BSC350N20NSFDATMA1	3.5900	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC350		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		200 v	35A（TC）	10V	35MOHM @ 35A，10V	4V @ 90µA	30 NC @ 10 V	±20V	2410 pf @ 100 V	-	150W（TC）
DMN3016LDV-7	0.6300	RFQ	2274	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMN3016		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）				21a（TC）		12mohm @ 7a，10v	2V @ 250µA	9.5NC @ 4.5V		1184pf @ 15V	-
IRF5806	-	RFQ	8768	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		Micro6™tsop-6）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		P通道		20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	86mohm @ 4A，4.5V	1.2V @ 250µA	11.4 NC @ 4.5 V	±20V	594 pf @ 15 V	-	2W（TA）
SUP85N04-03-E3	-	RFQ	2150	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP85		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		40 V	85A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 30a，10v	3V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），250W（tc）
mpsa75rlrag	-	RFQ	2736	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA75			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000															40 V	500 MA					500NA	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	-
QS8K11TCR	0.9200	RFQ	4	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	QS8K11		-	1.5W	TSMT8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	3.5a		50mohm @ 3.5A，10V	2.5V @ 1mA	3.3nc @ 5V		180pf @ 10V	-
JANSL2N3810	198.9608	RFQ	3899	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500 /336	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3810			350MW	TO-78-6	-			到达不受影响	150-JANSL2N3810			1															60V	50mA					10µA（ICBO）	2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
FDSS2407-SB82086P	-	RFQ	5064	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				FDSS24		-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-FDSS2407-SB82086PTR			2,500												-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²