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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IRF7341GTRPBF	2.2500	RFQ	20	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF734		MOSFET （金属 o化物）	2.4W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）			55V	5.1a		50MOHM @ 5.1A，10V	1V @ 250µA（250µA）	44NC @ 10V		780pf @ 25V	-
AO3409L_102	-	RFQ	5244	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	2.6a（ta）	4.5V，10V	130MOHM @ 2.6a，10V	3V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V	370 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
2N6968	4.2100	RFQ	748	哈里斯公司	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
MCH6635-TL-E	0.0700	RFQ	84	Sanyo	*	大部分	积极的				MCH6635		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	5,000												-
RFD20N03SM9A	0.7800	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	20A（TC）	10V	25mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 20 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	90W（TC）
STW13NK50Z	-	RFQ	9624	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	stw13n		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	11A（TC）	10V	480MOHM @ 6.5A，10V	4.5V @ 100µA	47 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	140W（TC）
PDTC143TU/ZLX	-	RFQ	8462	Nexperia USA Inc.	*	大部分	过时的				PDTC143						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
CAB011A12GM3T	252.2300	RFQ	4220	Wolfspeed，Inc。	-	盒子	积极的				CAB011						-		不适用		1697-CAB011A12GM3T			18
CMPT6429 TR PBFRE	0.4900	RFQ	14	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CMPT6429			350兆		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																45 v	200 ma									100NA			NPN	600mv @ 5mA，100mA	500 @ 100µA，5V	700MHz
RFD12N06RLESM9A	1.1000	RFQ	8048	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RFD12N06		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	18A（TC）	4.5V，10V	63mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±16V	485 pf @ 25 V	-	49W（TC）
IRFF232	1.0100	RFQ	341	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）			to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	4.5A（TC）	-	-	-		-		-	25W
RJK5006DPD-WS＃j2	-	RFQ	1791年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			MP-3A	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		500 v	6a（6a）	10V	1.3OHM @ 3A，10V	4.5V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	65W（TC）
ACX114YUQ-13R	0.0480	RFQ	4008	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	ACX114			270MW		SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																50V	100mA									-			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	-	-	250MHz	10KOHMS	47kohms
NGD18N40ACLBT4G	-	RFQ	7320	Littelfuse Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NGD18N40	逻辑		115 w		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500			-												-	430 v	15 a	50 a	2.5V @ 4V，15a	-		-
IRG4BC20F	-	RFQ	4982	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC20F	Ear99	8541.29.0095	50			480V，9a，50ohm，15V												-	600 v	16 a	64 a	2V @ 15V，9a	（70µJ）（在600µJ上）	27 NC	24NS/190NS
IXTP08N100D2	2.4900	RFQ	1851年	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp08		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	800mA（TC）	-	21ohm @ 400mA，0v	-	14.6 NC @ 5 V	±20V	325 pf @ 25 V	耗尽模式	60W（TC）
afghl40t65spd	6.7800	RFQ	6071	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	afghl40	标准		267 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	afghl40t65spdos	Ear99	8541.29.0095	30			400V，40a，6ohm，15V											35 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	120 a	2.4V @ 15V，40a	1.16mj（在）上（270µJ）off）	36 NC	18NS/35NS
LSK389C TO-71 6L	2000年年1月13日	RFQ	449	线性集成系统公司	LSK389	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-71-6金属罐				400兆		TO-71	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		2 n 通道（双）									25pf @ 10V												40 V	10 ma @ 10 V	300 mV @ 0.1 µA
2N3054A PBFRE	-	RFQ	1403	中央半导体公司	-	大部分	过时的										下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-2N3054APBFRE	Ear99	8541.29.0095	1
DDB6U75N16W1RBOMA1	74.8000	RFQ	22	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	DDB6U75			335 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器														-	1200 v	69 a		2.15V @ 15V，50a							1 MA	是的	2.8 nf @ 25 V
FMS6G20US60	-	RFQ	7790	Onmi	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	25 pm-aa	FMS6			89 w	三相桥梁整流器	25 pm-aa	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	三相逆变器														-	600 v	20 a		2.7V @ 15V，20A							250 µA	是的	1.277 NF @ 30 V
IXGR32N60C	-	RFQ	8889	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgr32	标准		140 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，32a，4.7Ohm，15V												-	600 v	45 a	120 a	2.7V @ 15V，32a	320µJ（离）	110 NC	25NS/85NS
CM200DY-12H	-	RFQ	3914	Powerex Inc.	IGBTMOD™	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				780 w	标准	模块	-	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2	半桥														-	600 v	200 a		2.8V @ 15V，200a							1 MA	不	20 nf @ 10 V
RGW50TK65DGVC11	6.3100	RFQ	450	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3PFM，SC-93-3		标准		67 W		to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，25a，10ohm，15V											92 ns	沟渠场停止	650 v	30 a	100 a	1.9V @ 15V，25a	（390µJ）（在430µJ上）	73 NC	35NS/102NS
IGC70T120T8RQ	-	RFQ	9045	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	IGC70	标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			-												沟渠场停止	1200 v		225 a	2.42V @ 15V，75a	-		-
2N5551	-	RFQ	4074	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆		TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	5,000																160 v	600 MA									50NA（iCBO）			NPN	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	300MHz
BCX56-10TX	0.4000	RFQ	113	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX56			500兆		SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																80 V	1 a									100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	155MHz
PSMN2R5-30YL，115	1.1700	RFQ	2186	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN2R5		MOSFET （金属 o化物）			LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		30 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 15a，10v	2.15V @ 1mA	57 NC @ 10 V	±20V	3468 pf @ 12 V	-	88W（TC）
ixtc36p15p	-	RFQ	5419	ixys	Polarp™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	ixtc36		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		150 v	22a（TC）	10V	120MOHM @ 18A，10V	5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXTT30N50L	-	RFQ	4237	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT30		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	10200 PF @ 25 V	-	400W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²