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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SC2335-s-az	-	RFQ	9912	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的									下载		（1 （无限）		559-2SC2335-S-az	过时的		1
SG2023L-883B	-	RFQ	9125	微芯片技术	-	托盘	积极的	-55°C〜125°C（TA）	表面安装	20-CLCC	SG2023			-	20-CLCC（8.89x8.89）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-SG2023L-883B	Ear99	8541.29.0095	50															95V	500mA						-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
DMN6010SCTBQ-13	1.7042	RFQ	6784	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	DMN6010		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB（D²Pak）	下载			到达不受影响	31-DMN6010SCTBQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		60 V	128a（TC）	10V	10mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	46 NC @ 10 V	±20V	2692 PF @ 25 V	-	5W（5W），312W（TC）
PH1330al，115	-	RFQ	3712	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	PH1330		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56; Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934064142115	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		30 V	100A（TC）		1.3MOHM @ 15A，10V	2.15V @ 1mA	100 nc @ 10 V		6227 PF @ 12 V	-	-
ixta240n055t	-	RFQ	1411	ixys	TRENCHT2™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta240		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	240a（TC）	10V	3.6mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
FDD8586	-	RFQ	9886	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD858		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		20 v	35A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	2480 pf @ 10 V	-	77W（TC）
MSC40SM120JCU2	45.0700	RFQ	5301	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	MSC40SM120		sicfet （碳化硅）		SOT-227（ISOTOP®）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSC40SM120JCU2	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1200 v	55A（TC）	20V	50mohm @ 40a，20v	2.7V @ 1mA	137 NC @ 20 V	+25V，-10V	1990 pf @ 1000 V	-	245W（TC）
BSZ049N03LSCGATMA1	1.0000	RFQ	9557	Infineon技术	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	5,000
IRF9510	0.6000	RFQ	2	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		100 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	43W（TC）
PDTA144ET	-	RFQ	8052	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的									下载						0000.00.0000	1
2N4410	-	RFQ	6762	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N4410			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000															80 V	200 ma						10NA（ICBO）	NPN	200mv @ 100µA，1mA	60 @ 10mA，1V	-
IRF510PBF-BE3	1.1200	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF510		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF510PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	5.6A（TC）		540MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	43W（TC）
FM6K62010L	-	RFQ	9720	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		WSMINI6-F1-B	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		20 v	2A（TA）	2.5V，4V	105MOHM @ 1A，4V	1.3V @ 1mA		±10V	280 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	700MW（TA）
FMM65-015p	-	RFQ	9046	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FMM65		MOSFET （金属 o化物）	-	ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	2 n 通道（双）			150V	65a		22mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	230nc @ 10V		-	-
FDP15N50	2.0600	RFQ	4	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道		500 v	15A（TC）	10V	380MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±30V	1850 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRF7809AVTRPBF	1.5800	RFQ	3	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7809		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		30 V	13.3a（ta）	4.5V	9mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	62 NC @ 5 V	±12V	3780 pf @ 16 V	-	2.5W（TA）
IRFZ34E	-	RFQ	1741年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ34E	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	28a（TC）	10V	42mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	68W（TC）
STFU26N60M2	1.4941	RFQ	3111	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STFU26		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	20A（TC）	10V	165mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	1360 pf @ 100 V	-	30W（TC）
FDMS2672	2.9000	RFQ	2	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMS26		MOSFET （金属 o化物）		8-MLP（5x6），Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		200 v	3.7A（TA），20A（tc）	6V，10V	77MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	2315 PF @ 100 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
BUK7214-75B，118	-	RFQ	9154	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				Buk72					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
DMN3007LSSQ-13	0.6600	RFQ	6238	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMN3007		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	16A（TA）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	2.1V @ 250µA	64.2 NC @ 10 V	±20V	2714 PF @ 15 V	-	2.5W
STP8N80K5	2.5600	RFQ	123	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP8N80		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	6A（TC）	10V	950MOHM @ 3A，10V	5V @ 100µA	16.5 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 100 V	-	110W（TC）
2PD601ASW-QX	0.0412	RFQ	6847	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-2PD601ASW-QXTR	Ear99	8541.21.0095	3,000															50 V	100 ma						10NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	290 @ 2mA，10v	100MHz
IXGF20N300	52.7600	RFQ	9677	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXGF20	标准		100 W	ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			-											-	3000 v	22 a	103 a	3.2V @ 15V，20A	-	31 NC	-
MPSA42RLRP	-	RFQ	8329	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA42			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000															300 v	500 MA						100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 1mA，10v	50MHz
BC337-40-B0 A1	-	RFQ	8251	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC337-40-B0A1TB	过时的		1															45 v	800 MA						100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
BC807-40,235	-	RFQ	4637	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC807-40,235-954			1															45 v	500 MA						100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	80MHz
NSBC123JF3T5G	0.1061	RFQ	7868	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-1123	NSBC123			254兆	SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000															50 V	100 ma						500NA	npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		2.2 kohms	47科姆斯
SIE806DF-T1-GE3	-	RFQ	8509	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE806		MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 25A，10V	2V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±12V	13000 pf @ 15 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
NTE2934	7.3100	RFQ	449	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）		下午3点	下载	Rohs不合规			2368-NTE2934	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		400 v	11.5A（TC）	10V	300MOHM @ 5.75a，10V	4V @ 250µA	131 NC @ 10 V	±30V	2780 pf @ 25 V	-	92W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²