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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2SC2001-A	0.2200	RFQ	7	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1
2SC2335-s-az	-	RFQ	9912	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的												下载		（1 （无限）		559-2SC2335-S-az	过时的		1
SG2023L-883B	-	RFQ	9125	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜125°C（TA）	表面安装	20-CLCC	SG2023				-		20-CLCC（8.89x8.89）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-SG2023L-883B	Ear99	8541.29.0095	50																				95V	500mA							-			7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
2N4410	-	RFQ	6762	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N4410				625兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																				80 V	200 MA							10NA（ICBO）			NPN	200mv @ 100µA，1mA	60 @ 10mA，1V	-
IRFZ20PBF-BE3	1.9000	RFQ	657	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ20			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irfz20pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						50 V	15A（TC）		100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	40W（TC）
DMN6010SCTBQ-13	1.7042	RFQ	6784	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	DMN6010			MOSFET （金属 o化物）			TO-263AB（D²Pak）	下载			到达不受影响	31-DMN6010SCTBQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	800		n通道						60 V	128a（TC）	10V	10mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	46 NC @ 10 V	±20V	2692 PF @ 25 V	-	5W（5W），312W（TC）
apt20m11jfll	79.3500	RFQ	9953	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT20M11			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						200 v	176a（TC）		11mohm @ 88a，10v	5V @ 5mA	180 NC @ 10 V		10320 PF @ 25 V	-
PH1330al，115	-	RFQ	3712	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	PH1330			MOSFET （金属 o化物）			LFPAK56; Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934064142115	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						30 V	100A（TC）		1.3MOHM @ 15A，10V	2.15V @ 1mA	100 nc @ 10 V		6227 PF @ 12 V	-	-
MRF6S19140HR3	112.6200	RFQ	405	自由度半导体	-	大部分	积极的	68 v		底盘安装	SOT-957A			1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos			NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	250			10µA		1.15 a	29W	16dB											-									28 V
TK6A65D（sta4，Q，m）	1.9400	RFQ	6	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK6A65			MOSFET （金属 o化物）			TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	6a（6a）	10V	1.11ohm @ 3a，10v	4V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±30V	1050 pf @ 25 V	-	45W（TC）
PH6530al，115	-	RFQ	6446	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	SC-100，SOT-669	PH65			MOSFET （金属 o化物）			LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道						30 V	-		-	-				-	-
DMN62D0UDWQ-7	0.0993	RFQ	8969	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMN62			MOSFET （金属 o化物）	320MW（TA）		SOT-363	下载			到达不受影响	31-DMN62D0UDWQ-7TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）							60V	350mA（ta）		2ohm @ 100mA，4.5V	1.1V @ 250µA	0.5NC @ 4.5V		32pf @ 30V	-
NVMFD5489NLT3G	-	RFQ	1076	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	NVMFD5483			MOSFET （金属 o化物）	3W		8-dfn（5x6）（SO8FL偶）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）							60V	4.5a		65mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	12.4NC @ 10V		330pf @ 25V	逻辑级别门
LB1214-E	0.4400	RFQ	850	Sanyo	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
MSCSM120DUM16TBL3NG	-	RFQ	4184	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120			（SIC）	560W		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120DUM16TBL3NG	Ear99	8541.29.0095	1	4 n通道，常见来源							1200V（1.2kV）	150a		16mohm @ 80a，20v	2.8V @ 6mA	464NC @ 20V		6040pf @ 1000V	-
IRF9510	0.6000	RFQ	2	哈里斯公司	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道						100 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	43W（TC）
PDTA144ET	-	RFQ	8052	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的												下载						0000.00.0000	1
AUIRGSL30B60K	2.3500	RFQ	8	国际整流器	*	大部分	积极的					AUIRGSL30							下载		供应商不确定	到达受影响	2156-AUIRGSL30B60K-600047			1
FJAF6810AYDTBTU	0.5100	RFQ	4819	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3					60 W		to-3pf	-	rohs3符合条件			2156-FJAF6810AYDTBTU-FS	Ear99	8541.29.0095	30																				750 v	10 a							1ma			NPN	3V @ 1.5a，6a	5 @ 6a，5v	-
DMTH6012LPSW-13	0.2453	RFQ	8826	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMTH6012			MOSFET （金属 o化物）			PowerDi5060-8（Q）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	31-DMTH6012LPSW-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	11.5A（ta），50.5a tc）	4.5V，10V	14mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	13.6 NC @ 10 V	±20V	785 pf @ 30 V	-	2.8W（TA），53.6W（TC）
NVHL040N60S5F	10.7100	RFQ	450	Onmi	FRFET®，SuperFet®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NVHL040			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NVHL040N60S5F	Ear99	8541.29.0095	450		n通道						600 v	59A（TC）	10V	40mohm @ 29.5a，10v	4.8V @ 7.2mA	115 NC @ 10 V	±30V	6318 PF @ 400 V	-	347W（TC）
TK25A20D，S5X	1.7900	RFQ	40	东芝半导体和存储	-	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道						200 v	25A（TA）	10V	70MOHM @ 12.5a，10V	3.5V @ 1mA	60 NC @ 10 V	±20V	2550 pf @ 100 V	-	45W（TC）
SI1922EDH-T1-BE3	0.4100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1922			MOSFET （金属 o化物）	（740MW）（TA），1.25W（tc）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							20V	1.3A（1.3A），1.3A（TC）		198mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	2.5nc @ 8v		-	-
TSM70N750CP	2.1762	RFQ	9537	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N750CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						700 v	6A（TC）	10V	750MOHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	10.7 NC @ 10 V	±30V	555 pf @ 100 V	-	62.5W（TC）
CPC3714CTR	0.4416	RFQ	7626	ixys集成电路部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-243AA	CPC3714			MOSFET （金属 o化物）			SOT-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						350 v	-		14ohm @ 240mA，0v	-			100 pf @ 25 V	耗尽模式
FZ800R33KF2CNOSA2	-	RFQ	8667	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FZ800				9600 w	标准	-	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥																		-	3300 v	1 a		4.25V @ 15V，800A					5 ma	不	100 nf @ 25 V
IRG4BC20F	-	RFQ	4982	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准			60 W		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC20F	Ear99	8541.29.0095	50				480V，9a，50ohm，15V															-	600 v	16 a	64 a	2V @ 15V，9a	（70µJ）（在600µJ上）	27 NC	24NS/190NS
DDB6U75N16W1RBOMA1	74.8000	RFQ	22	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	DDB6U75				335 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器																		-	1200 v	69 a		2.15V @ 15V，50a					1 MA	是的	2.8 nf @ 25 V
CM200DY-12H	-	RFQ	3914	Powerex Inc.	IGBTMOD™	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块					780 w	标准	模块	-	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2	半桥																		-	600 v	200 a		2.8V @ 15V，200a					1 MA	不	20 nf @ 10 V
IGC70T120T8RQ	-	RFQ	9045	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产			表面安装	死	IGC70	标准					死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				-															沟渠场停止	1200 v		225 a	2.42V @ 15V，75a	-		-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²