RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
DMTH12H007SK3-13	0.7541	RFQ	7659	二极管合并	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMTH12	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载				31-DMTH12H007SK3-13	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	120 v	86A（TC）	10V	8.9MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	3142 PF @ 60 V	-	2W（TA）
DMHC10H170SFJ-13	1.2400	RFQ	4	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-vdfn裸露的垫子	DMHC10	MOSFET （金属 o化物）	2.1W	V-DFN5045-12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2n和2p通道（半桥）		100V	2.9a，2.3a		160MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	9.7nc @ 10V		1167pf @ 25V	-
IXFH130N15X3	11.9100	RFQ	41	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH130	MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	150 v	130a（TC）	10V	9mohm @ 65a，10v	4.5V @ 1.5mA	80 NC @ 10 V	±20V	5230 PF @ 25 V	-	390W（TC）
AO3401	0.0964	RFQ	4887	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4A（ta）	2.5V，10V	50MOHM @ 4A，10V	1.3V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±12V	645 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
KSC2330YBU	0.0700	RFQ	270	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3			1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	500													300 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	120 @ 20mA，10v	50MHz
IPLK60R360PFD7ATMA1	1.6300	RFQ	9	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPLK60	MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-52	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	600 v	13A（TC）	10V	360MOHM @ 2.9a，10V	4.5V @ 140µA	12.7 NC @ 10 V	±20V	534 PF @ 400 V	-	74W（TC）
SI7892BDP-T1-GE3	1.9000	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7892	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	15A（TA）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 25A，10V	3V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±20V	3775 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
ACX114YUQ-13R	0.0480	RFQ	4008	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	ACX114		270MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000													50V	100mA	-	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	-	-	250MHz	10KOHMS	47kohms
MCD02N60-TP	-	RFQ	6247	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	MCD02N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件			353-MCD02N60-TPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	600 v	2A（TJ）	10V	2.2OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	5.1 NC @ 10 V	±30V	118 pf @ 50 V	-	18W（TJ）
RN2109，lf（Ct	0.2000	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN2109		100兆	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
BC847cm，315	-	RFQ	2710	NXP半导体	*	大部分	积极的								-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BC847CM，315-954			1
2SC4837S-AY	-	RFQ	9196	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	通过洞	TO-220-3无标签	2SC4837		1.5 w	flp	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													50 V	4 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，2a	140 @ 10mA，2V	150MHz
MUN5234DW1T1G	0.2500	RFQ	9	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN5234		250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	22KOHMS	47kohms
TIP125 BP	-	RFQ	8547	微商业公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP125		2 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TIP125BP	Ear99	8541.29.0095	5,000													60 V	5 a	500µA	pnp-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-
FQPF50N06	-	RFQ	1800	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	31a（TC）	10V	22mohm @ 15.5a，10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±25V	1540 pf @ 25 V	-	47W（TC）
BSR31-QF	0.2505	RFQ	4303	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BSR31		1.35 w	SOT-89	-	rohs3符合条件		到达不受影响	1727-BSR31-qftr	Ear99	8541.29.0075	4,000													60 V	1 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
IPP065N04N g	-	RFQ	4903	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP065N	MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	40 V	50A（TC）	10V	6.5MOHM @ 50a，10V	4V @ 200µA	34 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 20 V	-	68W（TC）
IXTN40P50P	38.4800	RFQ	22	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn40	MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		P通道	500 v	40a（TC）	10V	230MOHM @ 500mA，10V	4V @ 1mA	205 NC @ 10 V	±20V	11500 PF @ 25 V	-	890W（TC）
PDTC143TU/ZLX	-	RFQ	8462	Nexperia USA Inc.	*	大部分	过时的				PDTC143				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
CP692-MPS4992-CT	-	RFQ	7264	中央半导体公司	-	托盘	过时的								下载		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	400
DDTB143TC-7-F	-	RFQ	5333	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDTB143		200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	500 MA	500NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
2SJ606-Z-az	-	RFQ	2458	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
ST1510FX	3.1400	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	ISOWATT218FX	ST1510		62 W	ISOWATT-218FX	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30													750 v	12 a	200µA	NPN	2V @ 1.5a，6a	6.5 @ 6a，5v	-
SUP50020E-GE3	2.9300	RFQ	4691	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP50020	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	不适用			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	120A（TC）	7.5V，10V	2.4mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V		-	375W（TC）
IRFR3911TRPBF	-	RFQ	6687	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001560664	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	14A（TC）	10V	115MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	56W（TC）
SI2343DS-T1	-	RFQ	6118	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2343	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	3.1a（ta）	4.5V，10V	53MOHM @ 4A，10V	3V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 15 V	-	750MW（TA）
IRFPC50	-	RFQ	8089	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPC50	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPC50	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	11A（TC）	10V	600mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	180W（TC）
AOD4162	-	RFQ	6926	Alpha＆欧米茄半导体公司	alphamos	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD41	MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	30 V	16a（16A），46A （TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 20A，10V	2.6V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1187 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
DMN3016LDV-7	0.6300	RFQ	2274	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMN3016	MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）			21a（TC）		12mohm @ 7a，10v	2V @ 250µA	9.5NC @ 4.5V		1184pf @ 15V	-
SS8550DTA	0.4600	RFQ	10	Onmi	-	（CT）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	SS8550		1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000													25 v	1.5 a	100NA	PNP	500mv @ 80mA，800mA	160 @ 100mA，1V	200MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²