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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
B11G2327N70DX	-	RFQ	5346	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	36 QFN暴露垫	B11G2327		2.3GHz〜2.7GHz	LDMO （双）		36-PQFN （12x7）	-					过时的		1	-		-		-	30.3db											-
ZVP4105A	-	RFQ	7235	二极管合并	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				MOSFET （金属 o化物）		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	ZVP4105A-NDR	Ear99	8541.21.0095	4,000		P通道					50 V	175ma（ta）	5V	10ohm @ 100mA，5v	2V @ 1mA		±20V	40 pf @ 25 V	-	625MW（TA）
IRF7413TRPBF	-	RFQ	8428	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000		n通道					30 V	13A（TA）		11mohm @ 7.3a，10v	3V @ 250µA	79 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
DMT8008LPS-13	0.3910	RFQ	1264	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMT8008			MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMT8008LPS-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					80 V	83A（TC）	4.5V，10V	7.8mohm @ 14a，10v	2.8V @ 1mA	41.2 NC @ 10 V	±20V	2345 PF @ 40 V	-	1.3W（TA），83W（tc）
2N6270	103.8600	RFQ	1767年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3					262 w	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6270	Ear99	8541.29.0095	1																			80 V	10 a						-	NPN	-	-	-
BC817-25W-AU_R1_000A1	0.2100	RFQ	5	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817				300兆	SOT-323	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-BC817-25W-AU_R1_000A1DKR	Ear99	8541.21.0075	3,000																			45 v	500 MA						100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
SCT3080ALHRC11	21.0800	RFQ	8	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT3080			sicfet （碳化硅）		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	30A（TC）	18V	104mohm @ 10a，18v	5.6V @ 5mA	48 NC @ 18 V	+22V，-4V	571 PF @ 500 V	-	134W
5HP01S-TL-E	-	RFQ	2997	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	5HP01					SMCP	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
RN2410，LF	0.1900	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2410				200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																			50 V	100 ma						100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
2SK3844（Q）	-	RFQ	6308	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK3844			MOSFET （金属 o化物）		TO-220NIS	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	45A（TA）	10V	5.8MOHM @ 23A，10V	4V @ 1mA	196 NC @ 10 V	±20V	12400 PF @ 10 V	-	45W（TC）
MMBF102	-	RFQ	9711	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	25 v		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBF10		-	JFET		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		20mA		-	-											-
MMBT2907A-7-F-50	0.0250	RFQ	8785	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					310 MW	SOT-23-3	下载				31-MMBT2907A-7-F-50	Ear99	8541.21.0075	3,000																			60 V	600 MA						50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
SPP04N50C3XKSA1	-	RFQ	7142	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp04n			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000681022	Ear99	8541.29.0095	500		n通道					560 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 25 V	-	50W（TC）
STL100N12F7	-	RFQ	2376	Stmicroelectronics	StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL100			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					120 v	100A（TC）	10V	7.5MOHM @ 9A，10V	4.5V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 60 V	-	136W（TC）
DMN2004WKQ-7-52	0.0848	RFQ	1699年	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	DMN2004			MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载				31-DMN2004WKQ-7-52	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	540ma（ta）	1.8V，4.5V	550MOHM @ 540mA，4.5V	1V @ 250µA		±8V	150 pf @ 16 V	-	200mw（ta）
DMP2110UFDBQ-7	0.4600	RFQ	1496年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	DMP2110			MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（B型）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±10V	443 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
2SK3703	-	RFQ	5538	Onmi	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK3703			MOSFET （金属 o化物）		TO-220毫升	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道					60 V	30a（TA）	4V，10V	26mohm @ 15a，10v	-	40 NC @ 10 V	±20V	1780 pf @ 20 V	-	（2W）（25W）（25W）TC）
IXTQ26N60P	-	RFQ	6702	ixys	极性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq26			MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					600 v	26a（TC）	10V	270MOHM @ 500mA，10V	5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
STD75N3LLH6	-	RFQ	9004	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD75N			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	75A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 37.5A，10V	2.5V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	60W（TC）
ixta36n30t	-	RFQ	7469	ixys	沟	管子	积极的		-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta36			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					300 v	36a（TC）		110MOHM @ 500mA，10V	-	70 NC @ 10 V		2250 pf @ 25 V	-	-
RGWS60TS65GC13	4.9800	RFQ	3173	Rohm半导体	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGWS60	标准			156 w	TO-247G	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGWS60TS65GC13	Ear99	8541.29.0095	30				400V，30a，10ohm，15V														沟渠场停止	650 v	51 a	90 a	2V @ 15V，30a	（500µJ）（在450µJ上）	58 NC	32NS/91NS
IRFU220BTU-AM002	-	RFQ	2423	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU220			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道					200 v	4.6A（TC）	10V	800MOHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），40W（TC）
SPD30N03S2L07GBTMA1	-	RFQ	2449	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD30N			MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	30A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 30a，10v	2V @ 85µA	68 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 25 V	-	136W（TC）
MTB16N25ET4	0.6500	RFQ	184	Onmi	*	大部分	积极的											下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
SIRS4301DP-T1-GE3	3.4700	RFQ	7455	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRS4301			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					30 V	53.7a（ta），227a（tc）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	255 NC @ 4.5 V	±20V	19750 pf @ 15 V	-	7.4W（TA），132W（tc）
MPSA55	-	RFQ	7335	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																			60 V	500 MA						100NA	PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
JASP2N3500L	41.5800	RFQ	1113	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					1 w	TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSP2N3500L			1																			150 v	300 MA						10µA（ICBO）	NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
FQPF8N90C	-	RFQ	8934	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF8			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					900 v	6.3a（TC）	10V	1.9OHM @ 3.15a，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	2080 pf @ 25 V	-	60W（TC）
FCD5N60-F085	-	RFQ	2477	Onmi	汽车，AEC-Q101，SuperFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FCD5			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					600 v	4.6A（TC）	10V	1.1OHM @ 4.6A，10V	5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±30V	570 pf @ 25 V	-	54W（TJ）
2N4033 W/GOLD	-	RFQ	3647	中央半导体公司	-	盒子	过时的			通过洞	到205AD，TO-39-3						到39	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²