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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MRF085HR5	-	RFQ	2068	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	133 v			NI-650H-4L	MRF08		1.8MHz〜1.215GHz	ldmos		NI-650H-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		7µA		100 ma	85W	25.6dB											-									50 V
ISC027N10NM6ATMA1	4.0800	RFQ	6757	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC027N			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8 FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-ISC027N10NM6ATMA1CT	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						100 v	23A（23A），192a （TC）	8V，10V	2.7MOHM @ 50A，10V	3.3V @ 116µA	72.5 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 50 V	-	（3W）（217W）（TC）
Stu10p6f6	-	RFQ	2036	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu10p			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		P通道						60 V	10A（TC）	10V	160MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	6.4 NC @ 10 V	±20V	340 pf @ 48 V	-	35W（TC）
AO3422L	-	RFQ	7011	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						55 v	2.1a（ta）	2.5V，4.5V	160MOHM @ 2.1a，4.5V	2V @ 250µA	3.3 NC @ 4.5 V	±12V	300 pf @ 25 V	-	1.25W（TA）
IRFH8202TRPBF	1.8200	RFQ	5114	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IRFH8202			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						25 v	47A（TA），100A（tc）	4.5V，10V	1.05MOHM @ 50a，10V	2.35V @ 150µA	110 NC @ 10 V	±20V	7174 PF @ 13 V	-	3.6W（TA），160W（tc）
SUP85N04-03-E3	-	RFQ	2150	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP85			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						40 V	85A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 30a，10v	3V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），250W（tc）
IRF6216TRPBF	-	RFQ	1347	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道						150 v	2.2A（ta）	10V	240MOHM @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±20V	1280 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IXDR30N120	-	RFQ	6790	ixys	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixdr30	标准			200 w	ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				600V，30a，47ohm，15V															npt	1200 v	50 a	60 a	2.9V @ 15V，30a	4.6mj（在）上，3.4MJ off）	120 NC	-
FDMS9408	0.6700	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDMS940			-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000																-
FDS6994S	0.9200	RFQ	50	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS69			MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500	2 n 通道（双）							30V	6.9a，8.2a		21mohm @ 6.9a，10v	3V @ 250µA	12nc @ 5V		800pf @ 15V	逻辑级别门
IRFS7434Trl7pp	-	RFQ	3629	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道						40 V	240a（TC）	6V，10V	1MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	315 NC @ 10 V	±20V	10250 pf @ 25 V	-	245W（TC）
SIGC18T60NCX7SA1	-	RFQ	5950	Infineon技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC18	标准				死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1				300V，20a，13ohm，15V															npt	600 v	20 a	60 a	2.5V @ 15V，20A	-		21NS/110NS
IRFZ34E	-	RFQ	1741年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ34E	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	28a（TC）	10V	42mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	68W（TC）
BC807-40,235	-	RFQ	4637	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC807-40,235-954			1																				45 v	500 MA							100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	80MHz
SIE806DF-T1-GE3	-	RFQ	8509	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE806			MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 25A，10V	2V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±12V	13000 pf @ 15 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
FDMS2672	2.9000	RFQ	2	Onmi	Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMS26			MOSFET （金属 o化物）		8-MLP（5x6），Power56	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						200 v	3.7A（TA），20A（tc）	6V，10V	77MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	2315 PF @ 100 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
BC849C	0.0182	RFQ	3	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-BC849CTR	Ear99	8541.21.0075	3,000																				30 V	100 ma							15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
BC338	0.0400	RFQ	8136	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	258																				25 v	800 MA							100NA	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
IPI09N03LA	-	RFQ	1646年	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI09N			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						25 v	50A（TC）	4.5V，10V	9.2MOHM @ 30a，10V	2V @ 20µA	13 NC @ 5 V	±20V	1642 PF @ 15 V	-	63W（TC）
NSBC123JF3T5G	0.1061	RFQ	7868	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-1123	NSBC123				254兆	SOT-1123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000																				50 V	100 ma							500NA	npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		2.2 kohms	47科姆斯
STFU26N60M2	1.4941	RFQ	3111	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STFU26			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	20A（TC）	10V	165mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	1360 pf @ 100 V	-	30W（TC）
BUK7214-75B，118	-	RFQ	9154	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk72						下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
DMN3007LSSQ-13	0.6600	RFQ	6238	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMN3007			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	16A（TA）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	2.1V @ 250µA	64.2 NC @ 10 V	±20V	2714 PF @ 15 V	-	2.5W
NTE2934	7.3100	RFQ	449	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				MOSFET （金属 o化物）		下午3点	下载	Rohs不合规			2368-NTE2934	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						400 v	11.5A（TC）	10V	300MOHM @ 5.75a，10V	4V @ 250µA	131 NC @ 10 V	±30V	2780 pf @ 25 V	-	92W（TC）
STP8N80K5	2.5600	RFQ	123	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP8N80			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						800 v	6A（TC）	10V	950MOHM @ 3A，10V	5V @ 100µA	16.5 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 100 V	-	110W（TC）
STP45N60DM6	7.9600	RFQ	17	Stmicroelectronics	MDMESH™DM6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP45			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						600 v	30A（TC）	10V	99mohm @ 15a，10v	4.75V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±25V	1920 PF @ 100 V	-	210W（TC）
IPW65R280E6FKSA1	-	RFQ	3088	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道						650 v	13.8A（TC）	10V	280MOHM @ 4.4A，10V	3.5V @ 440µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 100 V	-	104W（TC）
RFP15N08L	0.5700	RFQ	49	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						80 V	15A（TC）	5V	140MOHM @ 7.5A，5V	2.5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±10V		-	72W（TC）
HUF75631SK8	0.9500	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						100 v	5.5A（ta）	10V	39mohm @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1225 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
SDBN500B01-7	-	RFQ	1894年	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363					200兆	SOT-363	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				80 V	500 MA							100NA	NPN +二极管（隔离）	350mv @ 20mA，200mA	100 @ 50mA，1V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²