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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
SUM90330E-GE3	1.7200	RFQ	9823	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum90330			MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道						200 v	35.1A（TC）	7.5V，10V	37.5MOHM @ 12.2a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1172 PF @ 100 V	-	125W（TC）
BUJ100,126	0.1183	RFQ	4770	Ween半导体	-	（TB）	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BUJ100				2 w		TO-92-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		934055572126	Ear99	8541.29.0095	10,000																					400 v	1 a							100µA			NPN	1V @ 150mA，750mA	9 @ 750mA，5V	-
HS54095-01-E	0.3700	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	812
MRF6S9130HSR3	72.8200	RFQ	4	自由度半导体	-	大部分	积极的	68 v			NI-780	MRF6		880MHz	ldmos			NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	250			-		950 MA	27W	19.2db											-										28 V
MRF6S27015GNR1	27.6600	RFQ	793	自由度半导体	-	大部分	积极的	68 v			TO-270BA	MRF6		2.6GHz	ldmos			TO-270-2鸥	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	500			-		160 MA	3W	14dB											-										28 V
MRFG35010MR5	37.5500	RFQ	235	自由度半导体	*	大部分	积极的												-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0095	1
MRF377HR3	-	RFQ	5654	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		底盘安装	NI-860C3			470MHz〜860MHz	ldmos			NI-860C3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1			1µA		2 a	45W	18.2db											-										32 v
MRF8P20161HSR3	110.0400	RFQ	1	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v			NI-780S-4	MRF8		1.92GHz	ldmos			NI-780S-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-		550 MA	37W	16.4dB											-										28 V
ipd60r1k5ceauma1	0.7200	RFQ	18	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.1A，10V	3.5V @ 90µA	9.4 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 100 V	-	49W（TC）
SI9434BDY-T1-GE3	-	RFQ	8281	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9434			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						20 v	4.5A（ta）	2.5V，4.5V	40mohm @ 6.3a，4.5V	1.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±8V		-	1.3W（TA）
IRLI2203NPBF	-	RFQ	5621	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB全盘	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						30 V	61A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 37a，10v	1V @ 250µA	110 NC @ 4.5 V	±16V	3500 PF @ 25 V	-	47W（TC）
FDMS7606	-	RFQ	2258	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	8-Powerwdfn	FDMS76			MOSFET （金属 o化物）	1W		Power56	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							30V	11.5a，12a		11.4mohm @ 11.5A，10V	3V @ 250µA	22nc @ 10V		1400pf @ 15V	逻辑级别门
MSCSM170HM087CAG	1.0000	RFQ	9	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM170			（SIC）	1.114kW（TC）		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM170HM087CAG	Ear99	8541.29.0095	1	（4 n 通道（全桥）							1700V（（1.7kV）	238a（TC）		11.3mohm @ 120A，20V	3.2V @ 10mA	712NC @ 20V		13200pf @ 1000V	-
PCFC041N60EW	-	RFQ	7465	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-PCFC041N60EWTR	过时的		3,000
ZXTN55551GTA	0.4400	RFQ	1508	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ZXTN5551				2 w		SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																					160 v	600 MA							50NA（iCBO）			NPN	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	130MHz
AON7246	-	RFQ	4069	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	aon72			MOSFET （金属 o化物）			8-DFN-EP（3x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						60 V	10A（10A），34.5A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1610 PF @ 30 V	-	3.1W（TA），34.7W（TC）
RM25N30DN	0.1400	RFQ	8606	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn				MOSFET （金属 o化物）			8-DFN-EP（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM25N30DNTR		8541.10.0080	25,000		n通道						30 V	25A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA		±20V	1530 pf @ 15 V	-	25W（TC）
AFT26HW050SR3	80.8200	RFQ	4	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		底盘安装	NI-780-4S4			2.496GHZ〜2.69GHz	ldmos			NI-780-4S4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	250	双重的		10µA		100 ma	9W	14.2db											-										28 V
MRFE6S9160HR3	-	RFQ	1884年	自由度半导体	-	大部分	积极的	66 v			SOT-957A	MRFE6		880MHz	ldmos			NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	2			-		1.2 a	35W	21dB											-										28 V
CM75MX-12A	-	RFQ	2293	Powerex Inc.	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块					280 w	三相桥梁整流器	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三期逆变器																			-	600 v	75 a		2.1V @ 15V，75a					1 MA	是的	7.5 nf @ 10 V
R6077VNZ4C13	14.2100	RFQ	600	Rohm半导体	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	R6077			MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-R6077VNZ4C13	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	77A（TC）	10V，15V	51MOHM @ 23A，15V	6.5V @ 1.9mA	108 NC @ 10 V	±30V	5200 PF @ 100 V	-	781W（TC）
PN4209	-	RFQ	4398	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆		TO-92-3	下载			到达不受影响	1514-PN4209	Ear99	8541.21.0075	1																					15 v	200 ma							10NA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，300mv	850MHz
ISC0806NLSATMA1	2.6500	RFQ	1943年	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC0806N			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						100 v	（16A）（ta），97a（tc）	4.5V，10V	5.4mohm @ 50a，10v	2.3V @ 61µA	49 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 50 V	-	2.5W（ta），96w（tc）
RGT8TM65DGC9	2.1000	RFQ	897	Rohm半导体	-	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RGT8TM65	标准			16 W		TO-220NFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				400V，4A，50OHM，15V															40 ns	沟渠场停止	650 v	5 a	12 a	2.1V @ 15V，4A	-	13.5 NC	17ns/69ns
MUN5238T1G	0.0252	RFQ	5751	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	MUN5238				202兆		SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50 V	100 ma							500NA			npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v		2.2 kohms
SIHP28N65E-GE3	2.8195	RFQ	4982	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP28			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	29A（TC）	10V	112mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	3405 PF @ 100 V	-	250W（TC）
MRFG35010NT1	37.5500	RFQ	2	自由度半导体	-	大部分	积极的	15 v			PLD-1.5	MRFG35		3.55GHz	Phemt fet			PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1,000			-		180 MA	9W	10dB											-										12 v
MRF5S19150HSR5	127.4800	RFQ	150	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v			NI-880S	MRF5		1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos			NI-880S	-	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	50			-		1.4 a	32W	14dB											-										28 V
MRF21085R3	146.7600	RFQ	162	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		底盘安装	SOT-957A			2.11GHZ〜2.17GHz	MOSFET			NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		10µA		1 a	90W	13.6dB											-										28 V
MRF8P20165WHSR5	117.6600	RFQ	39	自由度半导体	-	大部分	过时的	65 v		底盘安装	NI-780S-4			1.88GHZ〜2.025GHz	ldmos			NI-780S-4	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	50	双重的		10µA		550 MA	37W	14.8db											-										28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²