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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANS2N5794UC/TR	349.3816	RFQ	9962	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/495	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N5794		600MW	UC	-			到达不受影响	150-JANS2N5794UC/TR			50													40V	600mA	10µA（ICBO）	2 NPN （双）	900mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
SPA07N60C2	0.5600	RFQ	1	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-31	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	5.5V @ 350µA	35 NC @ 10 V	±20V	970 pf @ 25 V	-	32W（TC）
提示3055-S	-	RFQ	2384	Bourns Inc.	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3	提示30		3.5 w	SOT-93	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	300													60 V	15 a	700µA	NPN	3V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	-
BC817-25W，115	0.0200	RFQ	4296	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				BC817				-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
FDC2512_F095	-	RFQ	9184	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC2512	MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	1.4a（ta）	6V，10V	425MOHM @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	344 PF @ 75 V	-	1.6W（TA）
AUIRF6215STRL	3.9800	RFQ	800	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRF6215	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	150 v	13A（TC）	10V	290MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
STB46NF30	4.4900	RFQ	995	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB46	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	300 v	42A（TC）	10V	75mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTQ98N20T	-	RFQ	7764	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ98	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	200 v	98A（TC）		-	-				-	-
NMB2227AH	0.0665	RFQ	6756	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	NMB2227		300MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934070344125	Ear99	8541.21.0075	3,000													40V	600mA	10NA（ICBO）	NPN，PNP	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
2SC3857	-	RFQ	1973	桑肯	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-埃斯			150 w	MT-200	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SC3857 DK	Ear99	8541.29.0095	250													200 v	15 a	100µA（ICBO）	NPN	3V @ 1a，10a	50 @ 5A，4V	20MHz
JANTXV2N3725UB/TR	-	RFQ	5942	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				UB	-			到达不受影响	150-JANTXV2N3725UB/TR			50													50 V	500 MA	-	NPN	-	-	-
UPA1601GS-E1-A	1.8400	RFQ	40	肾脏	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-SOIC （0.220英寸，5.59mm）	UPA1601	MOSFET （金属 o化物）	1W（ta）	16 SOP	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-UPA1601GS-E1-A	Ear99	8542.39.0001	163	7 n通道		30V	270mA（ta）		5.3OHM @ 150mA，4V	800mv @ 150mA	-		15pf @ 10V	-
PMV20XNEA，215	-	RFQ	3902	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的				PMV20	-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1											-
FQPF5N50CYDTU	1.5000	RFQ	667	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索	FQPF5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2832-FQPF5N50CYDTU	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）
SI4214DDY-T1-GE3	0.6900	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4214	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8.5a		19.5mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	22nc @ 10V		660pf @ 15V	逻辑级别门
IRFR9110TRLPBF	1.5900	RFQ	1511	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
FDD13AN06A0_NL	-	RFQ	6377	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	9.9a（ta），50a （TC）	6V，10V	13.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	115W（TC）
IRF1407STRLPBF	2.8600	RFQ	9	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF1407	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	75 v	100A（TC）	10V	7.8mohm @ 78a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
MJE16004	0.5200	RFQ	103	Onmi	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
IXFA3N120	9.9300	RFQ	3581	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixfa3	MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfa3n120	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1200 v	3A（TC）	10V	4.5OHM @ 1.5A，10V	5V @ 1.5mA	39 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	200W（TC）
DTC114EET1	0.0400	RFQ	156	Onmi	-	大部分	过时的				DTC114				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
MMPQ2907	1.0000	RFQ	2228	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	MMPQ29		1W	16-Soic	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500													40V	600mA	50NA（iCBO）	4 pnp（（	1.6V @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
QSL12TR	0.6700	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	QSL12		500兆	TSMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN +二极管（隔离）	350mv @ 25mA，500mA	270 @ 100mA，2V	320MHz
BC857AW，115	0.1700	RFQ	13	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC857		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	PNP	600mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
NDS7002A_NB9GGTXA	-	RFQ	8385	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NDS700	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	280mA（TA）	5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	300MW（TA）
BCP55,115	0.4800	RFQ	972	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP55		1.35 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													60 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
BD676AG	-	RFQ	8101	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD676		40 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500													45 v	4 a	500µA	pnp-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
WNSC2M1K0170WQ	3.7616	RFQ	5309	Ween半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	WNSC2	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载					Ear99	8541.29.0095	240		n通道	1700 v	7a（ta）	15V，18V	1ohm @ 1a，18v	4.2V @ 800µA	12 nc @ 18 V	+22V，-10V	225 pf @ 1000 V	-	79W（ta）
IPB019N08N3GATMA1	6.3700	RFQ	11	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB019	MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	80 V	180a（TC）	6V，10V	1.9MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 270µA	206 NC @ 10 V	±20V	14200 PF @ 40 V	-	300W（TC）
MSC035SMA070B4	15.5100	RFQ	23	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	MSC035	sicfet （碳化硅）		TO-247-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-MSC035SMA070B4	Ear99	8541.29.0095	60		n通道	700 v	77A（TC）	20V	44mohm @ 30a，20v	2.7V @ 2mA（（typ）	99 NC @ 20 V	+23V，-10V	2010 PF @ 700 V	-	283W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²