RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
UPA2593T1H-T1-AT	0.4800	RFQ	19	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
DMN62D1LFDQ-13	0.0863	RFQ	2937	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XDFN	DMN62		MOSFET （金属 o化物）		U-DFN1212-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道					60 V	400mA（TA）	1.5V，4V	2ohm @ 100mA，4V	1V @ 250µA	0.55 NC @ 4.5 V	±20V	36 pf @ 25 V	-	500MW
JANSF2N2906AUB/TR	157.4550	RFQ	2630	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-				150-JANSF2N2906AUB/TR			50
SI5855CDC-T1-E3	-	RFQ	1068	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5855		MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	3.7A（TC）	1.8V，4.5V	144mohm @ 2.5a，4.5V	1V @ 250µA	6.8 NC @ 5 V	±8V	276 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.3W（ta），2.8W（TC）
MTP8N50E	1.1300	RFQ	746	Onmi	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
SI7358ADP-T1-E3	-	RFQ	3708	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7358		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	14A（TA）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 23A，10V	3V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±20V	4650 pf @ 15 V	-	1.9W（TA）
XP2344GN	0.4900	RFQ	2895	Xsemi Corporation	XP2344	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	XP2344		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	-	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道					20 v	6.4a（ta）	1.8V，4.5V	22mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	35.2 NC @ 4.5 V	±8V	2430 pf @ 10 V	-	1.38W（TA）
2N6486锡/铅	2.8900	RFQ	176	中央半导体公司	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				1.8 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																		40 V	15 a		1ma	NPN	3.5V @ 5a，15a	20 @ 5A，4V	5MHz
IRFSL4310ZPBF	-	RFQ	3516	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	120A（TC）	10V	6mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 50 V	-	250W（TC）
DSC5C01R0L	-	RFQ	5280	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		150°C（TJ）	表面安装	SC-85	DSC5C01			150兆	smini3-f2-b	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																		100 v	20 ma		1µA	NPN	200mv @ 1mA，10mA	400 @ 2mA，10v	140MHz
NTMFS4C028NT3G	-	RFQ	3620	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					30 V	16.4a（ta），52a （TC）	4.5V，10V	4.73mohm @ 30a，10v	2.1V @ 250µA	22.2 NC @ 10 V	±20V	1252 PF @ 15 V	-	2.51W（TA），25.5W（tc）
BC817-16Q	0.0220	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					BC817					-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-BC817-16QTR	Ear99		3,000
SI4409DY-T1-E3	-	RFQ	3513	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4409		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					150 v	1.3A（TC）	6V，10V	1.2OHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	332 PF @ 50 V	-	2.2W（TA），4.6W（TC）
RJK03E2DNS-00＃j5	-	RFQ	5128	Onmi	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-hwson（3.3x3.3）	-				2156-RJK03E2DNS-00＃j5			1		n通道					30 V	16A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 8A，10V	2.5V @ 1mA	1.8 NC @ 4.5 V	±20V	1100 pf @ 10 V	-	12.5W（TC）
AFV10700H5	537.6400	RFQ	27	NXP半导体	-	大部分	积极的	105 v		底盘安装	NI-780-4		960MHz〜1.215GHz	LDMO （双）		NI-780-4	-				2156-AFV10700HR5			1	2 n通道		1µA	100 ma	700W	19.2db @ 1.03GHz											-			52 v
FMMT718TA-50	0.0852	RFQ	9862	二极管合并	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FMMT718			625兆	SOT-23-3	下载				31-FMMT718TA-50	Ear99	8541.21.0075	3,000																		20 v	1.5 a		100NA	PNP	220mv @ 50mA，1.5a	300 @ 100mA，2V	180MHz
2SK3355-S-az	-	RFQ	8988	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的					2SK3355		-			下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1															-
ICE22N60	-	RFQ	8577	ICEMOS技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载				5133-ICE22N60	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	22a（TC）	10V	160mohm @ 11a，10v	3.9V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	2730 PF @ 25 V	-	208W（TC）
BSS138NH6433XTMA1	0.3900	RFQ	5592	Infineon技术	SIPMOS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS138		MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道					60 V	230ma（ta）	4.5V，10V	3.5OHM @ 230mA，10V	1.4V @ 26µA	1.4 NC @ 10 V	±20V	41 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
IXFN40N110Q3	-	RFQ	7236	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN40		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道					1100 v	35A（TC）	10V	260mohm @ 20a，10v	6.5V @ 8mA	300 NC @ 10 V	±30V	14000 PF @ 25 V	-	960W（TC）
2SK536-TB-E	0.2100	RFQ	3	Sanyo	-	大部分	积极的		125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		3-CP	下载					Ear99	8541.21.0095	1,411		n通道					50 V	（100mA）（TA）	10V	20ohm @ 10mA，10v	-		±12V	15 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
FQU4N50TU	0.7000	RFQ	27	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道					500 v	2.6A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
IXFQ60N503	10.5200	RFQ	24	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ60		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					500 v	60a（TC）	10V	100mohm @ 30a，10v	5V @ 4mA	96 NC @ 10 V	±30V	6250 pf @ 25 V	-	1040W（TC）
ZXTP03200GTA	-	RFQ	4626	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-ZXTP03200GTATR			1,000
FQAF40N25	2.9800	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	360		n通道					250 v	24A（TC）	10V	70mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4000 pf @ 25 V	-	108W（TC）
MMDT3906Q	0.0420	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-MMDT3906QTR	Ear99		3,000
AFT26HW050GSR3	-	RFQ	9284	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v			NI-780GS	AFT26	2.69GHz	ldmos		NI-780GS-4L4L	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	1	双重的		-	100 ma	9W	14.2db											-			28 V
SIPC06S2N06LATX2LA1	-	RFQ	1894年	Infineon技术	-	大部分	过时的		-					-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		-						-	-	-	-		-		-	-
PMSTA05,115	0.2200	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PMSTA05			200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		60 V	500 MA		100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	50 @ 100mA，1V	100MHz
SH8KE7TB1	2.1000	RFQ	2067	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8KE7		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	-		（1 （无限）					2,500	2 n通道						100V	8a（8a）		20.9mohm @ 8a，10v	2.5V @ 1mA	19.8nc @ 10V		1110pf @ 50V	标准

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²