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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N5153U3	107.4906	RFQ	3026	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					1.16 w	U3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				80 V	1 MA					1ma	PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
BLP15M9S30GZ	20.1900	RFQ	8529	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		表面安装	SOT-1483-1	BLP15		1.5GHz	ldmos		SOT1483-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	500	n通道		-		30W	19.3db											-
PDTC144VU，115	0.0200	RFQ	14	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC144VU，115-954			14,990
TSM70N900CP	1.9252	RFQ	4507	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N900CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					700 v	4.5A（TC）	10V	900MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	9.7 NC @ 10 V	±30V	482 PF @ 100 V	-	50W（TC）
2SK1133-T2B-A	-	RFQ	6909	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
SIHD3N50D-BE3	0.9200	RFQ	1899年	Vishay Siliconix	d	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD3			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-SIHD3N50D-BE3	Ear99	8541.29.0095	75		n通道					500 v	3A（TC）	10V	3.2OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	175 pf @ 100 V	-	69W（TC）
JANSL2N2906AUB/TR	148.3710	RFQ	8116	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2906				500兆	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSL2N2906AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	1																				60 V	600 MA					50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
DMTH8008LFG-7	0.4973	RFQ	5201	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn				MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载			到达不受影响	31-DMTH8008LFG-7TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					80 V	（17a）（ta），70a （TC）	4.5V，10V	6.9mohm @ 20a，10v	2.5V @ 1mA	37.7 NC @ 10 V	±20V	2254 PF @ 40 V	-	1.2W（ta），50W（TC）
FDMA6676PZ	0.8400	RFQ	6	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6 PowerWDFN	FDMA6676			MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					30 V	11a（11a）	4.5V，10V	13.5mohm @ 11a，10v	2.6V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±25V	2160 pf @ 15 V	-	2.4W（TA）
APT45GR65BSCD10	-	RFQ	5467	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT45GR65	标准			543 w	TO-247	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				433V，45A，4.3OHM，15V														80 ns	npt	650 v	118 a	224 a	2.4V @ 15V，45a	203 NC	15NS/100NS
STP8NM60ND	-	RFQ	9228	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP8N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	7A（TC）	10V	700MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	560 pf @ 50 V	-	70W（TC）
SI7820DN-T1-E3	1.5500	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7820			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					200 v	1.7A（TA）	6V，10V	240MOHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
2SK1318-E	1.0000	RFQ	6210	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
R6003KND3TL1	1.6800	RFQ	117	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6003			MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					600 v	3A（TC）	10V	1.5OHM @ 1A，10V	5.5V @ 1mA	8 nc @ 10 V	±20V	185 pf @ 25 V	-	44W（TC）
BD678AS	0.2800	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3					14 W	TO-126-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BD678AS-600039			1																				60 V	4 a					500µA	pnp-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
FDV302P	-	RFQ	8849	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDV30			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载						0000.00.0000	1		P通道					25 v	120mA（ta）	2.7V，4.5V	10ohm @ 200ma，4.5V	1.5V @ 250µA	0.31 NC @ 4.5 V	-8V	11000 PF @ 10 V	-	350MW（TA）
SIHK055N60EF-T1GE3	9.1100	RFQ	2	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerbsfn	SIHK055			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®10x12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					600 v	40a（TC）	10V	58mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	3667 PF @ 100 V	-	236W（TC）
CP710-CMPTA96-CT	-	RFQ	4920	中央半导体公司	-	托盘	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死					350兆	死	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	400																				450 v	500 MA					100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，10v	20MHz
JANTXV2N6284	65.7419	RFQ	3398	微芯片技术	MIL-PRF-19500/504	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6284				175 w	TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				100 v	20 a					1ma	npn-达灵顿	3V @ 200mA，20a	1500 @ 1A，3V	-
MPS2907AG	-	RFQ	2192	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS290				625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000																				60 V	600 MA					10NA（ICBO）	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
IPD600N25N3GATMA1	3.0100	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD600			MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					250 v	25A（TC）	10V	60mohm @ 25a，10v	4V @ 90µA	29 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 100 V	-	136W（TC）
IPW50R140CPFKSA1	4.5928	RFQ	3574	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW50R140			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道					550 v	23A（TC）	10V	140mohm @ 14a，10v	3.5V @ 930µA	64 NC @ 10 V	±20V	2540 pf @ 100 V	-	192W（TC）
ksb564acybu	-	RFQ	5503	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSB56				800兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																				25 v	1 a					100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，1V	110MHz
FDC638P-P	-	RFQ	7160	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC638			MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	-		（1 （无限）	到达不受影响	488-FDC638P-PTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	4.5A（ta）	2.5V，4.5V	48mohm @ 4.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V	1160 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
HUF75339S3	0.2200	RFQ	7399	哈里斯公司	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		TO-262AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1200		n通道					55 v	70A（TC）		12mohm @ 70a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	124W（TC）
IRFR220NPBF	1.0000	RFQ	3436	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载						0000.00.0000	1		n通道					200 v	5A（TC）	10V	600mohm @ 2.9a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	43W（TC）
UPA2593T1H-T1-AT	0.4800	RFQ	19	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
DMN62D1LFDQ-13	0.0863	RFQ	2937	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XDFN	DMN62			MOSFET （金属 o化物）		U-DFN1212-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道					60 V	400mA（TA）	1.5V，4V	2ohm @ 100mA，4V	1V @ 250µA	0.55 NC @ 4.5 V	±20V	36 pf @ 25 V	-	500MW
JANSF2N2906AUB/TR	157.4550	RFQ	2630	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-				150-JANSF2N2906AUB/TR			50
SI5855CDC-T1-E3	-	RFQ	1068	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5855			MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	3.7A（TC）	1.8V，4.5V	144mohm @ 2.5a，4.5V	1V @ 250µA	6.8 NC @ 5 V	±8V	276 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.3W（ta），2.8W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²