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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PJC7400_R1_00001	0.4400	RFQ	195	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PJC7400	MOSFET （金属 o化物）			SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJC7400_R1_00001TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	1.9a（ta）	1.8V，10V	70MOHM @ 1.9A，10V	1.2V @ 250µA	4.8 NC @ 10 V	±12V	447 PF @ 15 V	-	350MW（TA）
BD14010S	1.0000	RFQ	6439	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3			1.25 w		TO-126-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	250														80 V	1.5 a		100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	-
DMP2004TK-7	0.5200	RFQ	62	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	DMP2004	MOSFET （金属 o化物）			SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	430ma（ta）	1.8V，4.5V	1.1OHM @ 430mA，4.5V	1V @ 250µA		±8V	175 pf @ 16 V	-	150MW（TA）
FQB17P06TM	-	RFQ	8772	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB1	MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	17a（TC）	10V	120MOHM @ 8.5a，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±25V	900 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），79W（tc）
TK20J60U（f）	-	RFQ	2851	东芝半导体和存储	dtmosii	托盘	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK20J60	MOSFET （金属 o化物）			to-3p n（n）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	20A（TA）	10V	190mohm @ 10a，10v	5V @ 1mA	27 NC @ 10 V	±30V	1470 pf @ 10 V	-	190w（TC）
HAF1009-90STL	-	RFQ	1973	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
IMW65R039M1HXKSA1	17.4100	RFQ	44	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IMW65R	sicfet （碳化硅）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	46A（TC）	18V	50mohm @ 25a，18v	5.7V @ 7.5mA	41 NC @ 18 V	+20V，-2V	1393 PF @ 400 V	-	176W（TC）
BC549B_J35Z	-	RFQ	8252	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC549		500兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														30 V	100 ma		15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
UMT4401U3T106	0.5100	RFQ	184	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	UMT4401		200兆		UMT3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														40 V	600 MA		100NA（ICBO）			NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
IRF150DM115XTMA1	1.8119	RFQ	5854	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	-		MOSFET （金属 o化物）			-	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道	150 v	-	-	-	-		-		-	-
IXFK150N30X3	20.7100	RFQ	96	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK150	MOSFET （金属 o化物）			TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道	300 v	150a（TC）	10V	8.3MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 4mA	177 NC @ 10 V	±20V	13100 PF @ 25 V	-	890W（TC）
FDMC6688P	-	RFQ	2840	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC6688	MOSFET （金属 o化物）			8-PQFN （3.3x3.3），Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	（14A）（56A（ta）（TC）	1.8V，4.5V	6.5MOHM @ 14A，4.5V	1V @ 250µA	61 NC @ 4.5 V	±8V	7435 pf @ 10 V	-	2.3W（TA），30W（TC）
2SB1260-Q-TP	-	RFQ	1621年	微商业公司	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-243AA	2SB1260				SOT-89	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		353-2SB1260-Q-TPTR			1,000
2SK3435-az	2.6000	RFQ	1	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3435-az	Ear99	8541.29.0075	116		n通道	60 V	80A（TC）	10V	14mohm @ 40a，10v	2.5V @ 1mA	60 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 10 V	-	1.5W（ta），84W（tc）
DMG6302UDW-13	0.0490	RFQ	8002	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMG6302	MOSFET （金属 o化物）	310MW（TA）		SOT-363	下载			到达不受影响	31-DMG6302UDW-13TR	Ear99	8541.21.0095	10,000	2（p 通道（双）		25V	150mA（ta）		10ohm @ 140mA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.34NC @ 4.5V		30.7pf @ 10V	-
DMT10H010LPS-13	1.5400	RFQ	3	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMT10	MOSFET （金属 o化物）			PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	9.4A（98A）（98a tc）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 13A，10V	3.5V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 50 V	-	1.2W（TA），139w（tc）
ECH8697R-TL-W	0.6200	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8697	MOSFET （金属 o化物）	1.5W		SOT-28FL/ECH8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		24V	10a		11.6mohm @ 5A，4.5V	-	6NC @ 4.5V		-	逻辑水平门，2.5V
IXFH12N90P	10.1600	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH12	MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	900 v	12A（TC）	10V	900mohm @ 6a，10v	6.5V @ 1mA	56 NC @ 10 V	±30V	3080 pf @ 25 V	-	380W（TC）
MSA1162YT1G	-	RFQ	4748	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MSA11		200兆		SC-59	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000														50 V	100 ma		100NA			PNP	500mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
DMP58D0SV-7	-	RFQ	3575	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMP58	MOSFET （金属 o化物）	400MW		SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		50V	160mA		8ohm @ 100mA，5v	2.1V @ 250µA	-		27pf @ 25V	逻辑级别门
BUK964R4-40B，118	2.9700	RFQ	8	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk964	MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	75A（TC）	5V，10V	4mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	64 NC @ 5 V	±15V	7124 PF @ 25 V	-	254W（TC）
RS3L045GNGZETB	0.8600	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RS3L	MOSFET （金属 o化物）			8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	4.5A（ta）	4.5V，10V	59MOHM @ 4.5A，10V	2.7V @ 50µA	5.6 NC @ 10 V	±20V	285 pf @ 30 V	-	2W（TA）
MSCSM170AM058CD3AG	1.0000	RFQ	6340	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM170	（SIC）	1.642kW（TC）		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM170AM058CD3AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）		1700V（（1.7kV）	353A（TC）		7.5MOHM @ 180a，20V	3.3V @ 15mA	1068nc @ 20V		19800pf @ 1000V	-
IPN80R600P7ATMA1	1.8200	RFQ	2	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN80R600	MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	800 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 3.4A，10V	3.5V @ 170µA	20 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 500 V	-	7.4W（TC）
FS50R07N2E4BOSA1	-	RFQ	4183	Infineon技术	Econopack™2	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FS50R07		190 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	完整的桥梁逆变器												-	650 v	70 a	1.95V @ 15V，50a	1 MA	是的	3.1 NF @ 25 V
JANS2N6678T1	-	RFQ	1527年	微芯片技术	-	大部分	积极的	200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））					TO-254	-			到达不受影响			0000.00.0000	1														400 v	15 a		-			NPN	-	-	-
DF11MR12W1M1PB11BPSA1	-	RFQ	3849	Infineon技术	EasyPack™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	DF11MR12	（SIC）	20mw		Ag-Easy1b-2	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	30	2 n 通道（双）		1200V（1.2kV）	50a（TJ）		22.5mohm @ 50a，15v	5.55V @ 20mA	124nc @ 15V		3680pf @ 800V	-
NJVMD45H11T4G	-	RFQ	9873	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				NJVMD45H11					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NJVMD45H11T4GTR			1
JANTX2N7369	-	RFQ	3655	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/621	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））			115 w		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														80 V	5 ma		5mA			PNP	1V @ 500mA，5a	-	-
PBHV8115TLHR	-	RFQ	4414	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆		SOT23-3（TO-236）	-				2156-PBHV8115TLHR			1														150 v	1 a		100NA			NPN	60mv @ 10mA，100mA	70 @ 50mA，10v	30MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²