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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FDMC8015L	1.0700	RFQ	385	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC8015		MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		40 V	（7A）（ta），18A （TC）	4.5V，10V	26mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	945 PF @ 20 V	-	2.3W（24W），24W tc）
JAN2N7334	-	RFQ	7192	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/597	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	2N733		MOSFET （金属 o化物）	1.4W	MO-036AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	4 n通道			100V	1a		700MOHM @ 600mA，10V	4V @ 250µA	60nc @ 10V		-	-
提示115	-	RFQ	3125	哈里斯公司	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	50															60 V							2mA	pnp-达灵顿	2.5V @ 8mA，2a	1000 @ 1A，4V	25MHz
IXYF40N450	119.4976	RFQ	1871年	Littelfuse Inc.	XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-4，隔离		标准		290 w	ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			960V，40a，2ohm，15V											-	4500 v	60 a	350 a	3.9V @ 15V，40a	-	170 NC	36NS/110NS
SI4567DY-T1-GE3	-	RFQ	8437	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4567		MOSFET （金属 o化物）	2.75W，2.95W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道			40V	5a，4.4a		60mohm @ 4.1A，10V	2.2V @ 250µA	12nc @ 10V		355pf @ 20V	-
JANS2N5794UC/TR	349.3816	RFQ	9962	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/495	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N5794			600MW	UC	-			到达不受影响	150-JANS2N5794UC/TR			50															40V	600mA						10µA（ICBO）	2 NPN （双）	900mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
US6T4TR	0.2120	RFQ	2784	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	US6T4			1 w	Tumt6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000															12 v	3 a						100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 30mA，1.5a	270 @ 500mA，2V	280MHz
SPA07N60C2	0.5600	RFQ	1	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-31	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	5.5V @ 350µA	35 NC @ 10 V	±20V	970 pf @ 25 V	-	32W（TC）
提示3055-S	-	RFQ	2384	Bourns Inc.	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3	提示30			3.5 w	SOT-93	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	300															60 V	15 a						700µA	NPN	3V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	-
BC817-25W，115	0.0200	RFQ	4296	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				BC817					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
IRF8113TRPBF	0.9800	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF8113		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道		30 V	17.2a（ta）	4.5V，10V	5.6MOHM @ 17.2A，10V	2.2V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±20V	2910 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRF7416GTRPBF	-	RFQ	1308	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道		30 V	10a（10a）	4.5V，10V	20mohm @ 5.6a，10v	1V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
DTC114EET1	0.0400	RFQ	156	Onmi	-	大部分	过时的				DTC114					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
BUK9230-80EJ	-	RFQ	7545	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934069873118	Ear99	8541.29.0095	2,500					32a
IRFR1N60A	-	RFQ	5593	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR1		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR1N60A	Ear99	8541.29.0095	75		n通道		600 v	1.4A（TC）	10V	7ohm @ 840mA，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	229 pf @ 25 V	-	36W（TC）
KSC5502DTM	0.9700	RFQ	7161	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	KSC5502			50 W	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500															600 v	2 a						100µA	NPN	1.5V @ 200mA，1a	4 @ 1a，1V	11MHz
FQPF9N08L	-	RFQ	2460	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF9		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		80 V	7A（TC）	5V，10V	210MOHM @ 3.5A，10V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±20V	280 pf @ 25 V	-	23W（TC）
FDC2512_F095	-	RFQ	9184	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC2512		MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		150 v	1.4a（ta）	6V，10V	425MOHM @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	344 PF @ 75 V	-	1.6W（TA）
AUIRF6215STRL	3.9800	RFQ	800	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRF6215		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		150 v	13A（TC）	10V	290MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
MJE16004	0.5200	RFQ	103	Onmi	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
YJG80G06B	0.4910	RFQ	500	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJG80G06BTR	Ear99		5,000
NDS7002A_NB9GGTXA	-	RFQ	8385	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NDS700		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	280mA（TA）	5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	300MW（TA）
CPH3215-TL-H	-	RFQ	6952	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CPH3215			900兆	3-CP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000															30 V	1.5 a						100NA（ICBO）	NPN	225mv @ 15mA，750mA	200 @ 100mA，2V	500MHz
ADTC114YUAQ-7	0.2500	RFQ	10	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	ADTC114			330兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																100 ma						-	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
MCU20N10-TP	0.8700	RFQ	22	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MCU20		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	20a	4.5V，10V	48mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2014 PF @ 50 V	-	47W
IXFA3N120	9.9300	RFQ	3581	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixfa3		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfa3n120	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1200 v	3A（TC）	10V	4.5OHM @ 1.5A，10V	5V @ 1.5mA	39 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	200W（TC）
BCP55,115	0.4800	RFQ	972	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP55			1.35 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000															60 V	1 a						100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
STP34NM60ND	11.4400	RFQ	1	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP34		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	29A（TC）	10V	110MOHM @ 14.5A，10V	5V @ 250µA	80.4 NC @ 10 V	±25V	2785 PF @ 50 V	-	190w（TC）
BD676AG	-	RFQ	8101	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD676			40 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500															45 v	4 a						500µA	pnp-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
UPD3747AD-A	44.2500	RFQ	12	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8473.30.1180	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²