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晶体管（（100539）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	（ID） - 最大
FCD5N60-F085	-	RFQ	2477	Onmi	汽车，AEC-Q101，SuperFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FCD5	MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	4.6A（TC）	10V	1.1OHM @ 4.6A，10V	5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±30V	570 pf @ 25 V	-	54W（TJ）
RN2410，LF	0.1900	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2410		200兆		S-Mini	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000														50 V	100 ma				100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
DMT3009UFVW-7	0.1719	RFQ	7313	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMT3009	MOSFET （金属 o化物）			PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-DMT3009UFVW-7TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	10.6a（ta），30a	4.5V，10V	11MOHM @ 11a，10v	1.8V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±12V	894 pf @ 15 V	-	1.2W（ta），2.6W（TC）
STL100N12F7	-	RFQ	2376	Stmicroelectronics	StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL100	MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	120 v	100A（TC）	10V	7.5MOHM @ 9A，10V	4.5V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 60 V	-	136W（TC）
IRFU220BTU-AM002	-	RFQ	2423	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU220	MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道	200 v	4.6A（TC）	10V	800MOHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），40W（TC）
MPSA55	-	RFQ	7335	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆		TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000														60 V	500 MA				100NA			PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
JASP2N3500L	41.5800	RFQ	1113	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSP2N3500L			1														150 v	300 MA				10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
PXT8550-D	0.0820	RFQ	100	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			500兆		SOT-89	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-PXT8550-DTR	Ear99		1,000														25 v	1.5 a				100NA			PNP	500mv @ 80mA，800mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
IAUA180N08S5N026AUMA1	3.7400	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn		MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-5-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	80 V	180a（TJ）	6V，10V	2.6MOHM @ 90A，10V	3.8V @ 100µA	87 NC @ 10 V	±20V	5980 pf @ 40 V	-	179W（TC）
AON4807	-	RFQ	8703	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	AON480	MOSFET （金属 o化物）	1.9W		8-DFN （3x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	4a		68mohm @ 4A，10V	2.3V @ 250µA	10NC @ 10V		290pf @ 15V	逻辑级别门
AUIRF1010EZS	-	RFQ	5742	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	75A（TC）	10V	8.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRF7704Tr	-	RFQ	4612	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）			8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道	40 V	4.6a（ta）	4.5V，10V	46mohm @ 4.6A，10V	3V @ 250µA	38 NC @ 4.5 V	±20V	3150 pf @ 25 V	-	1.5W（TA）
MMBT2907AK	1.0000	RFQ	1193	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆		SOT-23-3	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000														60 V	600 MA				10NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
2SA2161G0L	-	RFQ	1979年	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	2SA2161		125 MW		SSMINI3-F3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000														12 v	500 MA				100NA（ICBO）			PNP	250mv @ 10mA，200mA	270 @ 10mA，2V	200MHz
2N5771	1.0000	RFQ	2770	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			350兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1														15 v	200 ma				10NA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，300mv	-
APTC80DSK29T3G	-	RFQ	6852	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTC80	MOSFET （金属 o化物）	156W		SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）		800V	15a		290MOHM @ 7.5A，10V	3.9V @ 1mA	90NC @ 10V		2254pf @ 25V	-
rej002yntcl	0.3600	RFQ	14	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	REJ002	MOSFET （金属 o化物）			EMT3F（SOT-416FL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	50 V	200ma（ta）	0.9V，4.5V	2.2OHM @ 200mA，4.5V	800mv @ 1mA		±8V	26 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
2SK1069-5-TL-E	1.1600	RFQ	24	Onmi	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			150兆		3-MCPH	-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	259		n通道	40 V							9pf @ 10V							40 V	300 mV @ 1 µA									20 ma
IRF7413ZTRPBFXTMA1	0.3869	RFQ	9133	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）			PG-DSO-8-902	-	rohs3符合条件			448-irf7413ztrpbfxtma1tr			4,000		n通道	30 V	13A（TA）	4.5V，10V	10mohm @ 13a，10v	2.25V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
2SC2960E-SPA-AC	0.0600	RFQ	26	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,323
JANSD2N3019	114.8808	RFQ	9288	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			800兆		TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSD2N3019			1														80 V	1 a				10NA			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
IXFP50N20X3	5.6404	RFQ	3672	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3（IXFP）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfp50n20x3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	50A（TC）	10V	30mohm @ 25a，10v	4.5V @ 1mA	33 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	240W（TC）
2N4858A	5.0000	RFQ	8827	固态公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			300兆		TO-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2383-2N4858A	Ear99	8541.10.0080	10		-	40 V							18pf @ 10V							40 V
FP10R12W1T4BOMA1	40.0500	RFQ	1	Infineon技术	EasyPim™	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FP10R12		105 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器												沟渠场停止	1200 v	20 a	2.25V @ 15V，10a			1 MA	是的	600 pf @ 25 V
IRFD9110	-	RFQ	9745	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9110	MOSFET （金属 o化物）			4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD9110	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	100 v	700mA（TA）	10V	1.2OHM @ 420mA，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
IXFH34N65X2	8.4800	RFQ	100	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH34	MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	34A（TC）	10V	105mohm @ 17a，10v	5.5V @ 2.5mA	56 NC @ 10 V	±30V	3330 PF @ 25 V	-	540W（TC）
FDD8453LZ-F085	1.5400	RFQ	1	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD8453	MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 15A，10V	3V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	3515 PF @ 20 V	-	118W（TC）
FZT956QTA	0.5778	RFQ	3513	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1.6 w		SOT-223-3	下载			到达不受影响	31-FZT956QTATR	Ear99	8541.29.0075	1,000														200 v	2 a				50NA			PNP	275mv @ 400mA，2a	100 @ 1A，5V	110MHz
DMNH4006SPS-13	0.5968	RFQ	3369	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装		DMNH4006	MOSFET （金属 o化物）				下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	DMNH4006SPS-13DI	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	110A（TC）	10V	7mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	50.9 NC @ 10 V	20V	2280 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
BC817K25E6433HTMA1	0.0504	RFQ	1161	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817		500兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000														45 v	500 MA				100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	170MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（100539）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²